电子装置的制造方法与流程

1.本公开涉及一种电子装置的制造方法，且更具体地说，涉及一种在将多个发光单元从载体基板转移至目标基板中的电子装置的制造方法。


背景技术：

2.电子产品已经成为现代社会中必不可少的，电子装置需不断地改进，如增加生产产量或减少来自静电放电的损坏。


技术实现要素：

3.本公开涉及一种电子装置的制造方法，所述方法可利用静电放电保护单元来来降低电子装置被静电放电而损坏的机会。
4.根据本公开的实施例，电子装置的制造方法包含经由以下步骤将多个发光单元从载体基板转移至目标基板：通过拾取工具从载体基板拾取多个发光单元，以及将多个发光单元放置至目标基板上。步骤均在至少一个静电放电保护单元的保护下执行。
5.为了使前述内容更容易理解，以下详细地描述伴有附图的若干实施例。
附图说明
6.包含附图以提供对本公开的进一步了解，且所述附图并入在本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出本公开的示范性实施例，且与实施方式一起用来解释本公开的原理。
7.图1是根据本公开的实施例在转移多个发光单元时的拾取工具及载体基板的剖面示意图；
8.图2a是根据本公开的另一实施例在转移多个发光单元时的载体基板的上视示意图；
9.图2b是图2a的载体基板沿着剖面线a
‑
a'的基板剖面示意图；
10.图3a是根据本公开的另一实施例在转移多个发光单元时的目标基板的剖面示意图；
11.图3b是图3a中的目标基板的电路示意图。；
12.图4a是根据本公开的另一实施例在转移多个发光单元时的目标基板的剖面示意图；
13.图4b是将图4a中的目标基板的静电放电保护单元接地的上视示意图；
14.图5a是根据本公开的另一实施例在转移多个发光单元时的目标基板的剖面示意图；
15.图5b是将图5a中的目标基板的静电放电保护单元接地的上视示意图；
16.图6a是根据本公开的另一实施例在转移多个发光单元时的目标基板的剖面示意图；
17.图6b是将图6a中的目标基板的静电放电保护单元接地的上视示意图；
18.图6c是图6a的数据线电压及栅极电压的时序图；
19.图6d是图6a的数据线电压及栅极电压的另一时序图；
20.图7是根据本公开的另一实施例在转移多个发光单元时的目标基板的剖面示意图；
21.图8是根据本公开的另一实施例在转移多个发光单元时的目标基板的剖面示意图；
22.图9a是根据本公开的另一实施例在转移多个发光单元时的目标基板的剖面示意图；
23.图9b是图9a中的目标基板电路示意图。
24.附图标号说明
25.100：拾取工具；
26.110：主体；
27.120、121、122、123：抓取头；
28.122a、123a：表面；
29.130、220a：导电金属线；
30.131：主体部；
31.132、133、134、135：延伸部；
32.200、200a：载体基板；
33.210、410：基板；
34.211：凹部；
35.212：第一表面；
36.213：第二表面；
37.214：第三表面；
38.220：第一导电金属线；
39.230：固定层；
40.300：发光单元；
41.400、400a、400b、400c、400d、400e、400f：目标基板；
42.401a、401b、401c：子像素区；
43.410：基板；
44.410a：上表面；
45.410b：底表面；
46.410c：侧表面；
47.420：第一薄膜晶体管；
48.430、430c、430e：第二薄膜晶体管；
49.432：源极；
50.431、433e、444、444'、444”、444d、444e：漏极区；
51.434e、443、443'、443d、443f：源极区；
52.440、440a、440d、440e、440f：第一开关元件；
53.440'、440b、440”：第二开关元件；
54.431e、441、441'、441”、441d、441e、441f：栅极；
55.442：栅极绝缘层；
56.450、450e：p型接合垫；
57.450
‑
1：p型电极；
58.451、451a、451b、451d、451e、451f：n型接合垫；
59.451
‑
1：n型电极；
60.460：图案化遮蔽层；
61.470：扫描线；
62.471：数据线；
63.472：供电线；
64.472'：信号线；
65.473：电容；
66.480d、480e、480f、481e：导电线；
67.500：芯片；
68.600：信号参考线
69.a、b、c：状态；
70.a
‑
a'：截面线；
71.c1：第一列；
72.c2：第二列；
73.c3：第三列；
74.d1、d2、d4、d5、d7、d8、d9、l3、l5：虚线；
75.d3、d6、l1、l2、l4：虚线；
76.esdp1：第一静电放电保护单元；
77.esdp2：第二静电放电保护单元；
78.esdp3：第三静电放电保护单元；
79.gnd：地；
80.gnd1、gnd2、gnd3、gnd4、gnd5、gnd6：接地线；
81.r1：第一行；
82.r2：第二行；
83.r3：第三行；
84.se1、se2、se3、se3'：通道区。
具体实施方式
85.可通过结合附图参考以下详细描述来理解本公开。应注意，为了使读者易于理解，本公开中的多个附图仅描绘电子装置的一部分，附图中的某些元件没有根据实际比例绘制。另图中的每一元件的编号及大小仅用于说明，并不意欲限制本公开的范围。
86.在以下说明书及权利要求中，词语“含有”及“包含”是开放式词语，且它们应解译为意指“包含但不限于”。
87.当元件或层被提及为“(电)连接至”另一元件或层时，其可直接(电)连接至另一元件或层，或可存在介入元件或层。当元件被提及为“直接(电)连接至”另一元件或层时，不存在介入元件或层。相比而言，当元件被提及为“设置于”或“形成于”a元件“上”时，其可直接设置于(或形成于)a元件上，或可经由另一组件间接地设置于(或形成于)a元件上。相比而言，当元件被提及为“设置于”a元件与b元件“之间”时，其可直接设置于a元件与b元件之间，或可经由另一组件间接地设置于a元件与b元件之间。
88.术语“约”、“大体上”、“大致上”、“相等”或“相同”一般意指在20％的给定值或范围内，或意指在10％、5％、3％、2％、1％或0.5％的给定值或范围内。另外，短语“在第一值至第二值的范围内”指示包含第一值、第二值以及中间的其它值的范围。
89.应理解，当“a元件电连接至薄膜晶体管”或“a元件经由薄膜晶体管电连接至b元件”时，可以是处于薄膜晶体管导通的条件下。
90.本公开的电子装置可包含但不限于显示装置、天线装置、照明装置、传感装置、触摸装置、弯曲装置或自由形状装置、可弯曲装置、柔性装置或拼接器件。电子装置可包含发光二极管(led；light
‑
emitting diode)显示器、微型led(micro
‑
led)
91.显示器、小型led(mini
‑
led)显示器、量子点led(quantum dots led；qled或qd
‑
led)显示器、荧光材料、磷光体材料、其它合适的显示器或其组合，但不限于此。
92.尽管术语第一、第二、第三等可用来描述不同的构成元件，但构成元件不受术语限制。术语仅用来区分说明书中的单个构成元件与其它构成元件。相同术语可能无法用于权利要求，但可以按权利要求中申明的元件顺序用第一、第二、第三等替换。因此，在以下说明书中，第一构成元件可以是权利要求中的第二构成元件。
93.在本公开的一些实施例中，除非另外具体定义，否则与结合(joining)及连接相关的术语，如“连接”及“互连”可指代处于直接接触的两个结构，或可指代不处于直接接触的两个结构且其它结构设置于两个结构之间。此外，关于结合及连接的术语可包含两个结构是可移动的或两个结构是固定的情况。另外，术语“耦合”包含任何直接及间接的电连接手段。
94.应注意，在以下所描述的不同实施例中的技术特征可在不脱离本公开的精神的情况下进行替换、重组或与彼此混合以构成另一实施例。
95.现将详细参考本公开的示范性实施例，其实例在附图中加以说明。只要可能，相同的参考标号用来表示附图及描述中的相同或类似的部件。
96.在本实施例中，电子装置的制造方法包含在至少一个静电放电保护单元的保护下将多个发光单元从载体基板转移至目标基板。详细地说，将多个发光单元从载体基板转移至目标基板可包含以下步骤：1)通过拾取工具从载体基板拾取多个发光单元，以及随后2)将多个发光单元放置至目标基板上。
97.另外，在通过拾取工具从载体基板拾取多个发光单元的步骤中，当拾取工具接触载体基板上的多个发光单元时，可产生静电放电从而损坏多个发光单元。在将多个发光单元放置至目标基板上的步骤中，当位于拾取工具上的多个发光单元与目标基板接触时，也可产生静电放电从而损坏多个发光单元或目标基板。
98.另外，步骤(步骤1及步骤2)均可在至少一个静电放电保护单元(如以下第一静电放电保护单元esdp1、第二静电放电保护单元esdp2和/或第三静电放电保护单元esdp3)的
保护下执行。
99.在一些实施例中，至少一个静电放电保护单元可设置或位于拾取工具中以减少上述两个步骤中产生的静电放电对多个发光单元或目标基板的损坏。在一些实施例中，至少一个静电放电保护单元可设置或位于载体基板和/或目标基板中以减少上述两个步骤中产生的静电放电对多个发光单元或目标基板的损坏。在一些实施例中，至少一个静电放电保护单元可设置或位于拾取工具、载体基板和/或目标基板中，以减少上述两个步骤中产生的静电放电对多个发光单元或目标基板的损坏。
100.在下文中，将结合附图列出若干实施例以详细地阐释如何在拾取工具、载体基板和/或目标基板中配置静电放电保护单元。
101.图1是根据本公开的实施例在转移多个发光单元时的拾取工具及载体基板的剖面示意图。
102.参考图1，在本实施例中，拾取工具100包含主体110、一些抓取头120、121、122、123以及导电金属线130。导电金属线130可包含主体部131及多个延伸部132、133、134和/或135。主体部131设置于(或位于)拾取工具100的主体110中，导电金属线130的多个延伸部132、133、134、135分别从主体部131延伸至不同的抓取头120、121、122、123，且延伸部132、133、134、135呈不同图案，但不限于此。举例来说，延伸至抓取头120的延伸部132是线性图案。延伸至抓取头121中的延伸部133是回路图案，延伸至面朝多个发光单元300的抓取头122的表面122a的延伸部134例如是线性图案，延伸至面朝多个发光单元300的抓取头123的表面123a的延伸部135例如是回路图案，但不限于此。在另一实施例中，可根据需求改变多个延伸部132、133、134和/或135的图案。在一些实施例中，抓取头120、121、122和/或123的材料可包含聚二氧环己酮(polydioxanone；pds)类聚合材料、粘性材料、弹性材料、聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane；pdms)或以上的组合，但不限于此。在一些实施例中(图中未示)，设置于不同抓取头中的导电金属线的延伸部可例如具有相同的图案。
103.随后，导电金属线130的主体部131通过电线连接至地gnd或低电位电压(图中未示)，如由虚线d1所示。因此，在将多个发光单元300从载体基板200转移至目标基板(图中未示)的步骤中，通过将导电金属线130接地可减少在拾取工具100的抓取头120、121、122和/或123接触载体基板200上的多个发光单元300时所产生的静电放电，可减少所产生的静电放电以降低多个发光单元300被损坏得机会。在一些实施例中，位于拾取工具100中的导电金属线130可例如视为第一静电放电保护单元esdp1。换句话说，第一静电放电保护单元esdp1可位于拾取工具100中。在其它实施例中，第一静电放电保护单元esdp1可包含导电金属线130和/或开关元件。
104.在本实施例中，载体基板200包含基板210和/或第一导电金属线220。基板210可包含多个凹部211、第一表面212及与第一表面212相对的第二表面213。多个凹部211可例如暴露基板210的第三表面214。第一导电金属线220可设置于基板210的第一表面212和/或多个凹部211上。在一些实施例中，空气可例如位于凹部211与第一导电金属线220之间。多个发光单元300可设置于第一导电金属线220上，多个发光单元300可分别重叠于凹部211，但不限于此。发光单元300的n型电极(图中未示)与第一导电金属线220可接触且电连接至第一导电金属线220，发光单元300的p型电极(图中未示)与第二导电金属线可接触(图中未示)且电连接至第二导电金属线。第二导电金属线可设置于基板210的第一表面212上。
105.在将多个发光单元300从载体基板200转移至目标基板(图中未示)的步骤之前,可通过分别对第一导电金属线220及第二导电金属(图中未示)施加不同信号来对多个发光单元300执行测试以确保多个发光单元300的正常操作。
106.随后，在执行测试之后，可例如将第一导电金属线220连接至地gnd(如由虚线d2所示)，可转移多个发光单元300。在将多个发光单元300从载体基板200转移至目标基板(图中未示)的步骤中，可例如通过将位于载体基板200中的第一导电金属线220接地gnd可减少在拾取工具100的抓取头120、121、122、和/或123接触载体基板200上的多个发光单元300时所产生的静电放电，可减少多个发光单元300被损坏的机会。在本实施例中，设置或位于载体基板200中的第一导电金属线220可例如视为第二静电放电保护单元esdp2，但不限于此。换句话说，第二静电放电保护单元esdp2可位于载体基板200中，第二静电放电保护单元esdp2可是第一导电金属线220。
107.图2a是根据本公开的另一实施例在转移多个发光单元时的载体基板的上视示意图。图2b是图2a的载体基板沿着剖面线a
‑
a'的基板剖面示意图。请参考图1、图2a以及图2b，本实施例中的载体基板200a大体上类似于图1中的载体基板200。载体基板200a与载体基板200的不同之处主要在于：载体基板200a可还包含设置于多个导电金属线220a及多个发光单元300上的固定层230，多个导电金属线220a可例如不与多个发光单元300接触。在拾取工具100的抓取头120、121、122和/或123接触载体基板200a上的多个发光单元300时所产生的静电电荷可通过固定层230转移到导电金属线220a，静电电荷可通过将导电金属线220a(其可视为位于载体基板200a中的第二静电放电保护单元esdp2)接地来降低或去除。换句话说，导电金属线220a可连接至地gnd(或低电位，图中未示)，如由虚线d3所示。在一些实施例中，固定层230的材料可包含氮化硅、氧化硅、其它合适的材料或以上的组合，但不限于此。
108.多个发光单元300与凹部211重叠，固定层230可设置于基板210的第一表面212上和/或覆盖个发光单元300的至少一部分、多个凹部211的一部分以及导电金属线220a的一部分。
109.在将多个发光单元300从载体基板200a转移至目标基板(图中未示)的步骤中，在拾取工具100的抓取头120、121、122、和/或123接触载体基板200a上的多个发光单元300时所产生的静电放电可通过将导电金属线220a接地gnd来减少或去除，可降低所产生的静电放电以减少多个发光单元300被损坏的机会。在一些实施例中，设置(或位于)在载体基板200a中的导电金属线220a可例如视为第二静电放电保护单元esdp2。换句话说，第二静电放电保护单元esdp2可位于载体基板200a中。在一些实施例(图中未示)中，凹部211的形状并不限制于矩形，凹部211可包含多边形形状、弯曲形状或其它合适的形状。
110.图3a是根据本公开的另一实施例在转移多个发光单元时的目标基板的剖面示意图。图3b是图3a中的目标基板的电路示意图。参考图3a及图3b，在本实施例中，目标基板400包含基板410、第一薄膜晶体管420(如开关晶体管)、第二薄膜晶体管430(如驱动晶体管)、第一开关元件440、多个接合垫(如p型接合垫450及n型接合垫451)以及图案化遮蔽层460。基板410可包括柔性基板、刚性基板或其组合。举例来说，基板410的材料可包含金属、塑料、玻璃、石英、蓝宝石、陶瓷、聚碳酸酯(polycarbonate；pc)、聚酰亚胺(polyimide；pi)、聚对苯二甲酸亚乙酯(polyethylene terephthalate；pet)、玻璃纤维、其它合适的基板材料或以上的组合，但不限于此。
111.在一些实施例中，图案化遮蔽层460可例如设置于基板410上。第一薄膜晶体管420、第二薄膜晶体管430以及第一开关元件440可分别设置于图案化遮蔽层460上。第二薄膜晶体管430可位于第一薄膜晶体管420与第一开关元件440之间，且第二薄膜晶体管430可电连接在第一薄膜晶体管420与第一开关元件440之间。在一些实施例中，图案化遮蔽层460在基板410上的投影分别重叠于第一薄膜晶体管420的通道区se1、第二薄膜晶体管430的通道区se2和/或第一开关元件440的通道区se3在基板410上的投影。在一些实施例中，通道区se1、通道区se2和/或通道区se3可由相同半导体层或不同半导体层形成。
112.另外，第一薄膜晶体管420(如第一薄膜晶体管420的漏极)可经由位于另一剖面的电线(如由虚线l1所示)电连接至第二薄膜晶体管430(如第二薄膜晶体管430的栅极)。第一开关元件440可包含栅极441、源极区443、漏极区444以及通道区se3，栅极绝缘层442的一部分可设置于通道区se3与栅极441之间，但不限于此。在一些实施例中，第一开关元件440的栅极441可电连接至第一开关元件440的源极区443，但不限于此。在一些实施例中，第二薄膜晶体管430的漏极区431可电连接至第一开关元件440的栅极441和/或p型接合垫450。在一些实施例中，n型接合垫451可经由位于另一剖面的电线(如由虚线l2所示)可电连接至第一开关元件440的漏极区444。在其它实施例中(图中未示)，n型接合垫451可不电连接至第一开关元件440(如第一开关元件440的漏极区444)，n型接合垫451可电连接至地gnd或低电位(图中未示)。在一些实施例中，设置于目标基板400的像素区中的第一开关元件440可经由第一开关元件440的漏极区444连接至地gnd(或低电位(图中未示))，如由虚线d4所示。像素区可由扫描线470及数据线471界定，扫描线470(图3a中未示，但可参考图3b)及数据线471(图3a中未示，但可参考图3b)可交叉以形成多个像素区。
113.在一些实施例中，在将多个发光单元300从载体基板(图中未示)转移至目标基板400时，多个发光单元300可例如通过拾取工具(图中未示)拾取，静电放电可能在发光单元300的p型电极450
‑
1与目标基板400的p型接合垫450接触和/或发光单元300的n型电极451
‑
1与目标基板400的n型接合垫451接触时而产生，通过将目标基板400的接合垫(如n型接合垫451)接地可减少或去除静电放电，或可减少或去除因静电放电而对多个发光单元300和/或目标基板400造成损坏的机会。在一些实施例中，位于目标基板400中的开关(如第一开关元件440)可视为第三静电放电保护单元esdp3。换句话说，至少一个第三静电放电保护单元esdp3位于目标基板400中。在一些实施例中，位于目标基板400中的至少一个第三静电放电保护单元esdp3电连接至多个接合垫(如目标基板400的p型接合垫450)。在一些实施例中，位于目标基板400中的至少一个第三静电放电保护单元esdp3包括多个开关(如第一开关元件440)，多个开关例如用于在将多个发光单元300从载体基板200(或200a)转移至目标基板400的步骤中将多个接合垫(如p型接合垫450)接地。
114.在一些实施例中，目标基板400可还包含扫描线470、数据线471、供电线472(如vdd)、电容473、公共电压线(图中未示)和/或信号参考线(图中未示，如vss)，但不限于此。
115.图4a是根据本公开的另一实施例在转移多个发光单元时的目标基板的剖面示意图。图4b是将图4a中的目标基板的静电放电保护单元接地的上视示意图。请参考图3a及图4a，目标基板400a大体上类似于图3a中的目标基板400。目标基板400a与目标基板400的不同之处主要在于：目标基板400a还包含第二开关元件440'，第二开关元件440'可电连接至第一开关元件440a。在一些实施例中，第二开关元件440'可包含栅极441'、源极区443'、漏
极区444'以及通道区se3'。第二开关元件440'的栅极441'可电连接至第二开关元件440'的源极区443'。在一些实施例中，第二开关元件440'的漏极区444'可接触和/或电连接至第一开关元件440a的漏极区444，第一开关元件440a及第二开关元件440'的配置结构可视为背对背二极管。在一些实施例中，位于目标基板中的至少一个静电放电保护单元包括背对背二极管。换句话说，位于目标基板400a中的至少一个第三静电放电保护单元esdp3包括背对背二极管。
116.在一些实施例中，设置于目标基板400a的像素区中的第二开关元件440'可经由第二开关元件440'的源极区443'连接至地gnd(或低电位，图中未示)，如由虚线d5所示。换句话说，p型接合垫450可经由第一开关元件440a及第二开关元件440'电连接至地gnd(或低电位,图中未示)。在一些实施例中，n型接合垫451a可电连接至地gnd(如由虚线d6所示)，但不限于此。
117.在一些实施例中，设置于目标基板400a中的第一开关元件440a及第二开关元件440'(背对背二极管)的配置结构可视为第三静电放电保护单元esdp3。换句话说，第三静电放电保护单元esdp3例如是第一开关元件440a及第二开关元件440'的配置结构。在一些实施例中，位于目标基板中的至少一个静电放电保护单元电连接至接合垫。换句话说，第三静电放电保护单元esdp3可位于目标基板400a中，且至少一个第三静电放电保护单元esdp3可电连接至目标基板400a的接合垫(如p型接合垫450)。
118.参考图4b，目标基板400a可具有以阵列形式布置于基板410上的多个子像素区401a(示意性地示出为图4b中的9个子像素区，但不限于此)。第一列c1的子像素区401a中的p型接合垫450可经由对应的第一开关元件440a和/或对应的第二开关元件440'连接至接地线gnd1，但不限于此。另外，第二列c2的子像素区401a中的p型接合垫450可经由对应的第一开关元件440a及对应的第二开关元件440'连接至接地线gnd2。第三列c3的子像素区401a中的p型接合垫450可经由对应的第一开关元件440a及对应的第二开关元件440'连接至接地线gnd3。在一些实施例中，接地线gnd1、接地线gnd2和/或接地线gnd3可彼此电连接，但不限于此。
119.图5a是根据本公开的另一实施例在转移多个发光单元时的目标基板的剖面示意图。图5b是将图5a中的目标基板的静电放电保护单元接地的上视示意图。请参考图4a至图4b以及图5a至图5b，目标基板400b可大致上类似于图4a至图4b中的目标基板400a。目标基板400b与目标基板400a的不同之处主要在于：目标基板400b的n型接合垫451b可电连接至第二开关元件440b。具体地说，如图5a中所示，在一些实施例中，目标基板400b的n型接合垫451b可经由位于另一剖面的电线(如由虚线l3所示)电连接至第二开关元件440b的源极区443'。
120.参考图5b，在一些实施例中，目标基板400b可具有以阵列形式布置于基板410上的多个子像素区401b(图5b中示意性地示出为9个子像素区，但不限于此)。第一行r1的子像素区401b中的p型接合垫450可连接至接地线gnd4。子像素区401b中的n型接合垫451b及p型接合垫450可经由对应的第一开关元件440a及对应的第二开关元件440b进行电连接，第一行r1的子像素区401a中的p型接合垫450及n型接合垫451b可连接至接地线gnd4。另外，第二行r2的子像素区401a中的p型接合垫450及n型接合垫451b可经由对应的第一开关元件440a及对应的第二开关元件440b连接至接地线gnd5。第三行r3的子像素区401a中的p型接合垫450
及n型接合垫451b可经由对应的第一开关元件440a及对应的第二开关元件440b连接至接地线gnd6。
121.图6a是根据本公开的另一实施例在转移多个发光单元时的目标基板的剖面示意图。图6b是将图6a中的目标基板的静电放电保护单元接地的上视示意图。请参考图3a及图6a，本实施例中的目标基板400c大致上类似于图3a中的目标基板400。目标基板400c与目标基板400的不同之处主要在于：目标基板400c不包含第一开关元件。
122.具体地说，参考图6a及图6b，在一些实施例中，设置于目标基板400c的像素区401c中的第二薄膜晶体管430c可经由第二薄膜晶体管430c的源极432连接至信号线472'，如由虚线d7所示。应注意，信号线472'可在至少一个静电放电保护单元的保护下转换低电位或地电位(gnd)，而如何在不同状态下经由信号线472'转换电位则可参考图6c至图6d。换句话说，p型接合垫450可经由第二薄膜晶体管430c电连接至低电位或地gnd，但不限于此。应注意，信号线472'可在驱动像素下传送高电位(如vdd)。应注意，通过信号线472'传送的电位(高电位、低电位或地电位)可经由ic芯片(图中未示)或控制器(图中未示)来进行切换。
123.参考图6b，在本实施例中，目标基板400c可具有以阵列形式布置的多个子像素区401c(图6b中示意性地示出为9个子像素区，但不限于此)。多个子像素区401c由彼此交错的扫描线470与数据线471来定义。第一列c1(第二列c2或第三列c3)的子像素区401c中的p型接合垫450可经由对应的第二薄膜晶体管430c连接至信号线472'。信号线472'在至少一个静电放电保护单元的保护下转移低电位或地电位(gnd)。
124.在一些实施例中，目标基板400c的第二薄膜晶体管430c可视为第三静电放电保护单元esdp3。第三静电放电保护单元esdp3可位于目标基板400c中且电连接至p型接合垫450。在其它实施例中，p型接合垫450及n型接合垫451彼此替换。
125.接着，将举例说明在将多个发光单元300放置至目标基板400c上的步骤中的数据线电压及栅极电压的设计。图6c是图6a的数据线电压及栅极电压的时序图。图6d是图6a的数据线电压及栅极电压的另一时序图。
126.参考图6c，在一些实施例中，在将多个发光单元300放置至目标基板400c上的步骤中，拾取工具、多个发光单元300以及目标基板400c之间的相互作用可划分成三个状态。状态a：多个发光单元300位于拾取工具上。换句话说，通过拾取工具拾取载体基板上的多个发光单元300。状态b：位于拾取工具上的多个发光单元300接触目标基板400c的p型接合垫450和/或n型接合垫451。状态c：从拾取工具分离的多个发光单元300接合至目标基板400c的p型接合垫450和/或n型接合垫451。
127.在一些实施例中，信号线472'的电压在状态a至状态c中可以是0v(地电位)或低电位。栅极电压(如扫描线470电压)在状态a开始时可以是0v或低电位。然而，在预备进入状态b之前，栅极电压可以是高电位，或可持续提供栅极电压(高电位)直到进入到状态c为止，此时栅极电压可切换或恢复至0v或低电位。
128.参考图6d，在一些实施例中，信号线472'的电压及栅极电压的设计与图6c的不同之处主要在于：在预备进入状态b之前，栅极电压可以是高电位。然而，在进入到状态b之后，栅极电压可在状态b的部分时间内切换或恢复至0v或低电位，随后栅极电压可在状态b的部分时间内再次切换至高电位。随后，在预备进入状态c之前，栅极电压可持续是高电位直到进入到状态c为止。
129.图7是根据本公开的另一实施例在转移多个发光单元时的目标基板的剖面示意图。请参考图3a及图7，目标基板400d大致上类似于图3a中的目标基板400。目标基板400d与目标基板400的不同之处主要在于：目标基板400d的第一开关元件440d可经由发光单元300电连接至第二薄膜晶体管430，第一开关元件440d可电连接至n型接合垫451d，p型接合垫450可电连接至第二薄膜晶体管430，第一开关元件440d及第二薄膜晶体管430可分别设置于基板410的两个相对侧面上。
130.第一开关元件440d可设置于目标基板400的非像素区中，但不限于此。在一些实施例中，在基板410的法线方向上，第一开关元件440d可与发光单元300部份重叠，但不限于此。
131.具体地说，在一些实施例中，基板410可包含上表面410a及与上表面410a相对的底表面410b。第一薄膜晶体管420、第二薄膜晶体管430和/或发光单元300可例如设置于基板410的上表面410a上，第一开关元件440d和/或芯片500可例如设置于基板410的底表面410b上。在一些实施例中，基板410可包含与上表面410a及底表面410b连接的侧表面410c，导电线480d可设置于上表面410a上且沿着侧表面410c延伸至底表面410b。导电线480d可电连接至n型接合垫451d、第一开关元件440d和/或芯片500。具体地说，n型接合垫451d可经由导电线480d电连接至第一开关元件440d的栅极441d，第一开关元件440d的栅极441d可电连接至第一开关元件440d的源极区443d。芯片500可经由导电线480d电连接至第一开关元件440d的栅极441d。
132.在一些实施例中，第一开关元件440d可经由第一开关元件440d的漏极区444d连接至地gnd(或低电位，图中未示)，如由虚线d8所示。换句话说，n型接合垫451d可经由导电线480d及第一开关元件440d电连接至地gnd(或低电位，图中未示)，但不限于此。
133.在一些实施例中，设置于或位于目标基板400d中的第一开关元件440d可视为第三静电放电保护单元esdp3。换句话说，第三静电放电保护单元esdp3是第一开关元件440d。第三静电放电保护单元esdp3可位于目标基板400d的非像素区中且经由导电线480d(如侧导电线)电连接至n型接合垫451d，但不限于此。
134.图8是根据本公开的另一实施例在转移多个发光单元时的目标基板的剖面示意图。请参考图7及图8，目标基板400e大致上类似于图7中的目标基板400d。目标基板400e与目标基板400d的不同之处主要在于：目标基板400e的第一开关元件440e(第一开关元件440e的栅极441e)可经由导电线481e电连接至第二薄膜晶体管430e，第一开关元件440e可经由第二薄膜晶体管430e(如第二薄膜晶体管430e的源极区434e)电连接至p型接合垫450e。在一些实施例中，第二薄膜晶体管430e可经由第二薄膜晶体管430e的漏极区433e接触和/或电连接至导电线481e。
135.在一些实施例中，第一开关元件440e的栅极441e可电连接至芯片500和/或导电线481e。第一薄膜晶体管420e(如漏极区)可经由位于另一剖面的电线(如由虚线l4所示)电连接至第二薄膜晶体管430e的栅极431e。在一些实施例中，设置于目标基板400e的非像素区中的第一开关元件440e可经由第一开关元件440e的漏极区444e连接至地gnd(或低电位，图中未示)，如由虚线d8所示。换句话说，p型接合垫450e可经由第二薄膜晶体管430e、导电线481e和/或第一开关元件440e电连接至地gnd(或低电位，图中未示)。另外，n型接合垫451e可经由导电线480e连接至地gnd，如由虚线d9所示。
136.在一些实施例中，设置于或位于目标基板400e中的第一开关元件440e可视为第三静电放电保护单元esdp3。换句话说，第三静电放电保护单元esdp3例如是第一开关元件440e。第三静电放电保护单元esdp3位于目标基板400e的非像素区中，第三静电放电保护单元esdp3可经由导电线480e(如侧导电线)电连接至p型接合垫450e，但不限于此。
137.图9a是根据本公开的另一实施例在转移多个发光单元时的目标基板的剖面示意图。图9b是图9a中的目标基板的电路示意图。请参考图7及图9a，本实施例中的目标基板400f大致上类似于图7中的目标基板400d。目标基板400f与目标基板400d的不同之处主要在于：目标基板400f还包含第二开关元件440”。
138.在一些实施例中,第一薄膜晶体管420、第二薄膜晶体管430和/或第二开关元件440”可设置于基板410的上表面410a上。第二薄膜晶体管430可位于或连接于第一薄膜晶体管420与第二开关元件440”之间。第一开关元件440f及芯片500可设置于基板410的底表面410b上。第二开关元件440”及第一开关元件440f可分别设置于基板410的两个相对表面上(如底表面410b及上表面410a)。
139.导电线480f电连接至n型接合垫451f、第二开关元件440”(如第二开关元件440”的栅极441”)、第一开关元件440f(如第一开关元件440f的栅极441f)以及芯片500。n型接合垫451f可经由导电线480f电连接至第一开关元件440f的栅极441f，且第一开关元件440f的栅极441f可电连接至第一开关元件440f的源极区443f。
140.在一些实施例中，第二开关元件440”的漏极区444”可电连接至第一开关元件440f的源极区443f，如虚线l5所示。在一些实施例中，设置于目标基板400f的非像素区中的第一开关元件440f的漏极区444f可连接至地gnd(或低电位，图中未示)，如由虚线d8所示。换句话说，n型接合垫451f可经由导电线480f和/或第一开关元件440f电连接至地gnd(或低电位，图中未示)，但不限于此。
141.在一些实施例中，设置于或位于目标基板400f中的第一开关元件440f及第二开关元件440”可视为第三静电放电保护单元esdp3。换句话说，第三静电放电保护单元esdp3可例如是开关元件的组合，如第一开关元件440f与第二开关元件440”的组合，但不限于此。在一些实施例中，开关元件的数目可根据需求调整。在一些实施例中，部分的第三静电放电保护单元esdp3可位于目标基板400f的像素区中，部分的第三静电放电保护单元esdp3可位于目标基板400f的非像素区中，目标基板400f的第三静电放电保护单元esdp3可例如电连接至n型接合垫451f，但不限于此。在另一实施例中，第三静电放电保护单元esdp3可位于非像素区中。
142.参考图9b，在一些实施例中，目标基板400f可包含扫描线470、数据线471、供电线472(如vdd)、电容473、信号参考线600(如vss)，但不限于此。
143.在一些实施例中(图中未示)，离子扇可用作静电放电保护单元。具体地说，由离子扇提供的正离子或负离子可用来中和在将多个发光单元从载体基板转移至目标基板的步骤中所产生的静电放电。举例来说，在从载体基板拾取多个发光单元之前，导通离子扇可透过产生正离子(或负离子)来中和在拾取工具的抓取头接触多个发光单元时所产生的静电放电，但不限于此。另外，在将多个发光单元放置至目标基板上之前，导通离子扇可透过产生负离子(或正离子)来中和在多个发光单元接触至目标基板时所产生的静电放电，但不限于此。
144.第一静电放电esdp1可例如表示位于所附权利要求中的拾取工具中的静电放电保护单元，第二静电放电esdp2可例如表示位于所附权利要求中的载体基板中的静电放电保护单元，第三静电放电esdp3可例如表示位于所附权利要求中的目标基板中的静电放电保护单元。
145.根据以上所提到的内容，电子装置的制造方法可包括：经由以下步骤将多个发光单元300从载体基板(200或200a)转移至目标基板(400、400a、400c、400d、400e或400f)：通过拾取工具100从载体基板(200或200a)拾取多个发光单元300，以及将多个发光单元300放置至目标基板(400、400a、400c、400d、400e或400f)上，其中步骤均在至少一个静电放电保护单元(esdp1、esdp2或esdp3)的保护下执行。
146.在一些实施例中，至少一个静电放电保护单元位于载体基板、目标基板和/或拾取工具中。换句话说，电子装置可包括位于拾取工具100中的至少一个第一静电放电保护单元(esdp1)、位于载体基板(200或200a)中的至少一个第二静电放电保护单元(esdp2)和/或位于目标基板(400、400a、400c、400d、400e或400f)中的至少一个第三静电放电保护单元(esdp3)。
147.电子装置的制造方法可包括：当至少一个静电放电保护单元包括至少一个第一静电放电保护单元(esdp1)时，在将多个发光单元300从载体基板(200或200a)转移至目标基板(400、400a、400c、400d、400e或400f)的步骤中将至少一个第一静电放电保护单元(esdp1)接地。
148.电子装置的制造方法可包括：当至少一个静电放电保护单元包括至少一个第二静电放电保护单元(esdp2)和/或第三静电放电保护单元(esdp3)时，在将多个发光单元300从载体基板(200或200a)转移至目标基板(400、400a、400c、400d、400e或400f)的步骤中将位于载体基板(200或200a)中的至少一个第二静电放电保护单元(esdp2)和/或位于目标基板(400、400a、400c、400d、400e或400f)中的至少一个第三静电放电保护单元(esdp3)接地。
149.在一些实施例中，目标基板包括多个接合垫，且位于目标基板中的至少一个静电放电保护单元电连接至多个接合垫。换句话说，目标基板(400、400a、400c、400d、400e或400f)包括多个接合垫(如目标基板的p型接合垫或n型接合垫)，位于目标基板(400、400a、400c、400d、400e或400f)中的至少一个第三静电放电保护单元esdp3可电连接至多个接合垫(如目标基板的p型接合垫或n型接合垫)。在一些实施例中，位于目标基板中的至少一个静电放电保护单元包括多个开关，且用于将多个发光单元从载体基板转移至目标基板的步骤中将多个接合垫接地。换句话说，位于目标基板中的至少一个第三静电放电保护单元esdp3可包括多个开关(如第一开关元件和/或第二开关元件)，所述多个开关可用于在将多个发光单元300从载体基板(200或200a)转移至目标基板(400、400a、400c、400d、400e或400f)的步骤中将目标基板的接合垫(p型接合垫或n型接合垫)接地。
150.概括地说，在根据本公开的实施例的制造电子装置的方法中，通过在拾取工具、载体基板和/或目标基板中提供至少一个静电放电保护单元，可减少电子装置在将多个发光单元从载体基板转移至目标基板的步骤中受到静电放电的损坏。因此，根据实施例的电子装置的制造方法具有增强电子装置的质量或可靠性的效应。
151.所属领域的技术人员将显而易见，在不脱离本公开的精神或范围的情况下可对所公开的实施例作出各种修改及变化。鉴于以上内容，希望本公开在所述修改及变化属于所
附权利要求及其等效物的范围内的条件下涵盖所述修改及变化。