三维存储器、其制作方法及具有其的存储系统与流程

技术特征：
1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底上具有堆叠体；在所述堆叠体上形成导电介质层，并形成由所述导电介质层贯穿至所述堆叠体的顶部选择栅切线；在所述堆叠体和所述导电介质层中形成贯穿至所述衬底的多排沟道孔列，并在各排所述沟道孔列中的沟道通孔中形成沟道结构。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述导电介质层为多晶硅层，所述多晶硅层的厚度大于或所述导电介质层为掺杂多晶硅层。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述顶部选择栅切线的延伸方向与所述沟道孔列的延伸方向相同。4.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述堆叠体包括沿远离所述衬底的方向交替层叠的多层牺牲层和多层隔离层。5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，在形成所述沟道结构的步骤之后，所述制作方法还包括以下步骤：将所述牺牲层置换为控制栅结构，以形成栅极堆叠结构，在所述栅极堆叠结构中形成贯穿至所述衬底的多个共源极，多排所述沟道孔列位于相邻所述共源极之间。6.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，在形成所述顶部选择栅切线的步骤之前，所述制作方法还包括在所述导电介质层上形成第一绝缘层的步骤，形成所述顶部选择栅切线的步骤包括：形成顺序贯穿所述第一绝缘层和所述导电介质层至所述堆叠体的顶部选择栅开口；形成覆盖所述第一绝缘层的第二绝缘层，所述第二绝缘层中的部分填充于所述顶部选择栅开口中形成所述顶部选择栅切线。7.一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上具有栅极堆叠结构和导电介质层，所述导电介质层位于所述栅极堆叠结构远离所述衬底的一侧，所述栅极堆叠结构和所述导电介质层中具有贯穿至所述衬底的多排沟道孔列，所述栅极堆叠结构包括沿远离所述衬底的方向交替的多层控制栅结构和多层隔离层；沟道结构，设置于所述沟道孔列中的沟道通孔中；顶部选择栅切线，贯穿所述导电介质层至所述栅极堆叠结构。8.根据权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述导电介质层为多晶硅层，所述多晶硅层的厚度大于或所述导电介质层为掺杂多晶硅层。9.根据权利要求7所述的三维存储器，其特征在于，所述顶部选择栅切线的延伸方向与所述沟道孔列的延伸方向相同。10.根据权利要求7至9中任一项所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括：共源极，设置于所述栅极堆叠结构中并贯穿至所述衬底，多排所述沟道孔列位于相邻所述共源极之间。
11.根据权利要求7至9中任一项所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括：第一绝缘层，覆盖于所述导电介质层上；顶部选择栅开口，顺序贯穿所述第一绝缘层和所述导电介质层至所述栅极堆叠结构，所述顶部选择栅切线位于所述顶部选择栅开口中。12.一种存储系统，其特征在于，包括控制器和权利要求7至11中任一项所述的三维存储器，所述控制器耦合至所述三维存储器，并控制所述三维存储器存储数据。

技术总结
本申请提供了一种三维存储器、其制作方法及具有其的存储系统。该制作方法包括以下步骤：提供衬底，衬底上具有堆叠体；在堆叠体上形成导电介质层，并形成由导电介质层贯穿至堆叠体的顶部选择栅切线；在堆叠体和导电介质层中形成贯穿至衬底的多排沟道孔列，并在各排沟道孔列中的沟道通孔中形成沟道结构。通过将顶部选择栅切线的制作工序移至填充控制栅结构的步骤之前，降低了现有制作选择栅切线的步骤中需要刻蚀多层材料而导致的工艺困难，有利于栅极隔槽见沟道孔数量的增加，进而有利于器件存储密度的提升。储密度的提升。储密度的提升。


技术研发人员：吴采宇 蒲浩 高庭庭 李拓
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2021.07.13
技术公布日：2021/10/19