触摸传感器和包括触摸传感器的窗口堆叠结构及图像显示设备的制作方法

触摸传感器和包括触摸传感器的窗口堆叠结构及图像显示设备
1.相关申请的交叉引用及要求优先权
2.本技术要求于2019年12月24日在韩国知识产权局(kipo)提交的韩国专利申请号10
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2019
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0173843的优先权，其全部公开内容以引用方式并入本文。
技术领域
3.本实用新型涉及一种触摸传感器和包括该触摸传感器的图像显示设备。更具体地，本实用新型涉及一种包括图案化感测电极的触摸传感器和包括该触摸传感器的图像显示设备。


背景技术：

4.随着信息技术的发展，对具有更薄尺寸、重量轻、功耗效率高等的显示设备的各种需求正在增加。该显示设备可以包括诸如液晶显示(lcd)设备、等离子显示面板(pdp)设备、电致发光显示设备、有机发光二极管(oled)显示设备等的平板显示设备。
5.还开发了能够通过用手指或输入工具选择在屏幕上显示的指令来输入用户指引的触摸面板或触摸传感器。触摸面板或触摸传感器可以与显示设备结合，从而可以在一个电子设备中实现显示和信息输入功能。
6.在触摸传感器中，由诸如用于触摸感测的金属的导电材料形成的感测电极可布置在基板上。然而，当触摸传感器被插入到显示设备中时，从图像显示设备实现的图像质量可能被感测电极降低。例如，感测电极可被用户在视觉上识别以干扰图像。
7.此外，通过感测电极的低沟道电阻对于实现高分辨率和高灵敏度的触摸感测可能是有利的。因此，需要构造具有改善的光学特性的感测电极，用于增强触摸感测的图像质量和电特性。
8.例如，如韩国专利申请公开号2014
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0092366所公开，最近已经开发了与包括触摸传感器的触摸屏面板组合的各种图像显示设备。然而，如上所述，持续需要具有改善的光学特性的触摸传感器或触摸面板。


技术实现要素：

9.根据本实用新型的一个方面，提供了一种具有改善的光学特性和电可靠性的触摸传感器。
10.根据本实用新型的一个方面，提供了一种包括该触摸传感器的图像显示设备。
11.本实用新型概念的上述方面将通过以下特征或构造来实现：
12.(1)一种触摸传感器，包括：基底层；桥接电极，其设置在基底层的顶表面上；辅助电极，其设置在桥接电极周围，以与桥接电极物理上间隔开；第一感测电极，其经由桥接电极彼此电连接；以及第二感测电极，其与第一感测电极电分离，并且布置在与第一感测电极的布置方向不同的方向上。
13.(2)根据上述(1)所述的触摸传感器，其中辅助电极包括第一辅助电极和第二辅助电极，其中在平面图中，第一感测电极叠加在第一辅助电极上，并且第二感测电极叠加在第二辅助电极上。
14.(3)根据上述(2)所述的触摸传感器，其中第一感测电极中包括第一蚀刻区域，并且第二感测电极中包括第二蚀刻区域。
15.(4)根据上述(3)所述的触摸传感器，其中辅助电极具有网格形状，所述网格形状包括聚集在其中的单元格。
16.(5)根据上述(4)所述的触摸传感器，其中第一辅助电极的单元格布置成在平面图中偏离第一蚀刻区域，并且第二辅助电极的单元格布置成在平面图中偏离第二蚀刻区域。
17.(6)根据上述(4)所述的触摸传感器，还包括布置在彼此相邻的第一辅助电极与第二辅助电极之间的分隔电极。
18.(7)根据上述(6)所述的触摸传感器，其中每个分隔电极具有来自每个单元格的一侧的片段形状。
19.(8)根据上述(2)所述的触摸传感器，其中第一辅助电极物理接触第一感测电极，并且第二辅助电极物理接触第二感测电极。
20.(9)根据上述(1)所述的触摸传感器，其中桥接电极具有曲线形状或波浪形状。
21.(10)根据上述(9)所述的触摸传感器，其中辅助电极具有网格形状，所述网格形状包括聚集在其中的单元格，并且单元格的侧面具有曲线形状或波浪形状。
22.(11)根据上述(1)所述的触摸传感器，其中辅助电极具有网格形状，所述网格形状包括聚集在其中的单元格，并且单元格的侧面具有与桥接电极相同的形状或相同的空间频率。
23.(12)根据上述(1)所述的触摸传感器，还包括部分覆盖桥接电极的绝缘图案，其中第一感测电极和第二感测电极设置在辅助电极、桥接电极和绝缘图案上。
24.(13)根据上述(12)所述的触摸传感器，其中桥接电极和辅助电极包括金属，并且第一感测电极和第二感测电极包括透明导电氧化物层和金属层的多层结构。
25.(14)根据上述(1)所述的触摸传感器，还包括部分覆盖第二感测电极的绝缘图案，其中桥接电极连接绝缘图案上的第一感测电极中的相邻第一感测电极，并且辅助电极设置在第一感测电极和第二感测电极上。
26.(15)根据上述(14)所述的触摸传感器，其中桥接电极和辅助电极包括金属，并且第一感测电极和第二感测电极包括透明导电氧化物。
27.(16)一种窗口堆叠结构，包括：窗口基板；以及根据如上实施方式所述的触摸传感器，其堆叠在窗口基板上。
28.(17)一种图像显示设备，包括：显示面板；以及根据如上实施方式所述的触摸传感器，其堆叠在显示面板上。
29.根据本实用新型实施方式的触摸传感器可包括围绕桥接电极布置的辅助电极。通过将桥接电极周围的光学环境转移到包括高频分量的空间频率环境，辅助电极可防止桥接电极被用户在视觉上识别。
30.在示例性实施方式中，辅助电极可直接接触感测电极，并且可用作促进通过桥接电极的电流流动的催化剂电极。因此，可通过降低沟道电阻来提供高灵敏度触摸感测。
31.在示例性实施方式中，感测电极中可包括蚀刻区域，并且可通过蚀刻区域减小或抑制对感测电极的电极视觉识别。在平面图中，辅助电极可设置成偏离蚀刻区域。因此，可提供改善的导电性，同时抑制由于添加辅助电极而产生的寄生电容。
附图说明
32.图1是示出根据示例性实施方式的触摸传感器的示意性截面图。
33.图2至图4是示出根据示例性实施方式的触摸传感器的桥接电极和辅助电极的构造的示意性顶视平面图。
34.图5是示出根据示例性实施方式的触摸传感器的绝缘图案的示意性顶视平面图。
35.图6是示出根据示例性实施方式的触摸传感器的感测电极的构造的示意性顶视平面图。
36.图7是示出根据示例性实施方式的第一电极、第一辅助电极和桥接电极的布置的示意性顶视平面图。
37.图8是示出根据示例性实施方式的第二电极和第二辅助电极的布置的示意性顶视平面图。
38.图9是示出根据示例性实施方式的触摸传感器的示意性顶视平面图。
39.图10是示出根据示例性实施方式的窗口堆叠结构和图像显示设备的示意性截面图。
具体实施方式
40.根据本实用新型的示例性实施方式，提供了一种触摸传感器，其包括感测电极、桥接电极和辅助电极，并且具有降低的电极可视性以及改善的电导率和灵敏度。此外，提供了一种包括该触摸传感器的窗口堆叠结构和图像显示设备。
41.在下文中，将参考附图详细地描述本实用新型。然而，本领域技术人员将理解，提供参考附图描述的此类实施方式是为了进一步理解本实用新型的精神，而不是如在具体实施方式和所附权利要求中所公开的那样限制要保护的主题。
42.在附图中，平行于触摸传感器或基底层100的顶表面并且彼此交叉的两个方向定义为第一方向和第二方向。例如，第一方向和第二方向可彼此垂直。
43.本文使用的术语“第一”、“第二”、“行方向”和“列方向”用于相对地指定彼此交叉的不同元素和方向，而不是指示绝对顺序和方向。
44.图1是示出根据示例性实施方式的触摸传感器的示意性截面图。例如，图1提供了具有底部桥构造的触摸传感器的实例。
45.参考图1，触摸传感器可在基底层100上包括桥接电极110、辅助电极120和130、绝缘图案140以及感测电极150和160。
46.基底层100可包括用于形成上述电极的支撑层或膜型基板。例如，基底层100可包括通常用于触摸传感器的膜材料。例如，基底层100可包括玻璃、聚合物和/或无机绝缘材料。聚合物可包括例如环烯烃聚合物(cop)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚丙烯酸酯(par)、聚醚酰亚胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚苯硫醚(pps)、聚烯丙酯(聚烯丙酯)、聚酰亚胺(pi)、醋酸丙酸纤维素(cap)、聚醚砜(pes)、三醋酸纤维素(tac)、聚碳酸酯
(pc)、环烯烃共聚物(coc)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)等。无机绝缘材料可包括例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属氧化物等。
47.在一些实施方式中，应用触摸传感器的图像显示设备中的层或膜构件也可用作基底层100。例如，显示面板中包括的封装层或钝化层可用作基底层100。
48.桥接电极110可设置在基底层100上。辅助电极120和130可与桥接电极110一起设置在基底层100上。
49.在示例性实施方式中，辅助电极120和130可完全围绕桥接电极110分布，并且可与桥接电极110物理地间隔开。
50.在一些实施方式中，桥接电极110和辅助电极120和130可包括金属。例如，桥接电极110和辅助电极120和130可包括银(ag)、金(au)、铜(cu)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、铬(cr)、钛(ti)、钨(w)、铌(nb)、钽(ta)、钒(v)、铁(fe)、锰(mn)、钴(co)、镍(ni)、锌(zn)、锡(sn)、钼(mo)、钙(ca)或含有其至少两种的合金(例如银
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钯
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铜(apc)或铜
‑
钙(cuca))。
51.在一个实施方式中，桥接电极110和辅助电极120和130可基本上由金属层组成。在这种情况下，可促进电流流动，并且可通过桥接电极110和辅助电极120和130容易地减小沟道电阻。
52.稍后将参照图2至图4更详细地描述桥接电极110和辅助电极120和130的布置和构造。
53.桥接电极110可部分地被绝缘图案140覆盖。在一些实施方式中，绝缘图案140可覆盖除桥接电极110的两个端部(例如接触部分)之外的部分。
54.绝缘图案140可包括无机绝缘材料(诸如二氧化硅或氮化硅)或者有机绝缘材料(诸如环氧基树脂、丙烯酸树脂、硅氧烷基树脂或聚酰亚胺基树脂)。
55.感测电极150和160可设置在桥接电极110和辅助电极120和130上。例如，感测电极150和160可布置成以互电容类型操作。
56.可沿着第一方向(例如行方向或宽度方向)布置第一感测电极150。每个第一感测电极150可具有独立的岛状图案形状，并且在第一方向上相邻的第一感测电极150可通过桥接电极110彼此电连接。例如，相邻的第一感测电极150可通过从绝缘图案140暴露的桥接电极110的接触部分彼此电连接。
57.因此，可限定在第一方向上延伸的第一感测电极行，并且可沿着第二方向(例如列方向或长度方向)布置多个第一感测电极行。
58.可沿着第二方向布置第二感测电极160。在第二方向上相邻的第二感测电极160可通过连接部分167彼此连接(参见图6)。第二感测电极160和连接部分167可整体地彼此连接，以基本上作为单个构件提供。在这种情况下，第二感测电极160和连接部分167可通过图案化工艺由相同的导电层形成，并且可位于相同的层或相同的高度。
59.因此，可限定在第二方向上延伸的第二感测电极列，并且可沿着第一方向布置多个第二感测电极列。
60.在一些实施方式中，感测电极150和160可接触辅助电极120和130。因此，可通过辅助电极120和130促进电流流动以降低沟道电阻。
61.稍后将参照图6更详细地描述感测电极150和160的形状和结构。
62.在示例性实施方式中，感测电极150和160可包括透明导电氧化物以具有增强的透
射率。例如，透明导电氧化物可包括铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、氧化锌(zno)、铟锌锡氧化物(izto)或镉锡氧化物(cto)等。这些可单独使用或其组合使用。
63.在一些实施方式中，感测电极150和160可包括包含透明导电氧化物层和金属层的多层结构。例如，第一电极层和第二电极层可各自具有透明导电氧化物
‑
金属层的双层结构或者透明导电氧化物层
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金属层
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透明导电氧化物层的三层结构。在这种情况下，可通过金属层增强柔性，并且可减小电阻，使得还可提高信号传输速度。此外，透明导电氧化物层可增强耐腐蚀性和透明度。
64.触摸传感器可进一步包括覆盖感测电极150和160的钝化层160。钝化层可包括有机绝缘材料，诸如环氧基树脂、丙烯酸树脂、硅氧烷基树脂、聚酰亚胺基树脂等，或无机绝缘材料，诸如氧化硅或氮化硅。
65.如上参考图1所述，触摸传感器可具有底部桥结构。可替代地，触摸传感器可具有顶部桥结构。
66.在这种情况下，感测电极150和160可形成在基底层100上，并且可形成绝缘图案140以覆盖包括在第二感测电极160中的连接部分167。桥接电极110可在绝缘图案140上电连接相邻的第一感测电极150，并且辅助电极120和130可围绕桥接电极110分布并设置在感测电极150和160上。
67.在具有顶部桥结构的触摸传感器的情况下，感测电极150和160可包括上述透明导电氧化物，并且桥接电极110和辅助电极120和130可包括金属。
68.在下文中，将基于具有底部桥结构的触摸传感器更详细地描述触摸传感器的电极结构/布置。
69.图2至图4是示出根据示例性实施方式的触摸传感器的桥接电极和辅助电极的构造的示意性顶视平面图。具体地，图2一起示出了桥接电极和辅助电极。图3是第一辅助电极的单个顶视平面图。图4是第二辅助电极的单个顶视平面图。
70.参考图2至图4，如上所述，桥接电极110和辅助电极120和130可一起形成在基底层100的顶表面上。
71.例如，桥接电极110可具有曲线形状或波浪形状的波形。辅助电极120和130可围绕桥接电极110，并且可与桥接电极110物理地分离。
72.辅助电极120和130可具有其中聚集有单元格的网格形状。在一些实施方式中，单元格可以z字形布置，使得相邻单元格的顶点偏移或交错。因此，可提供单元格在布置上的不规则性，使得可减少由于与触摸传感器下方的显示面板中包括的像素重叠而导致的莫尔现象。
73.单元格的每一侧可具有曲线形状或波浪形状。在示例性实施方式中，单元格的每一侧可具有与桥接电极110基本相同或相似的形状。
74.根据示例性实施方式，单元格的侧面可形成为具有与桥接电极110相同的空间频率。
75.辅助电极120和130可包括第一辅助电极120和第二辅助电极130。第一辅助电极120和第二辅助电极130可电极和物理地彼此分离。
76.如图3中独立地示出，第一辅助电极120可沿着第一方向布置。在示例性实施方式中，多个第一辅助电极120可布置成在其中可设置第二感测电极160的连接部分167的区域
下彼此分离。因此，第一辅助电极120可沿着第一感测电极行的延伸方向布置。
77.如图4中独立地示出，第二辅助电极130可沿着第二方向布置。在示例性实施方式中，多个第二辅助电极130可布置成在设置桥接电极110的区域周围彼此分离。因此，第二辅助电极130可沿着第二感测电极列的延伸方向布置。
78.如图3和图4所示，具有单元格一侧的片段形状的分隔电极125和135可布置用于：围绕第一辅助电极120和第二辅助电极130的外围，第一辅助电极120与第二辅助电极130之间相互分离。
79.例如，第一分隔电极125可围绕第一辅助电极120的外围布置。第二分隔电极135可围绕第二辅助电极130的外围布置。
80.如上所述，包括与桥接电极110的空间频率或形状基本相同或相似的侧面的辅助电极120和130可设置在包括金属的桥接电极110周围。因此，桥接电极110的周围环境可填充有高频分量，并且可转移到不可被用户在视觉上识别的空间频率范围。因此，可减小或抑制由于桥接电极110引起的电极视觉识别。
81.图5是示出根据示例性实施方式的触摸传感器的绝缘图案的示意性顶视平面图。
82.参考图5，绝缘图案140可具有与桥接电极110基本相同或类似的形状。例如，绝缘图案140还可具有曲线形状或波浪形状。
83.如上所述，绝缘图案140可暴露桥接电极110的两端并覆盖桥接电极110。
84.图6是示出根据示例性实施方式的触摸传感器的感测电极的构造的示意性顶视平面图。
85.参考图6，如参考图1所述，触摸传感器可包括第一感测电极150和第二感测电极160。第二感测电极160可沿着第二方向通过连接部分167整体地彼此连接。第一感测电极150可布置成在第一方向上彼此间隔开。
86.在示例性实施方式中，蚀刻区域155和165可形成在感测电极150和160的内部。第一蚀刻区域155可形成在第一感测电极150的内部，并且第二蚀刻区域165可形成在第二感测电极160的内部。
87.本技术中使用的术语“蚀刻区域”可指通过蚀刻预定形状的导电层或导电图案的内部而去除的区域或空间。在示例性实施方式中，蚀刻区域可具有诸如狭缝、孔或开口的形状。
88.在一些实施方式中，蚀刻区域155和165可形成为具有弯曲或曲线形状的狭缝。蚀刻区域155和165的曲线形状可包括正弦曲线、余弦曲线、圆锥曲线、悬链线、追踪曲线、摆线、次摆线、心形线等。
89.蚀刻区域155和165可规则且重复地布置。例如，蚀刻区域155和165可沿着假想矩形(例如假想正方形)的边布置。
90.如图6所示，蚀刻区域155和165可具有其中对应于一个周期的水波在假想正方形的顶点之间被分割的形状。在一个实施方式中，假想正方形可以之字形布置，使得顶点偏移或交错。
91.虚设图案170可形成在彼此相邻的第一感测电极150与第二感测电极160之间。虚设图案170可由沿着第一感测电极150和第二感测电极160的外围延伸的分离区域172限定。分离区域172可具有与第一和第二蚀刻区域155和165基本相同或相似的波形。因此，虚设图
案170可具有与感测电极150和160内部的导电图案的形状基本相同或相似的形状(例如具有被转换成水波的四边的四边形)。
92.另外，感测电极150和160内部的导电图案的形状可类似于包括在辅助电极120和130中的单元格(参见图2和图3)的形状。因此，可提高触摸传感器中电极结构的均匀性，使得可防止由于图案形状的局部偏差而导致的电极视觉识别。
93.根据上述示例性实施方式，蚀刻区域155和165可形成在每个感测电极150和160的内部。因此，可防止或减少由感测电极150和160与包括在显示面板中的像素结构的规则重叠引起的莫尔现象。例如，由感测电极150和160与像素结构之间的重叠产生的空间频率可被蚀刻区域155和165抑制或抵消。
94.此外，蚀刻区域155和165可用作光狭缝，使得可通过光衍射或散射更有效地抑制莫尔现象，并且可防止感测电极150和160被用户在视觉上识别。
95.图7是示出根据示例性实施方式的第一电极、第一辅助电极和桥接电极的布置的示意性顶视平面图。
96.参考图7，在平面图中，第一感测电极150可叠加在第一辅助电极120上。在示例性实施方式中，第一感测电极150可接触第一辅助电极120。因此，第一辅助电极120可促进通过第一感测电极150的电流流动，并且可用作可集中或促进通过桥接电极110的电流流动的催化剂电极。
97.在一些实施方式中，在平面图中，包括在第一辅助电极120中的单元格的每一侧可不与包括在第一感测电极150中的第一蚀刻区域155重叠。例如，包括在第一辅助电极120中的单元格的每一侧可与第一蚀刻区域155偏移或对称。第一辅助电极120可布置成避开第一蚀刻区域155，使得可防止通过添加第一辅助电极120而导致的寄生电容，而不会降低第一蚀刻区域155的光学狭缝效果。
98.图8是示出根据示例性实施方式的第二电极和第二辅助电极的布置的示意性顶视平面图。
99.参考图8，在平面图中，第二感测电极160可叠加在第二辅助电极130上。在示例性实施方式中，第二感测电极160可接触第二辅助电极130。因此，第二辅助电极130可用作催化剂电极，其可促进通过第二感测电极160的电流流动。
100.在一些实施方式中，在平面图中，包括在第二辅助电极130中的单元格的每一侧可不与包括在第二感测电极160中的第二蚀刻区域165重叠。例如，包括在第二辅助电极130中的单元格的每一侧可与第二蚀刻区域165偏移或对称。第二辅助电极130可布置成避开第二蚀刻区域165，使得可防止通过添加第二辅助电极130而导致的寄生电容，而不会降低第二蚀刻区域165的光学狭缝效果。
101.图9是示出根据示例性实施方式的触摸传感器的示意性顶视平面图。具体地，图9是顶视平面图，其中桥接电极110、辅助电极120和130以及感测电极150和160一起投影在同一平面上。
102.参考图9，如上所述，辅助电极120和130可接触桥接电极110周围的感测电极150和160，并且可布置成偏离蚀刻区域155和165。
103.因此，在触摸传感器的平面图中的导电图案的布置可完全被转换成可能不被用户识别的高频分量，使得可有效地抑制电极视觉识别。
104.图10是示出根据示例性实施方式的窗口堆叠结构和图像显示设备的示意性截面图。
105.参考图10，窗口堆叠结构250可包括如上所述的根据示例性实施方式的窗口基板230、偏振层210和触摸传感器200。
106.窗口基板230可包括例如硬涂膜。在一个实施方式中，可在窗口基板230的表面的外围部分上形成遮光图案235。遮光图案235可包括彩色印刷的图案，并且可具有单层或多层结构。图像显示设备的边框部分或非显示区域可由遮光图案235限定。
107.偏振层210可包括涂覆型偏振器或偏振板。涂覆型偏振器可包括液晶涂层，所述液晶涂层可包括可交联的液晶化合物和二色性染料。在这种情况下，偏振层210可包括用于提供液晶涂层取向的对准层。
108.例如，偏振板可包括聚乙烯醇基偏振器和附接到聚乙烯醇基偏振器的至少一个表面的保护膜。
109.偏振层210可直接附接到窗口基板230的表面或者可经由第一粘合剂层220附接。
110.触摸传感器200可作为膜或面板包括在窗口堆叠结构250中。在一个实施方式中，触摸传感器200可经由第二粘合剂层225与偏振层210组合。
111.如图10所示，从观看者侧看，窗口基板230、偏振层210和触摸传感器200可顺序定位。在这种情况下，触摸传感器200的感测电极可设置在偏振层210下方，使得可有效地防止观看者识别电极图案。
112.如果触摸传感器200包括基板，则该基板可包括例如，三乙酰纤维素、环烯烃、环烯烃共聚物、聚降冰片烯共聚物等，并且优选地可具有
±
2.5nm或更小的面内延迟值。
113.在一个实施方式中，触摸传感器200可直接转移到窗口基板230或偏振层210。在一个实施方式中，从观看者侧看，窗口基板230、触摸传感器200和偏振层210可顺序定位。
114.图像显示设备可包括显示面板360和设置在显示面板360上的窗口堆叠结构250。
115.显示面板360可包括设置在面板基板300上的像素电极310、像素定义层320、显示层330、相对电极340和封装层350。
116.可在面板基板300上形成包括薄膜晶体管(tft)的像素电路，并且可形成覆盖像素电路的绝缘层。像素电极310可电连接到例如绝缘层上的tft的漏极电极。
117.像素定义层320可形成在绝缘层上，并且像素电极310可通过像素定义层320暴露以使得可定义像素区域。显示层330可形成在像素电极310上，并且显示层330可包括例如液晶层或有机发光层。
118.相对电极340可设置在像素限定层320和显示层330上。相对电极340可用作例如图像显示设备的公共电极或阴极。封装层350可设置在相对电极340上以保护显示面板360。
119.在一些实施方式中，显示面板360和窗口堆叠结构250可通过粘合剂层260彼此组合。例如，粘合剂层260的厚度可大于第一粘合剂层220和第二粘合剂层225的每个厚度。在
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20℃至80℃的温度范围下，粘合剂层260的粘弹性可以是约0.2mpa或更小。在这种情况下，可阻挡来自显示面板360的噪声，并且可减轻弯曲时的界面应力，使得可避免窗口堆叠结构250的损坏。在一个实施方式中，粘合剂层260的粘弹性可在约0.01mpa至约0.15mpa的范围内。
120.触摸传感器200可包括根据如上所述的示例性实施方式的辅助电极和感测电极的
构造，使得可实现改善的触摸灵敏度，同时防止来自显示面板360的图像质量下降。
121.在下文中，提出了优选的实施例，以更具体地描述本实用新型。然而，仅给出以下实施例，用于说明本实用新型，并且相关领域的技术人员将明显地理解，在本实用新型的范围和精神内，各种改变和修改是可能的。此类改变和修改正式地包括在所附权利要求中。
122.实施例
123.在cop基板上图案化金属膜(铜合金膜)，以形成如图2所示包括波状线的桥接电极和辅助电极。桥接电极和辅助电极的线宽为4μm且厚度为
124.此外，形成部分覆盖桥接电极的丙烯酸绝缘图案，并且沉积和图案化ito层以形成第一和第二感测电极(厚度：)，从而具有图6和图9所示的形状。在感测电极中形成的蚀刻区域的每个线宽为10μm。
125.比较例
126.除了省略辅助电极之外，通过与实施例中相同的方法制造了触摸传感器。
127.向实施例和比较例的每个触摸传感器施加电流，以测量寄生电容、第一感测电极的电阻和第二感测电极的电阻。结果在表1中示出。
128.[表1]
[0129] 寄生电容(pf)第一感测电极的电阻(ω)第二感测电极的电阻(ω)实施例0.8530.544.0比较例0.8458.878.5
[0130]
参考表1，在显著降低感测电极的电阻的同时，基本上抑制了由于添加辅助电极而导致的寄生电容增加。