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气相沉积晶圆温度控制结构的制作方法

2021-10-09 10:00:00 来源:中国专利 TAG:沉积 气相 结构 作业 应用于

技术特征:
1.一种气相沉积晶圆温度控制结构,其特征在于,包含:一晶圆承载装置,具有一晶圆定位通孔,该晶圆定位通孔供一晶圆置入,该晶圆定位通孔大于该晶圆,以对应于该晶圆的边缘形成一温控间距,该晶圆定位通孔内设有多个承载指,以撑托该晶圆的边缘;以及一温控气体供应单元,衔接于该晶圆承载装置并朝向该温控间距供应温控气体,以使该温控气体通过该晶圆的边缘。2.根据权利要求1所述的气相沉积晶圆温度控制结构,其特征在于,其进一步包含一热源面,该热源面与该晶圆保持一受热间距。3.根据权利要求2所述的气相沉积晶圆温度控制结构,其特征在于,该晶圆承载装置包含一碟盘以及一大盘模块,该晶圆定位通孔设置在该碟盘的中央,该碟盘的边缘设有一呈环状的衔接部;该碟盘定位于该大盘模块,该大盘模块具有至少一个碟盘槽,该碟盘槽设有一环槽沟,以供该衔接部置入;该环槽沟衔接一入气引道,以引入温控气体于该环槽沟中施力于该衔接部使该碟盘悬浮,该环槽沟与该衔接部之间具有通气间隙,以供该温控气体的一部分通过后导向该碟盘槽而进入该温控间距,该环槽沟衔接于一导出口,以供该温控气体的其余部分排出。4.根据权利要求3所述的气相沉积晶圆温度控制结构,其特征在于,该入气引道相对于与该环槽沟的衔接角度的切线方向分量大于径向方向分量,使该碟盘旋转。

技术总结
本实用新型所提供的气相沉积晶圆温度控制结构,是于晶圆受热过程中,利用温控气体通过晶圆的边缘或非反应面,以调控晶圆的受热分布情形。例如当温控气体中包含带热功能较差的氮气时,会得到晶圆边缘温度较高的温度分布结果,又当温控气体中包含带热能力较强的氢气时,会得到晶圆边缘温度接近中心温度的均匀分布结果。布结果。布结果。


技术研发人员:吴铭钦 刘峰
受保护的技术使用者:苏州雨竹机电有限公司
技术研发日:2020.12.28
技术公布日:2021/10/8
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