一种基于MOSFET管的高压放电电路的制作方法

技术特征：
1.一种基于mosfet管的高压放电电路，包括电荷输入端hv和通断控制单元(1)，其特征在于：所述电荷输入端hv连接限流电阻阵列rn，同时限流电阻阵列rn分别连接二极管d1与mosfet管q1的漏极，二极管d1连接串联的稳压管z1与稳压管z2后，与通断控制单元(1)连接，mosfet管q1的源极分别连接二极管d2与mosfet管q2的漏极，mosfet管q1的栅极与通断控制单元(1)连接，二极管d2连接串联的稳压管z3与稳压管z4后，与通断控制单元(1)连接，mosfet管q2的源极分别连接二极管d3与mosfet管q3的漏极，mosfet管q2的栅极与通断控制单元(1)连接。2.根据权利要求1所述的一种基于mosfet管的高压放电电路，其特征在于：所述二极管d3连接串联的稳压管z5与稳压管z6后，与通断控制单元(1)连接，mosfet管q3的源极分别连接二极管d4与mosfet管q4的漏极，mosfet管q3的栅极与通断控制单元(1)连接。3.根据权利要求2所述的一种基于mosfet管的高压放电电路，其特征在于：所述二极管d4连接串联的稳压管z7与稳压管z8后，与通断控制单元(1)连接，mosfet管q4的源极分别连接二极管d5与mosfet管q5的漏极。4.根据权利要求3所述的一种基于mosfet管的高压放电电路，其特征在于：所述mosfet管q4的栅极与通断控制单元(1)连接，二极管d5连接串联的稳压管z9与稳压管z10后，与通断控制单元(1)连接。5.根据权利要求4所述的一种基于mosfet管的高压放电电路，其特征在于：所述mosfet管q5的源极分别连接二极管d6与mosfet管q6的漏极，mosfet管q5的栅极与通断控制单元(1)连接。6.根据权利要求5所述的一种基于mosfet管的高压放电电路，其特征在于：所述二极管d6连接串联的稳压管z11与稳压管z12后，与通断控制单元(1)连接，mosfet管q6的源极连接地。

技术总结
本实用新型公开了一种基于MOSFET管的高压放电电路，包括电荷输入端HV和通断控制单元，所述电荷输入端HV连接限流电阻阵列Rn，同时限流电阻阵列Rn分别连接二极管D1与MOSFET管Q1的漏极。本基于MOSFET管的高压放电电路，通过在放电回路中串联六个或以上的MOSFET管Q，以保证在5000V高压下，MOSFET管Q不过流，限流电阻不小于5kΩ，同时在电路中串联两个稳压管Z，以构成合适的稳压幅值，因而可以根据不同的高压环境，通过一个或者多个MOSFET管Q串联构成放电通路，再选择合适的限流电阻阵列Rn，以大大提高放电效率，降低放电回路对主路的影响。响。响。


技术研发人员：陆文兴 刘坤 汪钢 吴斌
受保护的技术使用者：常州市致新精密电子有限公司
技术研发日：2020.12.31
技术公布日：2021/10/23