一种三槽式去胶剥离机及其使用方法与流程

1.本发明属于晶片去胶剥离技术领域，尤其涉及一种三槽式去胶剥离机及其使用方法。


背景技术：

2.晶片，是一种半导体零件，通常需要采用湿法蚀刻的方式进行去胶剥离，先对待去胶晶片进行药液加热浸泡，再进行高压二流体加热药液(喷头可设置角度调整，避免金属沉积物弹起对晶片表面造成损伤)，进行冲洗，待剥离完成之后，转移到刷片工位，再进行刷洗作业，有效的保证去胶的一次性以及去胶后晶片表面的洁净度。
3.传统的处理方式会对药液回收过滤后进行二次利用，这种方式的缺陷在于：(1)药液的衰弱性差异会导致去胶的一次性效果不够好；(2)药液回收系统耗材成本极高。
4.并且传统的去胶剥离过程中需要采用超高压对晶片表面进行冲洗，在此过程中会存在金属沉积物反弹，再次被超高压的药液水柱击打在晶片表面，对晶片表面造成损伤。


技术实现要素：

5.本发明克服了现有技术的不足，提供一种三槽式去胶剥离机及其使用方法，以解决现有技术中存在的问题。
6.为达到上述目的，本发明采用的技术方案为：一种三槽式去胶剥离机，用于晶片表面进行去胶处理，包括机架、位于所述机架上的料盒、浸泡工位、剥离工位、清洗工位以及用于晶片移送的移载工位；其中：
7.所述浸泡工位包括驱动模组、位于所述驱动模组一侧的浸泡槽体以及位于所述浸泡槽体内的料架，所述浸泡槽体一侧设有进料口，所述料架通过安装块与所述驱动模组连接；
8.所述剥离工位包括剥离槽体以及位于所述剥离槽体内的剥离吸盘、定心气缸以及雾化喷头，将晶片放置在剥离吸盘上之后，由雾化喷头对晶片进行雾化药液喷淋，所述剥离槽体一侧设置有剥离开关门；
9.所述清洗工位包括清洗槽体以及位于所述清洗槽体内的定心甩盘、喷洗头以及吹干头，将晶片放置在定心甩盘上之后，由喷洗头与吹干头依次对晶片进行喷洗与吹干，所述清洗槽体一侧设置有清洗开关门。
10.优选的，所述移载工位包括y轴模组、能够沿所述y轴模组长度方向进行运动的x轴模组、能够沿所述x轴模组长度方向进行运动的运动座、位于所述运动座上的驱动电缸、能够沿所述驱动电缸长度方向进行运动的取料臂，所述取料臂包括取料安装架以及用于晶片取料的取料部。
11.优选的，所述安装架为v形结构体，所述安装架两端均通过连接块与所述驱动电缸连接，所述取料部前端为三层取料结构，所述取料部前端采用真空吸附的方式对晶片进行吸放。
12.优选的，所述运动座下方设置有旋转马达，所述旋转马达通过连接架与所述x轴模组连接，所述旋转马达用以驱动所述运动座进行转动。
13.优选的，所述运动座前端设置有接水盘。
14.优选的，所述浸泡槽体侧面与底面均设置有加热板。
15.优选的，所述剥离槽体底部设置有第一剥离驱动机构与第二剥离驱动机构，所述第一剥离驱动机构用以驱动剥离吸盘进行旋转，所述第二剥离驱动机构用以驱动雾化喷头进行旋转。
16.优选的，所述清洗槽体底部设置有第一清洗驱动机构与第二清洗驱动机构，所述第一清洗驱动机构用以驱动定心甩盘进行旋转升降，所述第二清洗驱动机构用以驱动喷洗头与吹干头进行旋转。
17.本发明还公开了一种三槽式去胶剥离机的使用方法，包括以下步骤：
18.s1、在移载工位作用下，将晶片取放至浸泡工位的料架内，在浸泡槽体内充满药液，使晶片在药液内浸泡；
19.s2、在移载工位作用下，将晶片取放至剥离工位的剥离吸盘上，由雾化喷头喷出雾化后的药液对晶片进行去胶操作；
20.s3、在移载工位作用下，将晶片取放至清洗工位的定心甩盘上，由喷洗头对晶片进行喷淋清洗，再由吹干头对晶片进行吹干。
21.优选的，步骤s3中，所述吹干头采用风刀对晶片进行吹干。
22.本发明解决了背景技术中存在的缺陷，本发明具备以下有益效果：
23.(1)本发明在机架、料盒、浸泡工位、剥离工位、清洗工位以及移载工位的配合作用下，实现了对晶片的去胶剥离处理，无需对药液进行回收，不会对晶片表面造成损伤，保证了对晶片的处理效果；
24.(2)浸泡工位能够采用加热的药液对晶片进行去胶前的预处理，剥离工位能够对晶片进行药液的雾化喷淋，对晶片进行去胶处理，进一步保证晶片后续的去胶效果；
25.(3)清洗工位能够对晶片进行清洗与吹干操作，完成对晶片的后续处理，提高了晶片处理效率；
26.(4)移载工位能够对晶片进行连续的移载，将料盒、浸泡工位、剥离工位以及清洗工位串接起来，提高晶片去胶剥离处理的连续性，进而提高对晶片去胶剥离的效率。
附图说明
27.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
28.图1为本发明优选实施例的整体结构示意图；
29.图2为本发明优选实施例的局部结构示意图；
30.图3为本发明优选实施例浸泡工位的结构示意图；
31.图4为本发明优选实施例剥离工位的结构示意图；
32.图5为本发明优选实施例清洗工位的结构示意图；
33.图6为本发明优选实施例移载工位的结构示意图；
34.图7为本发明优选实施例的流程图；
35.图中：1、机架；2、料盒；3、浸泡工位；31、驱动模组；32、浸泡槽体；33、料架；4、剥离工位；41、剥离槽体；42、剥离吸盘；43、定心气缸；44、雾化喷头；5、清洗工位；51、清洗槽体；52、定心甩盘；53、喷洗头；54、吹干头；6、移载工位；61、y轴模组；62、x轴模组；63、运动座；64、驱动电缸；65、取料臂；651、取料安装架；652、取料部；7、进料口；8、剥离开关门；9、清洗开关门；10、旋转马达；11、接水盘；12、加热板；13、第一剥离驱动机构；14、第二剥离驱动机构；15、第一清洗驱动机构；16、第二清洗驱动机构；17、抽风管；18、开关门气缸。
具体实施方式
36.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
37.结合图1与图2所示，一种三槽式去胶剥离机，用于晶片表面进行去胶处理，包括机架1、位于机架1上的料盒2、浸泡工位3、剥离工位4、清洗工位5以及用于晶片移送的移载工位6；其中：
38.结合图2与图3所示，浸泡工位3包括驱动模组31、位于驱动模组31一侧的浸泡槽体32以及位于浸泡槽体32内的料架33，浸泡槽体32一侧设有进料口7，料架33通过安装块与驱动模组31连接，在浸泡槽体32内充满药液，移载工位6通过进料口7将晶片移放至浸泡槽体32内的料架33上之后，驱动模组31驱动料架33进行竖向运动，使料架33上的晶片没入药液内，保证药液对晶片进行有效浸泡。
39.结合图2与图4所示，剥离工位4包括剥离槽体41以及位于剥离槽体41内的剥离吸盘42、定心气缸43以及雾化喷头44，将晶片放置在剥离吸盘42上之后，由雾化喷头44对晶片进行雾化药液喷淋，剥离槽体41一侧设置有剥离开关门8，而剥离槽体41底部设置有第一剥离驱动机构13与第二剥离驱动机构14，移载工位6经剥离开关门8将晶片送入剥离槽体41内的剥离吸盘42上，由定心气缸43对晶片进行定心，定心完成之后，由第一剥离驱动机构13驱动剥离吸盘42进行转动，第二剥离驱动机构14对雾化喷头44进行驱动，采用雾化的药液对晶片进行全面喷淋，完成对晶片的去胶剥离操作。
40.具体地，第一剥离驱动机构13与第二剥离驱动机构14均采用电机配合转轴的方式，实现对应结构的转动。
41.结合图2与图5所示，清洗工位5包括清洗槽体51以及位于清洗槽体51内的定心甩盘52、喷洗头53以及吹干头54，将晶片放置在定心甩盘52上之后，由喷洗头53与吹干头54依次对晶片进行喷洗与吹干，清洗槽体51一侧设置有清洗开关门9，而清洗槽体51底部设置有第一清洗驱动机构15与第二清洗驱动机构16，移载工位6经清洗开关门9将晶片送入清洗槽体51内的定心甩盘52上，由定心甩盘52对晶片进行定心，定心完成之后，由第一清洗驱动机构15驱动定心甩盘52进行旋转升降，第二清洗驱动机构16驱动喷洗头53与吹干头54进行旋转，喷洗头53与吹干头54同步转动过程中，喷洗头53喷出清水对晶片进行清洗，清洗完成之后，由吹干头54对晶片进行吹干，完成对晶片的后续处理操作。
42.具体地，第一清洗驱动机构15采用电机与气缸配合的方式实现对定心甩盘52的旋
转升降，第二清洗驱动机构16采用电机驱动实现喷洗头53与吹干头54的旋转。
43.结合图2与图6所示，移载工位6包括y轴模组61、能够沿y轴模组61长度方向进行运动的x轴模组62、能够沿x轴模组62长度方向进行运动的运动座63、位于运动座63上的驱动电缸64、能够沿驱动电缸64长度方向进行运动的取料臂65，取料臂65包括取料安装架651以及用于晶片取料的取料部652，在运动座63下方设置有旋转马达10，旋转马达10通过连接架与x轴模组62连接，旋转马达10用以驱动运动座63进行转动，进而实现取料臂65的转动，便于取料臂65对晶片进行取料，晶片能够在y轴模组61、x轴模组62、运动座63、驱动电缸64以及取料臂65的配合作用下进行连续的移载，因此移载工位6能够将料盒2、浸泡工位3、剥离工位4以及清洗工位5串接起来，提高晶片去胶剥离处理的连续性，进而提高对晶片去胶剥离的效率。
44.具体而言，取料臂65能够在y轴模组61、x轴模组62、驱动电缸64以及旋转马达10的配合作用下，沿y轴方向、x轴方向、z轴方向以及旋转方向进行运动，使晶片在料盒2、浸泡工位3、剥离工位4以及清洗工位5之间进行连续的移载，提高效率。
45.进一步地，在本实施例中，取料安装架651为v形结构体，取料安装架651两端均通过连接块与驱动电缸64连接，取料部652前端为三层取料结构，取料部652前端采用真空吸附的方式对晶片进行吸放，采用v形结构设计的取料安装架651稳定性更强，而取料部652前端采用三层取料结构进行晶片的取料，适用性更强，能够更为灵活的对晶片进行取料，而真空吸附的取料方式则能够使取料后的晶片更为稳定。
46.在本实施例中，运动座63前端设置有接水盘11，在浸泡槽体32、剥离槽体41、清洗槽体51侧面均设置有抽风管17，在剥离槽体41与清洗槽体51上均设置有开关门气缸18，浸泡槽体32侧面与底面均设置有加热板12。
47.具体地，接水盘11能够对浸泡完成的晶片进行药液接载，避免药液漏出对结构造成影响，而抽风管17能够对浸泡槽体32、剥离槽体41、清洗槽体51内部进行抽风，开关门气缸18能够实现剥离开关门8、清洗开关门9的开闭，而加热板12则能够对浸泡槽体32内的药液进行加热，实现对晶片的快速浸泡。
48.在本实施例中，机架1上设置有两个料盒2，一料盒2作为晶片上料使用，另一料盒2作为晶片下料使用，从而提高对晶片的去胶剥离效率。
49.如图7所示，一种三槽式去胶剥离机的使用方法，包括以下步骤：
50.s1、在移载工位6的y轴模组61、x轴模组62、运动座63、驱动电缸64以及取料臂65的配合作用下，再配以旋转马达10，实现对晶片的快速取放，将晶片取放至浸泡工位3的料架33内，在浸泡槽体32内充满药液，使晶片在药液内浸泡；
51.s2、在移载工位6的y轴模组61、x轴模组62、运动座63、驱动电缸64以及取料臂65的配合作用下，再配以旋转马达10，实现对晶片的快速取放，将晶片取放至剥离工位4的剥离吸盘42上，由雾化喷头44喷出雾化后的药液对晶片进行去胶操作；
52.s3、在移载工位6的y轴模组61、x轴模组62、运动座63、驱动电缸64以及取料臂65的配合作用下，再配以旋转马达10，实现对晶片的快速取放，将晶片取放至清洗工位5的定心甩盘52上，由喷洗头53对晶片进行喷淋清洗，再由吹干头54对晶片进行吹干。
53.实现晶片在料盒2、浸泡工位3、剥离工位4以及清洗工位5之间的来回取放。
54.具体地，本实施例中吹干头54采用风刀对晶片进行吹干。
55.总而言之，本发明在机架1、料盒2、浸泡工位3、剥离工位4、清洗工位5以及移载工位6的配合作用下，实现了对晶片的去胶剥离处理，无需对药液进行回收，不会对晶片表面造成损伤，保证了对晶片的处理效果。
56.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
57.以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。