一种导电布及其制备方法与流程

1.本发明涉及一种导电布及其制备方法。


背景技术：

2.现有市场上的导电布一般是采用真空镀镍、电镀铜，再电镀镍的工艺路线得以实现，此方法工艺程序复杂，实现路径，产生的重金属废水较多，且因电镀铜废水里含有大量磷，导致废水处理成本高昂，进而导致整体生产成本高。


技术实现要素：

3.本发明所要解决的技术问题是，针对现有技术的不足，提供一种操作简便、废水量少、成本低、且产品合格率大幅度提升的导电布及其制备方法。
4.本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：
5.本发明之导电布，电阻≤2ω(优选≤1ω，更优选≤0.5ω)、屏蔽效能≥60db(优选≥65db)、耐蚀性能≥72h、附着力1
‑
2级。
6.本发明之导电布的制备方法，其工艺路线为：
7.将基布用物理气相沉积(pvd)方法沉积一层金属镍或铜，再将沉积了金属镍或铜的基布电镀镍，电镀结束后，水洗，烘干。
8.进一步，所述基布包括聚氨酯、涤纶或pet等基布，裁切至镀膜设备所需的宽度，该宽度范围是500
‑
1500mm。该基布的厚度为0.005
‑
0.5mm，该基布的密度范围为80
‑
500目或120t
‑
500t。将基布放在温度为50
‑
100℃的烘厢内烘烤24
‑
72小时，以蒸发其表面水气。
9.进一步，所述用物理气相沉积(pvd)方法沉积一层金属镍或铜，是指将基布放入真空镀膜机中镀镍或镀铜。真空镀膜机是一种通过物理气相沉积法原理，将金属通过磁控溅射方法将金属微粒沉积在基材上的设备。该方法不产生废水和废气，清洁环保又节能，成本低廉。基布走速为1
‑
8m/min，镀膜次数为1
‑
4次。
10.进一步，所述将沉积了金属镍或铜的基布电镀镍，是指将经过真空镀镍或镀铜的半成品置于电镀镍槽，进行电镀镍工序。该电镀镍工序有以下两种方法：
11.(1)采用氨基磺酸镍溶液体系，该体系的技术参数：氨基磺酸镍浓度为200
‑
600g/l、氯化镍浓度为0
‑
50g/l、硼酸浓度为10
‑
60g/l、ph为3
‑
6、温度为30
‑
70℃、电流为50
‑
500a；
12.(2)采用硫酸镍溶液体系，该体系的技术参数：硫酸镍浓度为100
‑
400g/l、氯化镍浓度为10
‑
70g/l、硼酸浓度为10
‑
60g/l、ph为3
‑
6、温度为30
‑
70℃、电流为50
‑
500a。
13.本发明之导电布，具有以下优点：电阻、屏蔽效能、耐蚀时间、镀层附着均能满足市场要求，而生产成本较低。
14.本发明之导电布的制备方法，具有以下优点：
15.1、缩短了工艺流程，降低了产品质量风险，产品合格率大幅度提升；
16.2、减少了废水排放，完全消除了含铜含磷废水的产生；
17.3、通过缩短工艺流程和减少废水排放，进而降低生产成本。
具体实施方式
18.以下结合实施例对本发明作进一步说明。
19.实施例1
20.一种制备导电布的方法，将基布用物理气相沉积(pvd)方法沉积一层金属镍，再将沉积了金属镍的基布电镀镍，电镀结束后，水洗，烘干。
21.本实施例中，所述基布是聚氨酯基布，厚度为0.05mm、裁切后宽度为1050mm、基布密度为300t。
22.本实施例中，所述物理气相沉积方法是指将基布放入真空镀膜机中镀镍，基布走速为3m/min，镀膜次数为3次。
23.本实施例中，所述电镀镍是指将经过物理气相沉积方法沉积了一层镍的基布在硫酸镍浓度为250g/l、氯化镍浓度为30g/l、硼酸浓度为30g/l、ph为4.5、温度为45℃、电流为150a的溶液中进行电镀镍，电镀3分钟。
24.本实施例制备的导电布能满足市场要求，成本较低，相关性能参数见表1。
25.表1
[0026] 电阻屏蔽效能耐蚀性能附着力测试本例导电布≤0.6ω≥60db≥72h2级
[0027]
实施例2
[0028]
一种制备导电布的方法，将基布用物理气相沉积(pvd)方法沉积一层金属铜，再将沉积了金属铜的基布电镀镍，电镀结束后经水洗烘干进行品检、包装。
[0029]
本实施例中，所述基布是聚氨酯基布，厚度为0.1mm、裁切后宽度为900mm、基布密度为230t。
[0030]
本实施例中，所述物理气相沉积方法是指将基布放入真空镀膜机中镀铜，基布走速为3m/min，镀膜次数为2次。
[0031]
本实施例中，所述电镀镍是指将经过物理气相沉积方法沉积了一层铜的基布在硫酸镍浓度为300g/l、氯化镍浓度为35g/l、硼酸浓度为35g/l、ph为4.8、温度为50℃、电流为300a的溶液中进行电镀镍，电镀3分钟。
[0032]
本实施例制备的导电布能满足市场要求，成本较低，相关性能参数见表2。
[0033]
表2
[0034] 电阻屏蔽效能耐蚀性能附着力测试本例导电布≤0.5ω≥65db≥72h2级


技术特征：
1.一种导电布，其特征在于：电阻≤2ω、屏蔽效能≥60db、耐蚀性能≥72h、附着力1
‑
2级。2.一种如权利要求1所述的导电布的制备方法，其特征在于，其工艺路线为：将基布用物理气相沉积方法沉积一层金属镍或铜，再将沉积了金属镍或铜的基布电镀镍，电镀结束后，水洗，烘干。3.根据权利要求2所述的导电布的制备方法，其特征在于，所述的基布包括聚氨酯、涤纶或pet基布，裁切至镀膜设备所需的宽度，该宽度范围是500
‑
1500mm，该基布的厚度为0.005
‑
0.5mm，该基布的密度范围为80
‑
500目或120t
‑
500t。4.根据权利要求2所述的导电布的制备方法，其特征在于，将基布放在温度为50
‑
100℃的烘厢内烘烤24
‑
72小时，以蒸发其表面水气。5.根据权利要求2所述的导电布的制备方法，其特征在于，所述用物理气相沉积方法沉积一层金属镍或铜，是指将基布放入真空镀膜机中镀镍或镀铜；基布走速为1
‑
8m/min，镀膜次数为1
‑
4次。6.根据权利要求2所述的导电布的制备方法，其特征在于，所述将沉积了金属镍或铜的基布电镀镍，是指将经过真空镀镍或镀铜的半成品置于电镀镍槽，进行电镀镍工序。7.根据权利要求6所述的导电布的制备方法，其特征在于，该电镀镍工序有以下两种方法：(1)采用氨基磺酸镍溶液体系，该体系的技术参数：氨基磺酸镍浓度为200
‑
600g/l、氯化镍浓度为0
‑
50g/l、硼酸浓度为10
‑
60g/l、ph为3
‑
6、温度为30
‑
70℃、电流为50
‑
500a；(2)采用硫酸镍溶液体系，该体系的技术参数：硫酸镍浓度为100
‑
400g/l、氯化镍浓度为10
‑
70g/l、硼酸浓度为10
‑
60g/l、ph为3
‑
6、温度为30
‑
70℃、电流为50
‑
500a。

技术总结
一种导电布及其制备方法，所述导电布：电阻≤2Ω、屏蔽效能≥60db、耐蚀性能≥72h、附着力1


技术研发人员：吴中和 吴庆锋 卢正兵 余欢喜
受保护的技术使用者：益阳市菲煌科技有限公司
技术研发日：2021.05.28
技术公布日：2021/10/19