一种日盲型紫外光电探测器及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种日盲型紫外光电探测器，其特征在于，包括：导电基底，其上开设有沟道；ga2o3纳米柱阵列，其位于所述沟道上；聚甲基丙烯酸甲酯层，其覆盖所述ga2o3纳米柱阵列。2.如权利要求1所述的日盲型紫外光电探测器，其特征在于，所述导电基底为fto导电玻璃。3.一种如权利要求1～2任一所述的日盲型紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供导电基底；配制含镓前驱体溶液；配制聚甲基丙烯酸甲酯溶液；将导电基底位于沟道之外的部分进行遮挡，然后将导电基底置于含镓前驱体溶液中，进行水热反应，即在导电基底的沟道上制备得到ga2o3纳米柱阵列；将聚甲基丙烯酸甲酯溶液涂覆在导电基底的沟道上并覆盖ga2o3纳米柱阵列，干燥后即形成聚甲基丙烯酸甲酯层。4.如权利要求3所述的日盲型紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，配制含镓前驱体溶液具体为：将镓盐加入至水中，混合均匀即得含镓前驱体溶液。5.如权利要求3所述的日盲型紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，配制聚甲基丙烯酸甲酯溶液具体为：将聚甲基丙烯酸甲酯溶于至氯苯中即得聚甲基丙烯酸甲酯溶液。6.如权利要求3所述的日盲型紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，将导电基底置于含镓前驱体溶液中进行水热反应之前还包括：将导电基底置于紫外臭氧仪下照射40～50min。7.如权利要求3所述的日盲型紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，将聚甲基丙烯酸甲酯溶液涂覆在导电基底的沟道上之前还包括：将导电基底于500～600℃下退火1～3h。8.如权利要求5所述的日盲型紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，所述聚甲基丙烯酸甲酯溶液的浓度为4～20mg/ml，所述水热反应的温度为130～170℃、反应时间为1～3h。9.如权利要求3所述的日盲型紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，将聚甲基丙烯酸甲酯溶液涂覆在导电基底的沟道上并覆盖ga2o3纳米柱阵列，干燥后即形成聚甲基丙烯酸甲酯层具体为：将80～120μl的聚甲基丙烯酸甲酯溶液滴在沟道上并覆盖ga2o3纳米柱阵列，然后于2000～4000r/min的转速下，旋涂20～40s，再于80～120℃下干燥20～40min，即得聚甲基丙烯酸甲酯层。10.如权利要求4所述的日盲型紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，所述镓盐为硝酸镓，所述硝酸镓与水的质量体积比为(0.2～0.6)g:(20～40)ml。

技术总结
本发明提供了一种日盲型紫外光电探测器及其制备方法，该日盲型紫外光电探测器，包括：导电基底，其上开设有沟道；Ga2O3纳米柱阵列，其位于所述沟道上；聚甲基丙烯酸甲酯层，其覆盖Ga2O3纳米柱阵列。本发明的日盲型紫外光电探测器，Ga2O3具有高的热稳定性和化学稳定性，其禁带宽度约为4.9eV，只对日盲区的深紫外光敏感，相比传统使用AlGaN、MgZnO等材料，Ga2O3不需要任何掺杂来调节带隙，避免了合金相的成分波动和相分离；而使用的聚甲基丙烯酸甲酯层，使得日盲型紫外光电探测器具有较低的暗电流，在低光强下仍具有较高的开关比。在低光强下仍具有较高的开关比。在低光强下仍具有较高的开关比。


技术研发人员：沈谅平 危家昀 邹海伦 周海 王浩
受保护的技术使用者：湖北大学
技术研发日：2021.07.20
技术公布日：2021/10/23