低介电共聚聚酰亚胺薄膜及其制备方法与流程

技术特征：
1.低介电共聚聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：s1：将芳香族二胺、芳香族二酐以及含芴结构的二胺单体加入极性溶剂中配置成质量浓度为10～20％的聚酰胺酸溶液，其中氨基总量与酸酐基总量的摩尔比为1：1，其中含芴结构的二胺单体提供的氨基数在总的氨基数中所占的摩尔百分数为10～50％；将聚酰胺酸溶液置于n2氛中于室温下搅拌6～12h，搅拌至粘稠后均匀流延至玻璃板上，之后置于真空干燥箱中除气泡并干燥，除气泡时间为3～10min；所述芳香族二胺为4,4'
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二氨基二苯醚、1,4
‑
双(4
‑
氨基
‑2‑
三氟甲基苯氧基)苯、2,2'
‑
二(三氟甲基)二氨基联苯中的任意一种；所述芳香族二酐为均苯四甲酸二酐、联苯四甲酸二酐、六氟二酐、双酚a型二醚二酐中的任意一种；s2：将经步骤s1处理之后的玻璃板置于鼓风干燥箱中进行程序升温热处理，以实现酰胺化，程序升温的温度范围为80～300℃，升温速率控制在2～6℃/min；s3：使经步骤s2处理之后的玻璃板冷却至室温后，将玻璃板放入水中剥膜，然后将剥下的薄膜进行真空干燥，得到共聚聚酰亚胺薄膜。2.根据权利要求1所述的低介电共聚聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s1中的极性溶剂为n,n
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二甲基甲酰胺、n,n
‑
二甲基乙酰胺、n
‑
甲基吡咯烷酮中的任意一种。3.根据权利要求1所述的低介电共聚聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s2中程序升温具体如下：依次升温至80℃、100℃、200℃和300℃，并在80℃、100℃、200℃和300℃温度条件下各保温1h。4.根据权利要求1所述的低介电共聚聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，步骤s1中的含芴结构的二胺单体为9,9
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双(3
‑
氟
‑4‑
氨基苯基)芴。5.权利要求1
‑
4中任意一项所述的制备方法制备的共聚聚酰亚胺薄膜。6.权利要求5所述的共聚聚酰亚胺薄膜在集成电路及微电子封装材料中的应用。

技术总结
本发明涉及集成电路及微电子封装技术领域，公开了低介电共聚聚酰亚胺薄膜的制备方法，将芳香族二胺、芳香族二酐以及含芴结构的二胺单体配置成聚酰胺酸溶液，搅拌聚酰胺酸溶液，流延后除气泡并干燥，之后进行程序升温热处理、剥膜和干燥；还公开了共聚聚酰亚胺薄膜和应用。本发明制备方法简单、易推广、实用性强，制备的低介电共聚聚酰亚胺薄膜含芴结构，有效降低了聚酰亚胺的介电常数，并保持了其良好的耐热性和较好的机械性能，本发明的聚酰亚胺在102Hz频率下的介电常数从传统聚酰亚胺的3.0降低至2.6，且随频率的升高介电常数逐渐降低，最低值可低至1.82(f＝107Hz)，使得本发明的聚酰亚胺薄膜在集成电路、微电子封装等领域具有巨大的应用潜力。具有巨大的应用潜力。具有巨大的应用潜力。


技术研发人员：查俊伟 董晓迪 郑明胜
受保护的技术使用者：北京科技大学
技术研发日：2021.07.07
技术公布日：2021/10/28