介质滤波器全磁控溅射多层复合金属化方法与流程

技术特征：
1.一种介质滤波器全磁控溅射多层复合金属化方法，其特征在于，所述方法首先对基体进行湿法清洗，干燥后置入真空腔内，采用等离子体对基体进行轰击处理；其次，在不脱离真空条件下磁控溅射沉积粘附层；再次，在不脱离真空条件下，继续采用磁控溅射方法在粘附层表面沉积信号传输导体层；最后，在信号传输层表面继续磁控溅射生长抗氧化保护和焊接层；具体步骤如下：步骤一：清洗介质滤波器，除去表面的有机物、金属颗粒和其他杂质；步骤二：介质滤波器基底的表面处理将步骤一处理后的介质滤波器置于真空腔内，在本底真空度≤5*10
‑4pa、工作气压0.3
‑
2pa、ar流量40
‑
200sccm、采用射频电源在射频功率密度5
‑
10w/cm2条件下，等离子体轰击处理基底；步骤三：沉积粘附层在本底真空度≤5*10
‑4pa、工作气压0.3
‑
0.5pa、ar流量40
‑
200sccm、功率密度0.01
‑
10kw/cm2、衬底温度在室温
‑
300℃的条件下，采用特殊的磁控溅射技术，在步骤二处理后的介质滤波器基底表面沉积高活性金属或过渡金属氮化物薄膜，作为粘附层；所述的特殊磁控溅射技术为：在靶材施加非平衡磁场，产生非平衡磁场分布；在靶材上施加高功率脉冲溅射电源；在样品台上施加0～
‑
300v衬底负偏压和0
‑
0.7t的辅助磁场；步骤四：沉积信号传输导体层在本底真空度≤5*10
‑4pa、工作气压0.3
‑
1.5pa、ar流量40
‑
200sccm、功率密度0.01
‑
10kw/cm2、衬底温度在室温
‑
300℃的条件下，继续采用步骤三的磁控溅射技术，在步骤三处理后的介质滤波器基底表面沉积cu、al薄膜，作为信号传输导体层；步骤五：沉积抗氧化保护和焊接层在本底真空度≤5*10
‑4pa、工作气压0.3
‑
1.5pa、ar流量40
‑
200sccm、功率密度0.01
‑
5kw/cm2、衬底温度在室温
‑
300℃的条件下，继续采用步骤三的磁控溅射方法，继续磁控溅射沉积ag、β
‑
sn、ag
‑
cu、pb
‑
sn、sn
‑
ag薄膜，作为抗氧化保护和焊接层。2.根据权利要求1所述的一种介质滤波器全磁控溅射多层复合金属化方法，其特征在于，步骤一所述的介质滤波器包括陶瓷滤波器、塑料滤波器。3.根据权利要求1所述的一种介质滤波器全磁控溅射多层复合金属化方法，其特征在于，所述步骤二中，等离子体轰击处理基底的时间为5
‑
30min。4.根据权利要求1所述的一种介质滤波器全磁控溅射多层复合金属化方法，其特征在于，所述步骤三中，高活性金属包括cr、ta、mo、ti、cu、a1或ni，过渡金属氮化物包括wn、tin或tan。5.根据权利要求1所述的一种介质滤波器全磁控溅射多层复合金属化方法，其特征在于，所述步骤三中，在靶材上施加非平衡磁场的方式为：在靶材上安装永磁体、电磁线圈或用电磁线圈和永磁体混合的装置；产生的非平衡磁场分布中外环磁场强度高于芯部磁场强度，磁力线没有完全形成闭合回路，部分外环的磁力线延伸到基体表面。6.根据权利要求1所述的一种介质滤波器全磁控溅射多层复合金属化方法，其特征在于，所述步骤三中，采用的溅射电源包括高功率脉冲电源、调制脉冲功率电源、深度震荡电源的一种或多种。7.根据权利要求1所述的一种介质滤波器全磁控溅射多层复合金属化方法，其特征在
于，所述步骤三中，粘附层厚度为50
‑
200nm。8.根据权利要求1所述的一种介质滤波器全磁控溅射多层复合金属化方法，其特征在于，所述步骤四中，信号传输导体层厚度为2
‑
4μm。9.根据权利要求1所述的一种介质滤波器全磁控溅射多层复合金属化方法，其特征在于，所述步骤五中，抗氧化保护和焊接层的总厚度为500
‑
1000nm。

技术总结
一种介质滤波器全磁控溅射多层复合金属化方法，属于通讯技术领域。首先对基体进行湿法清洗，干燥后置入真空腔内，采用等离子体对基体进行轰击处理；其次，在不脱离真空条件下磁控溅射沉积高活性的金属或过渡金属化合物作为粘附层；再次，在不脱离真空条件下，采用磁控溅射方法在粘附层表面沉积金属薄膜作为信号传输导体层；最后，在信号传输层表面继续磁控溅射生长抗氧化保护和焊接层。本发明所有膜层均采用磁控溅射完成；采用在非平衡磁场分布下的高功率脉冲磁控溅射可以大幅度提高Ar气以及金属原子的离化率；通过在样品台施加磁场或偏压等方式，能够解决普通平衡磁控溅射技术孔内镀膜的覆盖率低和均匀性差等问题；降低生产成本、节约溅射时间。节约溅射时间。节约溅射时间。


技术研发人员：周大雨 孙纳纳 秦广宇 刘卓
受保护的技术使用者：重庆康益青科技有限公司
技术研发日：2021.07.09
技术公布日：2021/10/8