显示装置的制作方法

显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年4月22日在韩国知识产权局提交的第10
‑
2020
‑
0048860号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部并入在本文中。
技术领域
3.一个或多个示例实施例的各方面涉及显示装置。


背景技术：

4.随着用于可视地表达各种电信号信息的显示器的快速发展，已经引入了具有相对优异特性(诸如薄廓形、轻质和低功耗)的各种平板显示装置。另外，最近，已经引入了在其前部没有物理按钮等的显示装置和扩大的图像显示区域。
5.在该背景技术部分中公开的上述信息仅是为了加强对技术背景的理解，并且因此在该背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。


技术实现要素：

6.一个或多个示例实施例的各方面包括一种即使在诸如相机和传感器的电子元件所位于的区域中也能够显示图像的显示装置。
7.附加方面将部分地在下面的描述中进行阐述，并部分地根据该描述将是明显的，或者可以由本公开的所给出的示例实施例的实施而获知。
8.根据一个或多个示例实施例，一种显示装置包括：第一显示区域，所述第一显示区域包括主子像素；第二显示区域，所述第二显示区域包括彼此间隔开的像素组和位于所述像素组之间的透射部分，所述第二显示区域具有与所述第一显示区域的分辨率不同的分辨率；以及延伸线，所述延伸线布置在所述像素组之中的在第一方向上彼此相邻的两个像素组之间并且在所述第一方向上延伸，其中，所述像素组中的每一个包括多个辅助子像素和多条水平线，所述多条水平线电连接到所述多个辅助子像素并且在所述第一方向上延伸，所述延伸线电连接到包括在所述两个像素组中的每一个中的所述水平线，并且所述延伸线的数目可以小于所述水平线的数目。
9.根据一些示例实施例，所述延伸线之中的两条相邻的延伸线可以位于不同的层上。
10.根据一些示例实施例，在平面上，布置所述延伸线的区域在垂直于所述第一方向的第二方向上的宽度可以小于布置所述水平线的区域在所述第二方向上的宽度，所述第二方向垂直于所述第一方向。
11.根据一些示例实施例，所述多个辅助子像素中的每一个包括像素电路和电连接到所述像素电路的显示元件，所述像素电路包括配置为将驱动电流供应到所述显示元件的驱动薄膜晶体管、配置为使所述驱动薄膜晶体管的驱动栅极电极的电压初始化的第一初始化薄膜晶体管和配置为使所述显示元件的像素电极初始化的第二初始化薄膜晶体管，并且所
述水平线包括配置为将初始化电压传输到所述第一初始化薄膜晶体管的第一初始化电压线和配置为将所述初始化电压传输到所述第二初始化薄膜晶体管的第二初始化电压线，其中，所述第一初始化电压线和所述第二初始化电压线可以通过第一连接线彼此电连接。
12.根据一些示例实施例，所述像素电路还包括开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管配置为将数据信号传输到所述驱动薄膜晶体管的驱动源极电极，并且所述水平线还包括配置为将前一扫描信号传输到所述第一初始化薄膜晶体管的第一扫描线、电连接到所述开关薄膜晶体管的开关栅极电极的第二扫描线和电连接到所述第二初始化薄膜晶体管的第二初始化栅极电极的第三扫描线，其中，所述第二扫描线和所述第三扫描线通过第二连接线彼此电连接，并且相同的扫描信号可以施加到所述第二扫描线和所述第三扫描线。
13.根据一些示例实施例，所述第一连接线和所述第二连接线中的至少一个可以位于与所述水平线所在的层不同的层上。
14.根据一些示例实施例，所述像素组中的每一个包括第一行和第二行，所述多个辅助子像素在所述第一行和所述第二行中在所述第一方向上布置，其中，所述第一行中的第一辅助子像素和所述第二行中的第二辅助子像素布置为在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此相邻，并且所述第二初始化电压线和所述第三扫描线可以由所述第一辅助子像素和所述第二辅助子像素共享。
15.根据一些示例实施例，所述第二初始化电压线和所述第三扫描线可以各自电连接到所述第二辅助子像素的所述第一初始化薄膜晶体管。
16.根据一些示例实施例，所述水平线还可以包括第三初始化电压线，所述第三初始化电压线在所述第一方向上与所述第二行交叉，并且初始化电压沿着所述第三初始化电压线施加到所述第二辅助子像素的所述第二初始化薄膜晶体管，其中，所述第三初始化电压线可以电连接到所述第一连接线。
17.根据一些示例实施例，所述水平线还可以包括第一发射控制线和第二发射控制线，所述第一发射控制线在所述第一方向上与所述第一行交叉，所述第二发射控制线在所述第一方向上与所述第二行交叉，其中，所述第一发射控制线和所述第二发射控制线彼此电连接，使得相同的发射控制信号可以传输到所述第一辅助子像素和所述第二辅助子像素。
18.根据一些示例实施例，所述第二显示区域可以被所述第一显示区域包围。
19.根据一个或多个示例实施例，一种显示装置包括：显示面板，所述显示面板具有第一显示区域和第二显示区域，所述第一显示区域和所述第二显示区域具有彼此不同的分辨率；以及电子元件，所述电子元件与所述显示面板的所述第二显示区域对应，其中，所述显示面板包括：基板；多个主子像素，所述多个主子像素在所述第一显示区域中位于所述基板上；多个像素组，所述多个像素组在所述第二显示区域中位于所述基板上并且彼此间隔开；以及延伸线，所述延伸线布置在所述像素组之中的在第一方向上彼此相邻的两个像素组之间并且在所述第一方向上延伸，其中，所述像素组中的每一个包括多个辅助子像素和多条水平线，所述多条水平线电连接到所述多个辅助子像素并且在所述第一方向上延伸，并且所述延伸线电连接到包括在所述两个像素组中的每一个中的所述水平线。在平面上，布置所述延伸线的区域在第二方向上的宽度可以小于布置所述水平线的区域在所述第二方向上的宽度，所述第二方向垂直于所述第一方向。
20.根据一些示例实施例，所述延伸线之中的两条相邻的延伸线可以位于不同的层上。
21.根据一些示例实施例，所述多个辅助子像素中的每一个包括像素电路和电连接到所述像素电路的显示元件，所述像素电路包括配置为将驱动电流供应到所述显示元件的驱动薄膜晶体管、配置为使所述驱动薄膜晶体管的驱动栅极电极的电压初始化的第一初始化薄膜晶体管和配置为使所述显示元件的像素电极初始化的第二初始化薄膜晶体管，并且所述水平线包括配置为将初始化电压传输到所述第一初始化薄膜晶体管的第一初始化电压线和配置为将所述初始化电压传输到所述第二初始化薄膜晶体管的第二初始化电压线，其中，所述第一初始化电压线和所述第二初始化电压线可以通过第一连接线彼此电连接。
22.根据一些示例实施例，所述像素电路还包括开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管配置为将数据信号传输到所述驱动薄膜晶体管的驱动源极电极，并且所述水平线还包括配置为将前一扫描信号传输到所述第一初始化薄膜晶体管的第一扫描线、电连接到所述开关薄膜晶体管的开关栅极电极的第二扫描线和电连接到所述第二初始化薄膜晶体管的第二初始化栅极电极的第三扫描线，其中，所述第二扫描线和所述第三扫描线通过第二连接线彼此电连接，并且相同的扫描信号可以施加到所述第二扫描线和所述第三扫描线。
23.根据一些示例实施例，所述像素组中的每一个包括第一行和第二行，所述多个辅助子像素在所述第一行和所述第二行中在所述第一方向上布置，其中，包括在所述第一行中的第一辅助子像素和包括在所述第二行中的第二辅助子像素在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此相邻，并且所述第二初始化电压线和所述第三扫描线可以电连接到所述第二辅助子像素的所述第一初始化薄膜晶体管。
24.根据一些示例实施例，所述水平线还可以包括第三初始化电压线，所述第三初始化电压线在所述第一方向上与所述第二行交叉，并且初始化电压沿着所述第三初始化电压线施加到所述第二辅助子像素的所述第二初始化薄膜晶体管，其中，所述第三初始化电压线可以电连接到所述第一连接线。
25.根据一些示例实施例，所述水平线还可以包括第一发射控制线和第二发射控制线，所述第一发射控制线在所述第一方向上与所述第一行交叉，所述第二发射控制线在所述第一方向上与所述第二行交叉，其中，所述第一发射控制线和所述第二发射控制线彼此电连接，使得相同的发射控制信号可以传输到所述第一辅助子像素和所述第二辅助子像素。
26.根据一些示例实施例，所述延伸线的数目可以小于所述水平线的数目。
27.根据一些示例实施例，所述电子元件可以包括成像装置。
附图说明
28.根据结合附图进行的下述描述，本公开的某些示例实施例的上述和其它方面、特征及特性将更加明显，在附图中：
29.图1是根据一些示例实施例的显示装置的立体图；
30.图2是根据一些示例实施例的沿着图1的线a
‑
a'截取的显示装置的截面的示例的截面图；
31.图3是根据一些示例实施例的图1的显示装置的显示面板的示例的平面图；
32.图4是根据一些示例实施例的图3的显示面板的修改的平面图；
33.图5是根据一些示例实施例的沿着图3的线i
‑
i'和线ii
‑
ii'截取的显示面板的截面的示例的截面图；
34.图6是根据一些示例实施例的沿着图3的线i
‑
i'和线ii
‑
ii'截取的显示面板的截面的另一示例的截面图；
35.图7是根据一些示例实施例的沿着图3的线i
‑
i'和线ii
‑
ii'截取的显示面板的截面的另一示例的截面图；
36.图8是根据一些示例实施例的图1的第二显示区域中的子像素和透射部分的布置的示例的平面图；
37.图9是根据一些示例实施例的图8的一个子像素的等效电路图；
38.图10是根据一些示例实施例的图8的子像素的像素电路部分的结构的平面图；
39.图11是根据一些示例实施例的图8的一个像素组的平面图；
40.图12是根据一些示例实施例的沿着图11的线iii
‑
iii'截取的像素组的截面的示例的截面图；
41.图13是根据一些示例实施例的图1的第二显示区域中的子像素和透射部分的布置的示例的平面图；
42.图14和图15是根据一些示例实施例的图13的一个像素组的平面图；
43.图16是根据一些示例实施例的图14的部分c的示例的截面图；
44.图17是根据一些示例实施例的沿着图14的线iv
‑
iv'截取的像素组的截面的示例的截面图；
45.图18和图20是根据一些示例实施例的布置在图1的第二显示区域中的子像素的示例的平面图；
46.图19是沿着图18的线v
‑
v'截取的子像素的截面的示例的截面图，并且图21是根据一些示例实施例的沿着图20的线vi
‑
vi'截取的子像素的截面的示例的截面图；
47.图22和图23是根据一些示例实施例的布置在图4的第二显示区域中的子像素的示例的平面图；
48.图24和图25是根据一些示例实施例的布置在图1的第二显示区域中的子像素的示例的平面图；
49.图26和图27是根据一些示例实施例的布置在图4的第二显示区域中的子像素的示例的平面图；以及
50.图28、图29和图30是根据一些示例实施例的布置在图1的第二显示区域中的子像素的示例的平面图。
具体实施方式
51.现在将更详细地参考在附图中示出的一些示例实施例的各方面，在附图中相同的附图标记始终指代相同的元件。在这方面，根据本公开的实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于在本文中阐述的描述。相应地，下面仅通过参考附图描述实施例以解释本描述的各方面。如在本文中使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或多个的任一和所有组合。贯穿本公开，“a、b和c中的至少一个(种)”的表述指示仅a，仅b，仅c，a和b两者，
a和c两者，b和c两者，全部a、b和c或它们的变型。
52.因为本公开可以具有各种修改的实施例，所以示例实施例在附图中示出并且在详细描述中进行描述。当参考参照附图描述的实施例时，本公开的效果和特征以及实现这些效果和特征的方法将是明显的。然而，本公开可以以许多不同形式实施，并且不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。
53.将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。
54.除非表述在上下文中具有明显不同含义，否则以单数使用的表述涵盖复数的表述。
55.还将理解的是，在本文中使用的术语“包括(comprises和/或comprising)”说明所陈述的特征或元件的存在，但是不排除一个或多个其它特征或元件的存在或附加。
56.将理解的是，当层、区或元件被称为“形成在”在另一层、区或元件“上”时，层、区或元件可以直接或间接地形成在另一层、区或元件上。即，例如，可以存在中间层、区或元件。
57.为了便于解释，可能夸大了附图中的元件的尺寸。换言之，因为为了便于解释而任意地示出附图中的组件的尺寸和厚度，因此下述实施例不限于此。
58.在下文中，将参照附图更详细地描述实施例。相同的附图标记用于表示相同的元件。
59.图1是根据一些示例实施例的显示装置1的立体图。
60.参照图1，显示装置1包括用于实现图像的第一显示区域da1和不用于实现图像的非显示区域nda。显示装置1可以使用从布置在第一显示区域da1中的多个主子像素pm发射的光提供主图像。在说明书中，子像素是可以发射诸如红色、绿色、蓝色和白色的一种颜色的光的区域，并且是指构成图像的最小单位。
61.显示装置1包括第二显示区域da2。第二显示区域da2可以是布置了诸如使用可见光、红外光和声音的传感器和/或相机的组件的区域。第二显示区域da2可以包括透射部分ta，从组件输出到外部或从外部朝向组件行进的光和/或声音可以穿过透射部分ta。根据一些示例实施例，当光透射通过第二显示区域da2时，透光率可以是大约30％或更大、大约50％或更大、大约75％或更大、大约80％或更大、大约85％或更大或者大约90％或更大。
62.根据一些示例实施例，多个辅助子像素pa可以布置在第二显示区域da2中，并且可以使用从多个辅助子像素pa发射的光提供特定图像。由第二显示区域da2提供的作为子图像的图像可以具有比由第一显示区域da1提供的图像的分辨率低的分辨率。即，因为第二显示区域da2具有光和/或声音可以穿过的透射部分ta，所以每单位面积可以布置的辅助子像素pa的数目可以小于在第一显示区域da1中每单位面积布置的主子像素pm的数目。
63.第二显示区域da2可以布置在第一显示区域da1的一侧上。根据一些示例实施例，图1示出第二显示区域da2布置在第一显示区域da1上方并且第二显示区域da2布置在非显示区域nda和第一显示区域da1之间。然而，根据本公开的实施例不限于此。例如，第一显示区域da1的形状可以是圆形、椭圆形或多边形(诸如三角形或五边形)。第二显示区域da2可以布置在第一显示区域da1内部，并且可以被第一显示区域da1包围。
64.另外，作为根据一些示例实施例的显示装置1，有机发光显示装置将被描述作为示例，但是根据本公开的实施例中的显示装置不限于此。根据一些示例实施例，根据一些示例
实施例的显示装置1可以是诸如无机发光(el)显示设备和量子点el显示设备的各种类型显示装置。
65.图2是沿着图1的线a
‑
a'截取的显示装置1的截面的示例的截面图。
66.参照图2，显示装置1可以包括显示面板10和组件20，显示面板10包括显示元件，组件20与第二显示区域da2对应。
67.显示面板10可以包括基板100、显示元件层200和封装层300，显示元件层200在基板100之上，封装层300作为用于密封显示元件层200的密封构件。另外，显示面板10还可以包括在基板100之下的下保护膜175。
68.基板100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯(pea)、聚醚酰亚胺(pei)、聚萘二甲酸乙二酯(pen)、聚对苯二甲酸乙二酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚芳酯(par)、聚酰亚胺(pi)、聚碳酸酯(pc)或醋酸丙酸纤维素(cap)。包括聚合物树脂的基板100可以是柔性的、可卷曲的或可弯折的。基板100可以具有多层结构，该多层结构包括包含上述聚合物树脂的层和无机层。
69.显示元件层200可以包括包含薄膜晶体管tft和tft'的电路层、作为显示元件的有机发光二极管oled和oled'以及位于它们之间的绝缘层il和il'。
70.包括第一薄膜晶体管tft和连接到第一薄膜晶体管tft的主有机发光二极管oled的主子像素pm可以布置在第一显示区域da1中，并且包括第二薄膜晶体管tft'和连接到第二薄膜晶体管tft'的辅助有机发光二极管oled'的辅助子像素pa可以布置在第二显示区域da2中。
71.此外，第二显示区域da2可以设置有透射部分ta，透射部分ta不包括任何显示元件。从组件20发射的光或信号可以通过透射部分ta传输到外部，并且外部光或信号可以通过透射部分ta被接收到组件20。
72.组件20可以位于第二显示区域da2中。组件20可以是使用(例如，发射或接收)光或声音的电子元件。例如，组件20可以包括作为使用红外光或可见光的相机的成像装置。另外，组件20可以包括接收和使用光的传感器(诸如红外传感器)、输出和检测光和声音以测量距离或识别指纹的传感器以及输出声音的扬声器等。
73.当组件20是使用光的电子元件时，可以使用各种波长带内的光，诸如可见光、红外光和紫外光。布置在第二显示区域da2中的组件20的数目可以是多个。例如，光发射元件和光接收元件可以一起作为组件20设置在一个第二显示区域da2中。可替代地，光发射元件和光接收元件可以都设置在一个组件20中。
74.下电极层bsm可以布置在第二显示区域da2中。下电极层bsm可以布置为对应于第二薄膜晶体管tft'的下部。下电极层bsm可以阻挡外部光到达包括第二薄膜晶体管tft'的辅助子像素pa。例如，下电极层bsm可以阻挡从组件20发射的光到达辅助子像素pa。
75.在一些示例实施例中，可以将恒定的电压或信号施加到下电极层bsm，以防止或减小由于静电放电对像素电路的损坏。
76.封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在这方面，图2示出第一无机封装层310和第二无机封装层330以及位于第一无机封装层310和第二无机封装层330之间的有机封装层320。
77.第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括一种或多种无机绝缘材料，诸
如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯。
78.下保护膜175可以附接在基板100下方，以支撑和保护基板100。下保护膜175可以具有与第二显示区域da2对应的开口175op。通过在下保护膜175中提供开口175op，可以改善第二显示区域da2的透光率。下保护膜175可以由pet或pi形成。
79.第二显示区域da2的面积可以大于布置组件20的区域的面积。相应地，设置在下保护膜175中的开口175op的面积可以与第二显示区域da2的面积不一致。例如，开口175op的面积可以小于第二显示区域da2的面积。作为另一示例，开口175op可以不形成在下保护膜175中，并且组件20可以位于下保护膜175上，以防止或减小基板100被组件20损坏的情况。
80.另外，多个组件20可以布置在第二显示区域da2中。多个组件20可以具有彼此不同的功能。例如，多个组件20中的一个可以是相机，并且另一个可以是红外传感器。
81.根据一些示例实施例，可以在显示面板10上进一步布置各组件，诸如，用于感测触摸输入的输入感测构件，包括偏振器和延迟器或滤色器以及黑色矩阵的防反射构件以及透明窗口。
82.尽管根据一些示例实施例，使用封装层300作为用于密封显示元件层200的密封构件，但是根据本公开的实施例不限于此。例如，作为用于密封显示元件层200的构件，可以使用通过密封剂或玻璃料接合到基板100的密封基板。
83.图3是图1的显示装置1的显示面板10的示例的平面图，并且图4是图3的显示面板10的修改的平面图。
84.首先参照图2和图3，显示面板10包括布置在第一显示区域da1中的多个主子像素pm。主子像素pm中的每一个可以用诸如有机发光二极管(例如，主有机发光二极管oled)的显示元件来实现。主子像素pm中的每一个可以通过主有机发光二极管oled发射任何一种颜色(例如，红色、绿色、蓝色或白色)的光。第一显示区域da1可以被上面参照图2描述的密封构件覆盖并且被保护以免受外部空气或湿气影响。
85.第二显示区域da2可以布置在第一显示区域da1的一侧，并且多个辅助子像素pa可以布置在第二显示区域da2中。辅助子像素pa中的每一个可以用诸如有机发光二极管(例如，辅助有机发光二极管oled')的显示元件来实现。辅助子像素pa中的每一个可以通过辅助有机发光二极管oled'发射任何一种颜色(例如，红色、绿色、蓝色或白色)的光。同时，位于辅助子像素pa之间的透射部分ta可以布置在第二显示区域da2中。至少一个组件20可以布置为对应于显示面板10的第二显示区域da2的下部。
86.根据一些示例实施例，一个主子像素pm和一个辅助子像素pa可以分别由具有相同配置的像素电路来驱动。然而，根据本公开的实施例不限于此。另外，驱动主子像素pm的像素电路可以不同于驱动辅助子像素pa的像素电路。同时，因为第二显示区域da2包括透射部分ta，所以第二显示区域da2的分辨率可以小于第一显示区域da1的分辨率。
87.驱动子像素pm和pa的像素电路可以分别电连接到布置在非显示区域nda中的外部电路。非显示区域nda可以包括第一扫描驱动电路110、第二扫描驱动电路120、端子140、第一电源线160和第二电源线170。
88.第一扫描驱动电路110可以通过扫描线sl将扫描信号供应到每个像素电路。第一
扫描驱动电路110可以通过发射控制线el将发射控制信号提供到每个像素电路。第二扫描驱动电路120可以与第一扫描驱动电路110平行地布置，第一显示区域da1位于第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120之间。布置在第一显示区域da1中的子像素pm和pa中的一些可以电连接到第一扫描驱动电路110，并且其余子像素pm和pa可以电连接到第二扫描驱动电路120。根据一些示例实施例，第二扫描驱动电路120可以省略。
89.端子140可以在基板100的一侧上。端子140可以被暴露不被绝缘层覆盖并且电连接到印刷电路板pcb。印刷电路板pcb的端子pcb
‑
p可以电连接到显示面板10的端子140。印刷电路板pcb将控制器的信号或电力传输到显示面板10。由控制器生成的控制信号可以通过印刷电路板pcb分别传输到第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120。控制器可以分别通过第一连接线161和第二连接线171将第一电源电压elvdd和第二电源电压elvss(参见下面将更详细地描述的图9)提供到第一电源线160和第二电源线170。第一电源电压elvdd可以通过连接到第一电源线160的驱动电压线pl提供到驱动子像素pm和pa中的每一个的像素电路，并且第二电源电压elvss可以提供到有机发光二极管oled和oled'的连接到第二电源线170的相对电极。
90.数据驱动电路150电连接到数据线dl。数据驱动电路150的数据信号可以通过连接到端子140的连接线151和连接到连接线151的数据线dl提供到驱动子像素pm和pa中的每一个的像素电路。图3示出数据驱动电路150布置在印刷电路板pcb上。然而，根据一些示例实施例，数据驱动电路150可以位于基板100上。例如，数据驱动电路150可以位于端子140和第一电源线160之间。
91.第一电源线160可以包括在x方向上彼此平行延伸的第一子线162和第二子线163，第一显示区域da1位于第一子线162和第二子线163之间。第二电源线170可以以一侧敞开的环形状部分地围绕第一显示区域da1。
92.同时，图3示出第二显示区域da2布置在第一显示区域da1的一侧上，但是根据本公开的实施例不限于此。例如，如图4中所示，第二显示区域da2可以被提供为与位于第二显示区域da2下方的组件对应的区域。在这种情况下，第二显示区域da2可以布置在第一显示区域da1内部，从而被第一显示区域da1围绕。
93.图5是沿着图3的线i
‑
i'和线ii
‑
ii'截取的显示面板10的截面的示例的截面图。
94.参照图5，缓冲层111可以位于基板100上。缓冲层111可以减少或阻止异物、湿气或外部空气从基板100的下部渗透，并且可以在基板100上提供平坦的表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或者有机
‑
无机复合材料，并且可以具有包括无机材料或有机材料的单层结构或多层结构。可以在基板100和缓冲层111之间进一步包括阻挡层，以阻止外部空气渗透。在一些实施例中，缓冲层111可以包括氧化硅(sio2)或氮化硅(sin
x
)。可以提供缓冲层111，使得第一缓冲层111a和第二缓冲层111b堆叠。这里，第一缓冲层111a和第二缓冲层111b可以由不同的材料制成。例如，第一缓冲层111a可以包含氮化硅，并且第二缓冲层111b可以包含氧化硅。
95.在第二显示区域da2中，下电极层bsm可以布置在第一缓冲层111a和第二缓冲层111b之间。根据一些示例实施例，下电极层bsm可以布置在基板100和第一缓冲层111a之间。下电极层bsm布置在第二薄膜晶体管tft'下方，以防止或减少第二薄膜晶体管tft'的特性由于从组件20等发射的光而劣化的情况。
96.另外，下电极层bsm可以通过接触孔连接到布置在另一层上的线gcl。可以从线gcl为下电极层bsm提供恒定的电压或信号。例如，可以为下电极层bsm提供第一电源电压(或驱动电压)elvdd或扫描信号。可以为下电极层bsm提供恒定的电压或信号，使得发生静电放电的可能性可以显著地减小。下电极层bsm可以包括al、pt、pd、ag、mg、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、mo、ti、w和/或cu。下电极层bsm可以是上述材料的单层或多层。
97.第一薄膜晶体管tft和第二薄膜晶体管tft'可以布置在缓冲层111上。第一薄膜晶体管tft包括第一半导体层a1、第一栅极电极g1、第一源极电极s1和第一漏极电极d1。第二薄膜晶体管tft'包括第二半导体层a2、第二栅极电极g2、第二源极电极s2和第二漏极电极d2。第一薄膜晶体管tft可以连接到第一显示区域da1的主有机发光二极管oled，以驱动主有机发光二极管oled。第二薄膜晶体管tft'可以连接到第二显示区域da2的辅助有机发光二极管oled'，以驱动辅助有机发光二极管oled'。
98.第一半导体层a1和第二半导体层a2布置在缓冲层111上，并且可以包括多晶硅。根据一些示例实施例，第一半导体层a1和第二半导体层a2可以包括非晶硅。根据一些示例实施例，第一半导体层a1和第二半导体层a2可以包括从铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、锆(zr)、钒(v)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)和锌(zn)中选择的至少一种材料的氧化物。第一半导体层a1和第二半导体层a2可以包括掺杂有杂质的沟道区域以及源极区域和漏极区域。
99.第二半导体层a2可以与下电极层bsm重叠，第二缓冲层111b位于第一半导体层a1和下电极层bsm之间。根据一些示例实施例，第一半导体层a1的宽度可以小于下电极层bsm的宽度。因此，当在垂直于基板100的方向上投影时，第一半导体层a1可以与下电极层bsm完全重叠。
100.第一栅极绝缘层112可以设置为覆盖第一半导体层a1和第二半导体层a2。第一栅极绝缘层112可以包括无机绝缘材料，诸如sio2、sin
x
、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)或氧化锌(zno2)。第一栅极绝缘层112可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
101.第一栅极电极g1和第二栅极电极g2布置在第一栅极绝缘层112上，从而分别与第一半导体层a1和第二半导体层a2重叠。第一栅极电极g1和第二栅极电极g2中的每一个包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)，并且可以形成为单层或多层。例如，第一栅极电极g1和第二栅极电极g2中的每一个可以是mo的单层。
102.第二栅极绝缘层113可以被提供为覆盖第一栅极电极g1和第二栅极电极g2。第二栅极绝缘层113可以包括无机绝缘材料，诸如sio2、sin
x
、sion、al2o3、tio2、ta2o5、hfo2或zno2。第二栅极绝缘层113可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
103.主存储电容器cst的第一上电极ce2和辅助存储电容器cst'的第二上电极ce2'可以布置在第二栅极绝缘层113上。
104.在第一显示区域da1中，第一上电极ce2可以与第一栅极电极g1重叠，第一栅极电极g1放置在第一上电极ce2之下。第二栅极绝缘层113位于其间的彼此重叠的第一栅极电极g1和第一上电极ce2可以形成主存储电容器cst。第一栅极电极g1可以是主存储电容器cst的第一下电极ce1。
105.在第二显示区域da2中，第二上电极ce2'可以与第二栅极电极g2重叠，第二栅极电
极g2放置在第二上电极ce2'之下。第二栅极绝缘层113位于其间的彼此重叠的第二栅极电极g2和第二上电极ce2'可以形成辅助存储电容器cst'。第一栅极电极g1可以是辅助存储电容器cst'的第二下电极ce1'。
106.第一上电极ce2和第二上电极ce2'可以包括al、pt、pd、ag、mg、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、mo、ti、w和/或cu，并且可以是上述材料的单层或多层。
107.层间绝缘层115可以形成为覆盖第一上电极ce2和第二上电极ce2'。层间绝缘层115可以包括sio2、sin
x
、sion、al2o3、tio2、ta2o5、hfo2或zno2。
108.当第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115被统称为无机绝缘层il时，无机绝缘层il堆叠在基板100上的结构可以相对于红外波长具有大约90％的透射率。例如，穿过基板100和无机绝缘层il的具有900nm至1100nm的波长的光可以具有大约90％的透射率。
109.源极电极s1和s2以及漏极电极d1和d2布置在层间绝缘层115上。源极电极s1和s2以及漏极电极d1和d2中的每一个可以包括包含mo、al、cu或ti的导电材料，并且可以形成为包括上述材料的单层或多层。例如，源极电极s1和s2以及漏极电极d1和d2中的每一个可以具有ti/al/ti的多层结构。
110.平坦化层117可以布置为覆盖源极电极s1和s2以及漏极电极d1和d2。平坦化层117可以具有平坦的顶表面，使得在平坦化层117上的第一像素电极221和第二像素电极221'可以形成为平坦的。
111.平坦化层117可以由有机材料的单层或多层形成。平坦化层117可以包括诸如苯并环丁烯(bcb)、聚酰亚胺(pi)、六甲基二硅氧烷(hmdso)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)和聚苯乙烯(ps)的通用聚合物，包括酚基的聚合物衍生物，丙烯酸聚合物，酰亚胺聚合物，芳基醚聚合物，酰胺聚合物，氟基聚合物，对二甲苯基聚合物，乙烯醇聚合物或它们的共混物。
112.平坦化层117具有用于暴露第一薄膜晶体管tft的第一源极电极s1和第一漏极电极d1中的任何一个的开口，并且第一像素电极221可以通过开口接触第一源极电极s1或第一漏极电极d1以电连接到第一薄膜晶体管tft。
113.另外，平坦化层117包括暴露第二薄膜晶体管tft'的第二源极电极s2和第二漏极电极d2中的任何一个的开口，并且第二像素电极221'可以通过开口接触第二源极电极s2或第二漏极电极d2以电连接到第二薄膜晶体管tft'。
114.第一像素电极221和第二像素电极221'可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和氧化铝锌(azo)。根据一些示例实施例，第一像素电极221和第二像素电极221'可以包括反射层，反射层包括ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr或它们的化合物。根据一些示例实施例，第一像素电极221和第二像素电极221'还可以包括位于上述反射膜之上/之下的由ito、izo、zno或in2o3形成的膜。在一些实施例中，第一像素电极221和第二像素电极221'可以按照以ito/ag/ito堆叠的结构设置。
115.像素限定层119可以覆盖第一像素电极221和第二像素电极221'中的每一个的边缘。像素限定层119与第一像素电极221和第二像素电极221'中的每一个重叠，并且包括限定子像素的发光区域的第一开口op1和第二开口op2。像素限定层119可以通过增大像素电极221和221'的边缘与位于像素电极221和221'上的相对电极223之间的距离来防止或减少
在像素电极221和221'的边缘上发生电弧。像素限定层119可以包括诸如pi、聚酰胺、丙烯酸树脂、bcb、hmdso和酚醛树脂的有机绝缘材料，并且可以通过旋涂形成。
116.当平坦化层117和像素限定层119被称为有机绝缘层时，有机绝缘层可以相对于红外波长具有大约90％或更大的透射率。例如，穿过有机绝缘层的具有900nm至1100nm的波长的光可以具有大约90％的透射率。
117.形成为分别对应于第一像素电极221和第二像素电极221'的第一发光层222b和第二发光层222b'布置在像素限定层119的第一开口op1和第二开口op2内部。第一发光层222b和第二发光层222b'可以各自包括聚合物材料或低分子量材料，并且可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
118.有机功能层222e可以布置在第一发光层222b和第二发光层222b'之上和/或之下。有机功能层222e可以包括第一功能层222a和/或第二功能层222c。第一功能层222a或第二功能层222c可以省略。
119.第一功能层222a可以布置在第一发光层222b和第二发光层222b'下方。第一功能层222a可以是由有机材料制成的单层或多层。第一功能层222a可以是具有单层结构的空穴传输层(htl)。可替代地，第一功能层222a可以包括空穴注入层(hil)和htl。第一功能层222a可以一体地形成为对应于包括在第一显示区域da1中的主子像素pm和包括在第二显示区域da2中的辅助子像素pa。相应地，第一功能层222a可以布置为对应于透射部分ta。
120.第二功能层222c可以布置在第一发光层222b和第二发光层222b'上。第二功能层222c可以是由有机材料制成的单层或多层。第二功能层222c可以包括电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。第二功能层222c可以一体地形成为对应于包括在第一显示区域da1中的主子像素pm和包括在第二显示区域da2中的辅助子像素pa。相应地，第二功能层222c可以布置为对应于透射部分ta。
121.相对电极223布置在第二功能层222c上。相对电极223可以包括具有低功函数的导电材料。例如，相对电极223可以包括(半)透明层，(半)透明层包括ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、锂(li)、钙(ca)或它们的合金。可替代地，相对电极223还可以包括位于包括上述材料的(半)透明层上的诸如ito、izo、zno或in2o3的层。相对电极223可以一体地形成为对应于包括在第一显示区域da1中的主子像素pm和包括在第二显示区域da2中的辅助子像素pa。
122.形成在第一显示区域da1中的从第一像素电极221到相对电极223的层可以形成主有机发光二极管oled。形成在第二显示区域da2中的从第二像素电极221'到相对电极223的层可以形成辅助有机发光二极管oled'。
123.包括有机材料的上层250可以形成在相对电极223上。上层250可以是被提供以保护相对电极223并且提高光提取效率的层。上层250可以包括具有比相对电极223的折射率高的折射率的有机材料。可替代地，可以通过堆叠具有不同折射率的层提供上层250。例如，可以通过堆叠高折射率层/低折射率层/高折射率层提供上层250。此时，高折射率层的折射率可以是大约1.7或更大，并且低折射率层的折射率可以是大约1.3或更小。
124.上层250可以另外包括lif。可替代地，上层250可以另外包括诸如sio2和sin
x
的无机绝缘材料。
125.根据一些示例实施例，第一功能层222a、第二功能层222c、相对电极223和上层250可以具有与透射部分ta对应的开口区域tah。即，第一功能层222a、第二功能层222c、相对电
极223和上层250可以分别具有与透射部分ta对应的开口。第一功能层222a、第二功能层222c、相对电极223和上层250的开口可以通过激光形成。在一些实施例中，形成开口区域tah的开口的宽度可以基本上相同。例如，相对电极223的开口的宽度可以与开口区域tah的宽度基本上相同。
126.此外，根据一些示例实施例，第一功能层222a、第二功能层222c和上层250可以省略。在这种情况下，相对电极223的开口可以是开口区域tah。
127.当开口区域tah对应于透射部分ta时，这可以意味着开口区域tah与透射部分ta重叠。此时，开口区域tah的面积可以小于形成在无机绝缘层il中的第一孔h1的面积。为此，图5示出开口区域tah的宽度wt小于第一孔h1的宽度w1。这里，开口区域tah的面积和第一孔h1的面积可以被限定为最窄区域的开口的面积。
128.在一些实施例中，第一功能层222a、第二功能层222c、相对电极223和上层250可以布置在第一孔h1、第二孔h2和第三孔h3的侧表面上。在一些实施例中，在第一孔h1、第二孔h2和第三孔h3的侧表面上相对于基板100的上表面的倾斜可以比在开口区域tah的侧表面上相对于基板100的上表面的倾斜平缓。
129.开口区域tah的形成意味着从透射部分ta去除了诸如相对电极223的构件，并且因而可以显著地提在高透射部分ta处的透光率。
130.主有机发光二极管oled和辅助有机发光二极管oled'可以由封装层300密封。封装层300可以布置在上层250上。封装层300可以防止或减少外部湿气或异物渗透到主有机发光二极管oled和辅助有机发光二极管oled'中的情况。
131.封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在这方面，图5示出第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330堆叠的结构。根据一些示例实施例，有机封装层的数目、无机封装层的数目和堆叠次序可以改变。
132.第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的一种或多种无机绝缘材料，并且可以通过化学气相沉积(cvd)等形成。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括硅酮树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺或聚乙烯等。
133.第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330可以一体地形成，以覆盖显示区域和传感器区域。相应地，第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330可以布置在开口区域tah内部。
134.根据一些示例实施例，有机封装层320一体地形成以覆盖显示区域和传感器区域，但是可以不位于透射部分ta中。换言之，有机封装层320可以包括与透射部分ta对应的开口。在这种情况下，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以在开口区域tah内彼此接触。
135.图6是沿着图3的线i
‑
i'和线ii
‑
ii'截取的显示面板10的截面的另一示例的截面图。在图6中，与图5中的附图标记相同的附图标记指示相同的构件，将省略其重复描述并且将仅描述不同之处。
136.参照图6，第一功能层222a、第二功能层222c和上层250中的至少一个可以布置为对应于透射部分ta。即，第一功能层222a、第二功能层222c和上层250中的至少一个可以布置在开口区域tah内部。
137.另一方面，相对电极223具有与透射部分ta对应的开口，并且开口可以具有与开口区域tah的宽度基本上相同的宽度。在这种情况下，相对电极223可以通过使用设置有覆盖透射部分ta的遮掩膜的掩模形成。
138.图7是沿着图3的线i
‑
i'和线ii
‑
ii'截取的显示面板10的截面的另一示例的截面图。在图7中，与图5中的附图标记相同的附图标记指示相同的构件，将省略其重复描述并且将仅描述不同之处。
139.参照图7，主有机发光二极管oled和辅助有机发光二极管oled'可以被封装基板300'覆盖。封装基板300'包括透明材料。例如，封装基板300'可以包括玻璃材料。可替代地，封装基板300'可以包括聚合物树脂等。封装基板300'可以防止或减少外部湿气或异物渗透到主有机发光二极管oled和辅助有机发光二极管oled'中的情况。
140.诸如密封剂的密封材料可以布置在基板100与封装基板300'之间，基板100上形成有主有机发光二极管oled和辅助有机发光二极管oled'的。密封材料可以阻挡可能在基板100和封装基板300'之间渗透外部湿气或异物。
141.图8是布置在图1的第二显示区域中的子像素和透射部分的布置的示例的平面图，图9是图8的一个子像素的等效电路图，图10是图8的子像素的像素电路部分的结构的平面图，图11是图8的像素组的平面图，图12是沿着图11的线iii
‑
iii'截取的像素组的截面的示例的截面图。在图8至图12中将主要描述位于第二显示区域da2中并且包括第二薄膜晶体管tft'和辅助有机发光二极管oled'的辅助子像素pa。应指出的是，结合图8至图12进行的描述同样适用于位于第一显示区域da1中并且包括第一薄膜晶体管tft和主有机发光二极管oled的主子像素pm。
142.首先，参照图8，第二显示区域da2可以具有像素组pg和在像素组pg周围的透射部分ta。像素组pg中的每一个包括多个辅助子像素pa。像素组pg中的每一个是多个辅助子像素pa以预设单位设定的子像素的集合，并且像素组pg可以彼此分开。透射部分ta可以被限定为像素组pg之间的区域。
143.多个辅助子像素pa中的每一个可以包括诸如辅助有机发光二极管oled'的显示元件。辅助子像素pa中的每一个可以发射红色、绿色、蓝色和白色中的任何一种的光。在图8中，一个像素组pg包括沿着在第一方向(x方向)上的一个行布置的红色子像素pr、绿色子像素pg和蓝色子像素pb，并且像素组pg在第一方向(x方向)和第二方向(y方向)上彼此分开。然而，根据本公开的实施例不限于此，并且包括在像素组pg中的辅助子像素pa的数目或布置可以根据第二显示区域da2的分辨率而修改。
144.透射部分ta是第二显示区域da2中未布置辅助子像素pa的部分。即，构成辅助有机发光二极管oled'的像素电极、包括发射层和相对电极的中间层以及电连接到辅助有机发光二极管oled'的像素电路可以不布置在透射部分ta中。当然，连接到位于第二显示区域da2中的辅助子像素pa以供应信号的信号线中的一些信号线可以布置为与透射部分ta交叉。
145.在下文中，将参照图9更详细地描述一个辅助子像素pa。参照图9，一个辅助子像素pa可以包括像素电路pc和电连接到像素电路pc的辅助有机发光二极管oled'。
146.例如，像素电路pc可以包括多个薄膜晶体管t1至t7(即，图2中的第二薄膜晶体管tft')和辅助存储电容器cst'。辅助存储电容器cst'在图5中描述。薄膜晶体管t1至t7和辅
助存储电容器cst'可以连接到在第一方向(图10中的x)上延伸的线sl
‑
1、sl、sl 1、el、vl1、vl2和hl以及在第二方向(图10中的y)上延伸的数据线dl和驱动电压线pl。
147.在第一方向上延伸的线sl
‑
1、sl、sl 1、el、vl1、vl2和hl可以包括配置为将前一扫描信号sn
‑
1传输到第一初始化薄膜晶体管t4的第一扫描线sl
‑
1、配置为传输扫描信号sn的第二扫描线sl、配置为将扫描信号sn传输到第二初始化薄膜晶体管t7的第三扫描线sl 1、配置为将发射控制信号en传输到操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6的发射控制线el、配置为将初始化电压vint传输到第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化电压线vl1、配置为将初始化电压vint传输到第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化电压线vl2以及形成辅助存储电容器cst'的第二上电极ce2'的电极电压线hl。第二上电极ce2'在图5中描述。
148.数据线dl与第二扫描线sl交叉并且将数据信号dm传输到开关薄膜晶体管t2，并且驱动电压线pl连接到电极电压线hl并且将第一电源电压(或驱动电压)elvdd传输到驱动薄膜晶体管t1。
149.驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极dg1连接到辅助存储电容器cst'的第二下电极ce1'，驱动薄膜晶体管t1的驱动源极电极ds1经由操作控制薄膜晶体管t5连接到驱动电压线pl，并且驱动薄膜晶体管t1的驱动漏极电极dd1经由发射控制薄膜晶体管t6电连接到辅助有机发光二极管oled'的像素电极。驱动薄膜晶体管t1根据开关薄膜晶体管t2的开关操作接收数据信号dm，并且将驱动电流i
oled'
供应到辅助有机发光二极管oled'。
150.开关薄膜晶体管t2的开关栅极电极sg2连接到第二扫描线sl，开关薄膜晶体管t2的开关源极电极ss2连接到数据线dl，并且开关薄膜晶体管t2的开关漏极电极sd2连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动源极电极ds1并通过操作控制薄膜晶体管t5连接到驱动电压线pl。开关薄膜晶体管t2响应于通过第二扫描线sl接收的扫描信号sn而导通，并且执行用于将传输到数据线dl的数据信号dm传输到驱动薄膜晶体管t1的驱动源极电极ds1的开关操作。
151.补偿薄膜晶体管t3的补偿栅极电极g3连接到第二扫描线sl，补偿薄膜晶体管t3的补偿源极电极s3连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动漏极电极dd1并经由发射控制薄膜晶体管t6连接到辅助有机发光二极管oled'的像素电极，并且补偿薄膜晶体管t3的补偿漏极电极d3连接到辅助存储电容器cst'的第二下电极ce1'、第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化漏极电极d4和驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极dg1。补偿薄膜晶体管t3响应于通过第二扫描线sl接收的扫描信号sn而导通，并且将驱动栅极电极dg1电连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动漏极电极dd1，从而以二极管方式连接驱动薄膜晶体管t1。
152.第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化栅极电极g4连接到第一扫描线sl
‑
1，第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化源极电极s4连接到第一初始化电压线vl1，并且第一初始化薄膜晶体管t4的第一初始化漏极电极d4连接到辅助存储电容器cst'的第二下电极ce1'、补偿薄膜晶体管t3的补偿漏极电极d3和驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极dg1。第一初始化薄膜晶体管t4响应于通过第一扫描线sl
‑
1接收的前一扫描信号sn
‑
1而导通，并且通过将初始化电压vint传输到驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极dg1来使驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极dg1的电压初始化。
153.操作控制薄膜晶体管t5的操作控制栅极电极g5连接到发射控制线el，操作控制薄膜晶体管t5的操作控制源极电极s5连接到驱动电压线pl，并且操作控制薄膜晶体管t5的操
作控制漏极电极d5连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动源极电极ds1和开关薄膜晶体管t2的开关漏极电极sd2。
154.发射控制薄膜晶体管t6的发射控制栅极电极g6连接到发射控制线el，发射控制薄膜晶体管t6的发射控制源极电极s6连接到驱动薄膜晶体管t1的驱动漏极电极dd1和补偿薄膜晶体管t3的补偿源极电极s3，并且发射控制薄膜晶体管t6的发射控制漏极电极d6电连接到第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化源极电极s7和辅助有机发光二极管oled'的像素电极。
155.操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6响应于通过发射控制线el接收的发射控制信号en而同时导通，使得第一电源电压(或驱动电压)elvdd传输到辅助有机发光二极管oled'并且驱动电流i
oled'
流经辅助有机发光二极管oled'。
156.第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化栅极电极g7连接到第三扫描线sl 1，第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化源极电极s7连接到发射控制薄膜晶体管t6的发射控制漏极电极d6和辅助有机发光二极管oled'的像素电极，并且第二初始化薄膜晶体管t7的第二初始化漏极电极d7连接到第二初始化电压线vl2。同时，第一初始化电压线vl1和第二初始化电压线vl2通过第一连接线cl1彼此电连接，并且可以被施加相同的初始化电压vint。
157.同时，因为第二扫描线sl和第三扫描线sl 1通过第二连接线cl2彼此电连接，所以可以被施加相同的扫描信号sn。相应地，第二初始化薄膜晶体管t7可以响应于通过第三扫描线sl 1接收的扫描信号sn而导通，以使辅助有机发光二极管oled'的像素电极初始化。
158.辅助存储电容器cst'的第二上电极ce2'连接到驱动电压线pl，并且辅助有机发光二极管oled'的相对电极连接到第二电源电压(或公共电压)elvss。相应地，辅助有机发光二极管oled'可以从驱动薄膜晶体管t1接收驱动电流i
oled'
，并且发射光以显示图像。
159.同时，图9示出补偿薄膜晶体管t3和第一初始化薄膜晶体管t4具有双栅极电极。然而，补偿薄膜晶体管t3和第一初始化薄膜晶体管t4可以具有一个栅极电极。
160.在下文中，将参照图10详细描述像素电路pc的结构。
161.驱动薄膜晶体管t1、开关薄膜晶体管t2、补偿薄膜晶体管t3、第一初始化薄膜晶体管t4、操作控制薄膜晶体管t5、发射控制薄膜晶体管t6和第二初始化薄膜晶体管t7沿着半导体层1130布置，并且半导体层1130的一些区域可以形成333驱动薄膜晶体管t1、开关薄膜晶体管t2、补偿薄膜晶体管t3、第一初始化薄膜晶体管t4、操作控制薄膜晶体管t5、发射控制薄膜晶体管t6和第二初始化薄膜晶体管t7的半导体层。
162.(图5的)第一栅极绝缘层112位于半导体层1130上，并且第一扫描线sl
‑
1、第二扫描线sl、第三扫描线sl 1和发射控制线el可以位于(图5的)第一栅极绝缘层112上。
163.同时，第二扫描线sl的与开关薄膜晶体管t2和补偿薄膜晶体管t3的沟道区域重叠的区域可以分别为开关栅极电极sg2和补偿栅极电极g3。第一扫描线sl
‑
1的与第一初始化薄膜晶体管t4的沟道区域重叠的区域可以是第一初始化栅极电极g4。第三扫描线sl 1的与第二初始化薄膜晶体管t7的沟道区域重叠的区域可以是第二初始化栅极电极g7。发射控制线el的与操作控制驱动薄膜晶体管t5和发射控制驱动薄膜晶体管t6的沟道区域重叠的区域可以分别为操作控制栅极电极g5和发射控制栅极电极g6。
164.(图5的)第二栅极绝缘层113可以设置在第一扫描线sl
‑
1、第二扫描线sl、第三扫描线sl 1和发射控制线el上，并且电极电压线hl、第一初始化电压线vl1和第二初始化电压
线vl2可以布置在(图5的)第二栅极绝缘层113上。电极电压线hl覆盖驱动栅极电极dg1的至少一部分，并且可以与驱动栅极电极dg1一起形成辅助存储电容器cst'。
165.辅助存储电容器cst'的第二下电极ce1'可以与驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极dg1一体形成。例如，驱动薄膜晶体管t1的驱动栅极电极dg1可以用作辅助存储电容器cst'的第二下电极ce1'。电极电压线hl的与驱动栅极电极dg1重叠的区域可以是辅助存储电容器cst'的第二上电极ce2'。因此，(图5的)第二栅极绝缘层113可以用作辅助存储电容器cst'的电介质层。
166.(图5的)层间绝缘层115可以位于电极电压线hl、第一初始化电压线vl1和第二初始化电压线vl2上。数据线dl、驱动电压线pl、第一初始化连接线1173a、第二初始化连接线1173b、节点连接线1174和连接金属1175可以布置在(图5的)层间绝缘层115上。数据线dl、驱动电压线pl、节点连接线1174和连接金属1175可以包括包含mo、al、cu或ti等的导电材料，并且可以形成为包括上述材料的单层或多层。例如，数据线dl、驱动电压线pl、节点连接线1174和连接金属1175可以由ti/al/ti的多层结构形成。
167.数据线dl可以通过接触孔1154连接到开关薄膜晶体管t2的开关源极电极ss2。
168.驱动电压线pl可以通过形成在(图5的)层间绝缘层115中的接触孔1158连接到辅助存储电容器cst'的第二上电极ce2'。因此，电极电压线hl可以具有与驱动电压线pl的电压电平相同的电压电平(恒定的电压)。此外，驱动电压线pl可以通过接触孔1155连接到操作控制漏极电极d5。
169.第一初始化电压线vl1可以通过第一初始化连接线1173a连接到第一初始化薄膜晶体管t4，并且第二初始化电压线vl2可以通过第二初始化连接线1173b连接到第二初始化薄膜晶体管t7。同时，如在图9中描述的，第一初始化电压线vl1和第二初始化电压线vl2可以通过第一连接线cl1彼此电连接，并且具有恒定的电压(例如，
‑
2v等)。
170.节点连接线1174的一端可以通过接触孔1156连接到补偿漏极电极d3，并且另一端可以通过接触孔1157连接到驱动栅极电极dg1。
171.连接金属1175连接到发射控制薄膜晶体管t6的半导体层a6。发射控制薄膜晶体管t6可以通过连接金属1175电连接到(图9的)辅助有机发光二极管oled'的像素电极。
172.(图5的)平坦化层117位于数据线dl、驱动电压线pl、第一初始化连接线1173a、第二初始化连接线1173b、节点连接线1174和连接金属1175上，并且(图9的)辅助有机发光二极管oled'可以位于平坦化层117上。
173.同时，如图11中所示，在第一方向(x方向)上延伸的线sl
‑
1、sl、sl 1、el、vl1、vl2和hl(在下文中称为第一水平线)与一个像素组pg交叉，并且可以分别电连接到包括在像素组pg中的多个辅助子像素pa。另外，在第一方向(x方向)上彼此相邻的两个像素组pg中分别包括的第一水平线布置在这两个像素组pg之间，并且可以通过在第一方向(x方向)上延伸的延伸线1000彼此电连接。此时，延伸线1000的数目可以小于第一水平线的数目。相应地，与当第一水平线在相邻的像素组pg之间与透射部分ta交叉时相比，减少了布置在透射部分ta中的线的数目，并且因而可以改善透射部分ta的透射率。延伸线1000可以与第一水平线中的一些一体形成。
174.例如，第一水平线之中的第一初始化电压线vl1和第二初始化电压线vl2可以通过第一连接线cl1彼此连接。第一连接线cl1可以位于与第一水平线所在的层不同的层上。例
如，第一连接线cl1可以位于与数据线dl和驱动电压线pl所在的层相同的层上。在第一初始化电压线vl1和第二初始化电压线vl2之中，仅第二初始化电压线vl2延伸到透射部分ta以形成第四延伸线1004。同时，图11示出第一连接线cl1基于附图位于像素组pg的左侧上，但是根据本公开的实施例不限于此，并且第一连接线cl1可以基于附图位于像素组pg的右侧上，或者可以布置在像素组pg的左侧和右侧上。
175.另外，第二扫描线sl和第三扫描线sl 1可以通过第二连接线cl2彼此连接以接收相同的扫描信号，并且仅第三扫描线sl 1可以延伸到透射部分ta以形成第五延伸线1005。例如，第二连接线cl2位于与第一连接线cl1所在的层相同的层上或不同的层上，但是第一连接线cl1和第二连接线cl2可以布置在像素组pg的相对侧上。作为另一示例，基于附图，第二连接线cl2可以与第一连接线cl1位于同一侧上，或者可以布置在像素组pg的两侧上。
176.因此，根据第一连接线cl1和第二连接线cl2的位置，基于附图，延伸线1000在像素组pg的两侧所连接到的接触孔的数目可以存在差异。
177.同时，第一延伸线1001可以与第一扫描线sl
‑
1一体形成，第二延伸线1002可以与电极电压线hl一体形成，并且第三延伸线1003可以与发射控制线el一体形成。因此，因为与一个像素组pg交叉的七条第一水平线连接到五条延伸线1001、1002、1003、1004和1005，所以减少了布置在透射部分ta中的线的数目，从而可以改善透射部分ta的透射率。
178.同时，延伸线1000可以定位成在透射部分ta中彼此相邻。即，布置延伸线1000的区域在第二方向(y方向)上的宽度小于布置第一水平线的区域在第二方向(y方向)上的宽度。因此，与延伸线1000在透射部分ta中宽广地分布的情况相比，当(图5的)组件20发送并接收信号时，可以减小由延伸线1000导致的干扰。
179.另外，如图12中所示，延伸线1000中的两条相邻的延伸线可以位于不同的层上。例如，第一延伸线1001、第三延伸线1003和第五延伸线1005可以位于第一栅极绝缘层112上，并且第二延伸线1002和第四延伸线1004可以位于第二栅极绝缘层113上。另外，至少一些相邻的延伸线可以定位成在垂直方向上彼此重叠。因此，减小了延伸线1000之间的在平面上的距离，使得可以改善透射部分ta的透射率。
180.然而，根据本公开的实施例不限于此，并且任何一条或多条延伸线1000可以布置在各种位置，诸如布置在层间绝缘层115上。例如，位于延伸线1000的中间的第三延伸线1003可以位于层间绝缘层115上，并且可以通过接触孔电连接到发射控制线el。因此，进一步减小了布置延伸线1000的区域，使得可以进一步改善透射部分ta的透射率。
181.同时，第一延伸线1001可以与第一扫描线sl
‑
1一体地形成，第二延伸线1002可以与电极电压线hl一体地形成，并且第三延伸线1003可以与发射控制线el一体地形成。第一延伸线1001可以位于与第一扫描线sl
‑
1所在的层不同的层上，并且可以通过接触孔电连接到第一扫描线sl
‑
1。
182.图13是布置在图1的第二显示区域中的子像素和透射部分的布置的示例的平面图，图14和图15是图13的一个像素组的平面图，图16是图14的部分c的示例的截面图，并且图17是沿着图14的线iv
‑
iv'截取的像素组的截面的示例的截面图。
183.参照图13，第二显示区域da2可以包括多个像素组pg和透射部分ta。
184.图13示出一个像素组pg包括与不同的行平行的在第一方向(x方向)上布置的红色子像素pr、绿色子像素pg、蓝色子像素pb和绿色子像素pg以及在第一方向(x方向)上布置的
蓝色子像素pb、绿色子像素pg、红色子像素pr和绿色子像素pg，并且辅助子像素pa以五片瓦(pentile)类型布置。然而，根据本公开的实施例不必限于此，并且包括在像素组pg中的辅助子像素pa的数目或布置可以根据第二显示区域da2的分辨率而修改。
185.透射部分ta可以布置为包围像素组pg。然而，根据本公开的实施例不限于此，并且像素组pg以晶格形状交替地布置，并且透射部分ta可以位于像素组pg之间。
186.位于像素组pg之间并且在第一方向(x方向)上延伸的多条延伸线1001至1007可以位于透射部分ta中。多条延伸线1001至1007可以电连接到在第一方向(x方向)上与一个像素组pg交叉的第二水平线。
187.当辅助子像素pa可以以如图13中所示的五片瓦类型布置时，第一初始化电压线vl1、第一扫描线sl
‑
1、第二扫描线sl、第一电极电压线hl1、第一发射控制线el1、第二初始化电压线vl2和第三扫描线sl 1可以电连接到第一辅助子像素pa1，同时在第一方向(x方向)上与包括在第一行中的第一辅助子像素pa1交叉，并且第二初始化电压线vl2、第三扫描线sl 1、第四扫描线sl 2、第二电极电压线hl2、第二发射控制线el2、第三初始化电压线vl3和第五扫描线sl 3可以电连接到第二辅助子像素pa2，同时在第一方向(x方向)上与包括在第二行中的第二辅助子像素pa2交叉。在这种情况下，第二辅助子像素pa2可以布置为在第二方向(y方向)上与第一辅助子像素pa1相邻。
188.同时，第二初始化电压线vl2和第三扫描线sl 1可以由第一辅助子像素pa1和第二辅助子像素pa2共享。
189.相应地，第二初始化电压线vl2可以电连接到第一辅助子像素pa1的(图9的)第二初始化薄膜晶体管t7和第二辅助子像素pa2的(图9的)第一初始化薄膜晶体管t4。另外，第三扫描线sl 1电连接到第二辅助子像素pa2的(图9的)第一初始化薄膜晶体管t4，并且施加到第三扫描线sl 1的扫描信号可以作为前一扫描信号传输到第二辅助子像素pa2的(图9的)第一初始化薄膜晶体管t4。
190.即，在图14中，在第一方向(x方向)上延伸并且与一个像素组pg交叉的第二水平线可以包括十二条的第一初始化电压线vl1、第一扫描线sl
‑
1、第二扫描线sl、第一电极电压线hl1、第一发射控制线el1、第二初始化电压线vl2、第三扫描线sl 1、第四扫描线sl 2、第二电极电压线hl2、第二发射控制线el2、第三初始化电压线vl3和第五扫描线sl 3。
191.同时，包括在像素组pg中的每一个中的第二水平线通过在透射部分ta中在第一方向(x方向)上延伸的延伸线1001至1007彼此电连接。在这种情况下，延伸线1001至1007的数目可以小于第二水平线的数目，并且延伸线1001至1007可以与一些第一水平线一体地形成。
192.例如，在第二水平线之中，上面描述的第一初始化电压线vl1和第二初始化电压线vl2可以通过第一连接线cl1电连接到在第一方向(x方向)上与第二行交叉的第三初始化电压线vl3。第三初始化电压线vl3可以将初始化电压施加到第二辅助子像素pa2的(图9的)第二初始化薄膜晶体管t7。同时，例如，在第一初始化电压线vl1、第二初始化电压线vl2和第三初始化电压线vl3之中，只有第二初始化电压线vl2可以延伸到透射部分ta以形成第四延伸线1004。同时，图14示出第一连接线cl1基于附图位于像素组pg的左侧上，但是根据本公开的实施例不限于此。如图15中所示，第一连接线cl1可以基于附图位于像素组pg的右侧上。另外，第一连接线cl1可以基于附图位于像素组pg的两侧上。
193.同时，第一连接线cl1可以在与第一初始化电压线vl1、第二初始化电压线vl2和第三初始化电压线vl3所在的层不同的层或相同的层上彼此接触。例如，图16示意性地示出图14中的第一连接线cl1和第一初始化电压线vl1的接触部分的截面。如图16中所示，第一初始化电压线vl1可以位于第二栅极绝缘层113上，并且第一连接线cl1可以位于层间绝缘层115上。
194.另外，第二扫描线sl和第三扫描线sl 1可以通过第二连接线cl2彼此连接以接收相同的扫描信号，并且只有第三扫描线sl 1可以延伸到透射部分ta以形成第五延伸线1005。
195.此外，在第一方向(x方向)上与第二行交叉的第四扫描线sl 2和第五扫描线sl 3可以通过第三连接线cl3彼此连接，并且只有第四扫描线sl 2可以延伸到透射部分ta以形成第七延伸线1007。
196.同时，图14和图15示出第二连接线cl2和第三连接线cl3基于附图位于像素组pg的右侧上，但是根据本公开的实施例不限于此。第二连接线cl2和第三连接线cl3可以基于附图位于像素组pg的左侧上，或者第二连接线cl2和第三连接线cl3中的至少一个可以布置在像素组pg的左侧和右侧上。
197.另外，在第一方向(x方向)上与第一行交叉的第一发射控制线el1和在第一方向(x方向)上与第二行交叉的第二发射控制线el2可以通过第四连接线cl4彼此电连接，并且可以电连接到第三延伸线1003。相应地，相同的发射控制信号可以传输到第一辅助子像素pa1和第二辅助子像素pa2。同时，第三延伸线1003可以通过延伸第一发射控制线el1形成，或者可以由布置在与第一发射控制线el1所在的层在不同的层上的单独的线形成。同时，图14和图15示出第四连接线cl4基于附图位于像素组pg的左侧上，但是根据本公开的实施例不限于此。第四连接线cl4可以基于附图位于像素组pg的右侧上，或者可以布置在像素组pg的左侧和右侧上。
198.上面描述的第一连接线cl1、第二连接线cl2、第三连接线cl3和第四连接线cl4可以位于与第二水平线所在的层不同的层上。例如，第一连接线cl1、第二连接线cl2、第三连接线cl3和第四连接线cl4可以位于层间绝缘层115上。
199.同时，第一延伸线1001可以与第一扫描线sl
‑
1一体地形成，第二延伸线1002可以与第一电极电压线hl1一体地形成，并且第六延伸线1006可以与第二电极电压线hl2一体地形成。
200.因此，因为与一个像素组pg交叉的十二条第二水平线连接到七条延伸线1001至1007，所以减少了布置在透射部分ta中的线的数目，使得可以改善透射部分ta的透射率。此外，延伸线1001至1007可以定位成在像素组pg的中间彼此相邻。即，在平面上，布置延伸线1001至1007的区域在第二方向(y方向)上的宽度小于布置第二水平线的区域在第二方向(y方向)上的宽度。因此，与延伸线1001至1007在透射部分ta中宽广地布置的情况相比，当(图5的)组件20发送并接收信号时，可以减小由延伸线1001至1007导致的干扰。
201.另外，如图15中所示，延伸线1001至1007中的两条相邻的延伸线可以位于不同的层上。例如，第一延伸线1001、第三延伸线1003、第五延伸线1005和第七延伸线1007可以位于第一栅极绝缘层112上，并且第二延伸线1002、第四延伸线1004和第六延伸线1006可以位于第二栅极绝缘层113上。另外，至少一些相邻的延伸线可以定位成在垂直方向上彼此重
叠。因此，减小了延伸线1001至1007之间的在平面上的距离，使得可以改善透射部分ta的透射率。
202.然而，根据本公开的实施例不限于此，并且延伸线1001至1007中的任何一条或多条可以布置在各种位置，诸如布置在层间绝缘层115上，并且可以定位成与其它延伸线1001至1007重叠。例如，位于延伸线1001至1007的中间的第三延伸线1003可以位于层间绝缘层115上，并且可以通过接触孔电连接到第一发射控制线el1。在这种情况下，因为第三延伸线1003也可以定位成与另一相邻的延伸线(例如，第一延伸线1001或第五延伸线1005)重叠，所以可以进一步减小延伸线1001至1007的布置面积。因此，可以进一步改善透射部分ta的透射率。
203.图18和图20是布置在图1的第二显示区域中的子像素的示例的平面图，图19是沿着图18的线v
‑
v'截取的子像素的截面的示例的截面图，并且图21是沿着图20的线vi
‑
vi'截取的子像素的截面的示例的截面图。
204.图18示出布置在(图1的)第二显示区域da2中的包括多个辅助子像素pa的一个像素组pg的示例。参照图18，像素组pg包括沿着在第一方向(x方向)上的一个行布置的红色子像素pr、绿色子像素pg和蓝色子像素pb，并且辅助子像素pa中的每一个可以连接到在第二方向(y方向)上延伸的数据线dl。
205.数据线dl可以包括位于不同高度的第一数据线dl1和第二数据线dl2。例如，如图19中所示，第一数据线dl1可以位于层间绝缘层115上。同时，上面描述的(图5的)平坦化层117可以包括第一平坦化层117a和第二平坦化层117b，其中，第一平坦化层117a可以覆盖第一数据线dl1。第二数据线dl2位于第一平坦化层117a上，并且可以被第二平坦化层117b覆盖。在这种情况下，上面描述的(图5的)像素电极221可以位于第二平坦化层117b上。
206.这样，因为第一数据线dl1和第二数据线dl2位于不同的高度，所以第一数据线dl1和第二数据线dl2之间的距离可以减小，并且第一数据线dl1和第二数据线dl2可以密集地布置在平面上，并且因而可以改善(图1的)第二显示区域da2的透射率。
207.图20示出以与图18中的方式相同的方式布置在图1的第二显示区域da2中的包括多个辅助子像素pa的一个像素组pg的示例。参照图20，像素组pg包括沿着在第一方向(x方向)上的一个行布置的红色子像素pr、绿色子像素pg和蓝色子像素pb，并且辅助子像素pa中的每一个可以连接到在第二方向(y方向)上延伸的数据线dl。数据线dl可以包括位于不同高度的第一数据线dl1和第二数据线dl2。例如，如图21中所示，第一数据线dl1可以位于第一栅极绝缘层112上，而第二数据线dl2可以位于第二栅极绝缘层113上。
208.同时，红色子像素pr中的数据线dlr、绿色子像素pg中的数据线dlg和蓝色子像素pb中的数据线dlb位于层间绝缘层115上，并且它们可以通过接触孔电连接到第一数据线dl1和第二数据线dl2。
209.图22和图23是布置在图4的第二显示区域中的子像素的示例的平面图。
210.参照图22，像素组pg包括沿着在第一方向(x方向)上的一个行布置的红色子像素pr、绿色子像素pg和蓝色子像素pb，并且辅助子像素pa中的每一个可以连接到在第二方向(y方向)上延伸的数据线dl。
211.数据线dl可以包括位于不同高度的第一数据线dl1和第二数据线dl2，并且第一数据线dl1和第二数据线dl2可以位于不同的高度，如在图18中示出并描述的。
212.同时，在图4中，因为(图4的)第二显示区域da2布置在(图4的)第一显示区域da1内部，所以主子像素基于附图分别密集地布置在(图4的)第二显示区域da2上方和下方。因此，当将图22与图18相比时，第一数据线dl1和/或第二数据线dl2的一部分可以布置为绕过像素组pg以连接到基于附图布置在(图4的)第二显示区域da2上方和下方的主子像素。例如，如图22中所示，从基于附图的左侧，第一数据线dl1、第二数据线dl2和第一数据线dl1可以分别电连接到包括在一个像素组pg中的红色子像素pr、绿色子像素pg和蓝色子像素pb。另一第二数据线dl2可以形成为绕过像素组pg。
213.图23示出以与图22中的方式相同的方式当(图4的)第二显示区域da2位于(图4的)第一显示区域da1内部时布置在(图4的)第二显示区域da2中的数据线dl。在图23中，与图20中一样，第一数据线dl1和第二数据线dl2可以位于不同的高度，并且可以通过接触孔分别电连接到红色子像素pr中的数据线dlr、绿色子像素pg中的数据线dlg和蓝色子像素pb中的数据线dlb。此时，未连接到像素组pg的其它第二数据线dl2被布置为绕过像素组pg，并且可以连接到基于附图布置在(图4的)第二显示区域da2上方和下方的主子像素。
214.同时，绕过像素组pg的第二数据线dl2可以通过接触孔连接到连接数据线dle。连接数据线dle可以位于例如(图21的)层间绝缘层115上。在这种情况下，连接数据线dle可以布置为与(图11的)第一连接线cl1和(图11的)第二连接线cl2等不重叠。
215.图24和图25是布置在图1的第二显示区域中的子像素的示例的平面图，并且图26和图27是布置在图4的第二显示区域中的子像素的示例的平面图。
216.图24至图27分别包括与图13中一样与不同的行平行的在第一方向(x方向)上布置的红色子像素pr、绿色子像素pg、蓝色子像素pb和绿色子像素pg以及在第一方向(x方向)上布置的蓝色子像素pb、绿色子像素pg、红色子像素pr和绿色子像素pg，并且包括两行上述子像素的(图13的)辅助子像素pa可以以五片瓦类型布置。
217.其中，图24和图25分别示出像素组pg与图18和图20中一样布置在(图1的)第二显示区域da2中的示例。
218.参照图24，数据线dl位于不同的高度，并且彼此交替地布置的第一数据线dl1、第二数据线dl2、第一数据线dl1和第二数据线dl2可以在第二方向(y方向)上延伸。因此，第一数据线dl1和第二数据线dl2之间的距离可以减小，并且第一数据线dl1和第二数据线dl2可以在平面上密集地布置，并且因而可以改善(图1的)第二显示区域da2的透射率。
219.在图25中，与图20中一样，数据线dl包括位于不同高度的第一数据线dl1和第二数据线dl2。这些数据线dl可以通过接触孔电连接到像素组pg内部的数据线。例如，像素组pg内部的数据线可以位于(图21的)层间绝缘层115上，第一数据线dl1可以位于(图21的)第一栅极绝缘层112上，并且第二数据线dl2可以位于(图21的)第二栅极绝缘层113上。
220.图26和图27分别示出与图22和图23中一样像素组pg布置在(图4的)第二显示区域da2中的示例。即，基于附图，主子像素密集地布置在(图4的)第二显示区域da2上方和下方。
221.因此，在图26中，与图24相比，第一数据线dl1和/或第二数据线dl2可以另外地布置为绕过像素组pg，以连接基于附图布置在(图4的)第二显示区域da2上方和下方的主子像素。例如，数据线dl之中的四条第一数据线dl1和第二数据线dl2可以电连接到像素组pg，并且其余四条第一数据线dl1和第二数据线dl2可以布置为绕过像素组pg。在这种情况下，第一数据线dl1和第二数据线dl2交替地布置在不同的高度，如上所述。
222.因此，在图27中，与图25相比，第一数据线dl1和/或第二数据线dl2可以另外地布置为绕过像素组pg，以连接基于附图布置在(图4的)第二显示区域da2上方和下方的主子像素。例如，数据线dl之中的四条第一数据线dl1和第二数据线dl2电连接到像素组pg。在这种情况下，第一数据线dl1和第二数据线dl2交替地布置在不同的高度，并且可以通过接触孔电连接到像素组pg内部的数据线。例如，像素组pg内部的数据线可以位于(图21的)层间绝缘层115上，第一数据线dl1可以位于(图21的)第一栅极绝缘层112上，并且第二数据线dl2可以位于(图21的)第二栅极绝缘层113上。
223.在图27中，绕过像素组pg的其余四条第一数据线dl1和第二数据线dl2可以通过接触孔分别电连接到第一连接数据线dle1和第二连接数据线dle2。例如，第一连接数据线dle1和第二连接数据线dle2可以位于(图21的)层间绝缘层115上，并且第一连接数据线dle1和第二连接数据线dle2可以布置为与(图14的)第一连接线cl1至(图14的)第四连接线cl4不重叠。
224.图28、图29和图30是布置在图1的第二显示区域中的子像素的示例的平面图。
225.参照图28，图1至图8的透射部分ta可以布置在多个像素组pg之间，并且图1至图8的透射部分ta可以具有一体连接的结构。多个像素组pg中的每一个可以包括辅助子像素pa，辅助子像素pa包括与不同的行平行的在第一方向(x方向)上布置的红色子像素pr、绿色子像素pg、蓝色子像素pb和绿色子像素pg以及在第一方向(x方向)上布置的蓝色子像素pb、绿色子像素pg、红色子像素pr和绿色子像素pg。
226.当第二显示区域da2具有图28的像素布置时，第二显示区域da2的分辨率可以是(图1的)第一显示区域da1的1/4。
227.同时，彼此分开的多个像素组pg可以电连接到在第一方向(x方向)上延伸的延伸线1000和在第二方向(y方向)上延伸的数据线dl。此时，延伸线1000可以定位成在像素组pg的中间彼此靠近，并且数据线dl也可以密集地布置。因此，与延伸线1000和数据线dl宽广地分布在图1至图8的透射部分ta中的情况相比，可以改善图1至图8的透射部分ta的透射率，并且当(图5的)组件20发送并接收信号时，可以减小由延伸线1000和数据线dl导致的干扰。
228.图29和图30中的每一个示出一个像素组pg包括红色子像素pr、绿色子像素pg和蓝色子像素pb并且这些像素组pg通过在第一方向(x方向)上延伸的延伸线1000和在第二方向(y方向)上延伸的数据线dl彼此电连接的示例。在这种情况下，延伸线1000和数据线dl密集地布置，并且因而可以改善第二显示区域da2的透射率。同时，图29示出像素组pg在第一方向(x方向)和第二方向(y方向)上分开并且形成网格图案的示例，并且图30示出像素组pg在第一方向(x方向)和第二方向(y方向)上彼此分开并且在第一方向(x方向)上具有z字形图案的示例。然而，当提供图29和图30的像素布置时，第二显示区域da2的分辨率可以是(图1的)第一显示区域da1的3/8。
229.另外，像素可以以各种方式布置在第二显示区域da2中。
230.根据本公开的实施例，通过甚至在布置电子元件的区域中显示图像来扩展显示区域，并且布置在第二显示区域的布置电子元件的透射部分中的延伸线的数目减少，由此改善了透射部分的透射率。
231.应当理解，在本文中描述的实施例应当仅以描述性的含义来考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述应当通常被视为可用于其它实施例中的其它
类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离如由所附权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节方面的各种改变。