一种平面结构有机/无机复合钙钛矿忆阻器及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种平面结构有机/无机复合钙钛矿忆阻器，其特征在于：从下至上依次为基板、模板层、阻变层、电极。2.根据权利要求1所述的平面结构有机/无机复合钙钛矿忆阻器，其特征在于：所述基板为刚性基板或柔性基板，所述刚性基板包括玻璃和硅片，所述柔性基板包括pet和pi。3.根据权利要求1所述的平面结构有机/无机复合钙钛矿忆阻器，其特征在于：所述模板层表面包括pedot：pss。4.根据权利要求1所述的平面结构有机/无机复合钙钛矿忆阻器，其特征在于：所述阻变层为有机/无机复合碘化物钙钛矿材料ch3nh3pbi3。5.根据权利要求1所述的平面结构有机/无机复合钙钛矿忆阻器，其特征在于：所述忆阻器的正负电极均位于阻变层的上表面，材料为au、ag或pt，电极图案为条状结构或者插指结构。6.一种如权利要求1
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5任一项所述的平面结构有机/无机复合钙钛矿忆阻器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）采用超声清洗基板；（2）在基板上制备模板层；（3）在模板层上制备阻变层；（4）在阻变层上沉积金属电极。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述模板层采用溶液旋涂法制备。8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述阻变层采用一步溶液旋涂法制备。9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述电极采用磁控溅射、电子束蒸发、热沉积方法制备。

技术总结
本发明公开一种平面结构有机/无机复合钙钛矿忆阻器及其制备方法，属于半导体和微电子领域，从下到上依次为基板、模板层、阻变层、电极。步骤为：首先，在基板上制备一层模板层，其次在模板层上采用溶液旋涂法制备一层有机/无机复合钙钛矿阻变层，最后在阻变层上采用真空沉积的方法制备电极。该方法利用模板层调控阻变层的化学成分分布，在阻变层的上表面产生过量的阴离子，在电场作用下通过调控阴离子的移动实现忆阻器高低电阻态间的转变。本发明工艺简单，成本低廉，具有广阔的应用前景。具有广阔的应用前景。具有广阔的应用前景。


技术研发人员：王丽丹 苏子生
受保护的技术使用者：泉州师范学院
技术研发日：2021.07.20
技术公布日：2021/10/23