技术特征：
1.一种半导体装置，包括：一互连结构，嵌在一第一金属化层中，该第一金属化层包括一介电材料，该互连结构包括一第一金属材料；以及一第一衬垫结构，嵌在该第一金属化层中，其中该第一衬垫结构沿着该第一金属化层中的该互连结构的一或多个边界延伸，及其中该第一衬垫结构包括与一或多种掺质反应的一第二金属材料，该第二金属材料不同于该第一金属材料。
技术总结
半导体装置，包含嵌在第一金属化层中的互连结构，第一金属化层包含介电材料。互连结构包含第一金属材料。半导体装置包含嵌在第一金属化层中的第一衬垫结构。第一衬垫结构沿着第一金属化层中的互连结构的一或多个边界延伸。第一衬垫结构包含与一或多种掺质反应的第二金属材料，第二金属材料不同于第一金属材料。第二金属材料不同于第一金属材料。第二金属材料不同于第一金属材料。
技术研发人员：叶菁馥 詹佑晨 骆冠宇 卢孟珮 彭兆贤 杨士亿 李明翰 李书玮
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.06.17
技术公布日：2021/10/28
再多了解一些
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