发光二极管封装结构及其制作方法与流程

1.本发明涉及一种封装结构及其制作方法，尤其涉及一种发光二极管封装结构及其制作方法。


背景技术：

2.目前大型微型发光二极管显示屏(micro led display)主要是使用被动式驱动(pm driving)的印刷电路板(pcb)背板，其缺点为需要大量的驱动芯片，因此价格较为昂贵。然而，主动式驱动(am driving)的薄膜晶体管(tft)背板整合了驱动芯片线路于玻璃基板上，价格虽然较便宜，但因为玻璃基板无法在背面焊接电子元件，因而不易制成大型的显示屏。


技术实现要素：

3.本发明是针对一种发光二极管封装结构，其解决的现有无法在玻璃基板的背面上焊接电子元件的问题，且具有低成本的优势。
4.本发明是针对一种发光二极管封装结构的制作方法，用以制作上述的封装结构，具有较低的制作成本。
5.根据本发明的实施例，发光二极管封装结构的制作方法，其包括以下步骤。提供载板。形成重配置线路层于载板上。形成多个主动元件于载板上。转移多个发光二极管于重配置线路层上。发光二极管与主动元件分别与重配置线路层电性连接。主动元件适于分别驱动发光二极管。形成封装胶体于重配置线路层上，以包覆发光二极管。移除载板，以暴露出重配置线路层的底面。
6.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述于形成主动元件于载板上之前，先形成重配置线路层于载板上。
7.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的载板上具有离型膜，重配置线路层位于离型膜上。移除载板时，剥离离型膜，以分离重配置线路层与载板。
8.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的主动元件与发光二极管位于重配置线路层相对远离载板的一侧上。
9.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的每一发光二极管具有彼此相对的主动面与背面，而主动面位于背面与重配置线路层之间。
10.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的发光二极管封装结构的制作方法，还包括：于转移发光二极管于重配置线路层上之前，形成介电层于重配置线路层上，介电层覆盖主动元件，且介电层具有多个开口以暴露出部分重配置线路层。形成表面处理层于开口内且直接接触重配置线路层。
11.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的每一发光二极管具有彼此相对的主动面与背面，而背面位于主动面与重配置线路层之间。
12.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的发光二极管封装结构的制作方法，还包括：于形成封装胶体于重配置线路层上之前，形成介电层于重配置线路层上。介电层覆盖主动元件与发光二极管。每一发光二极管的主动面切齐于介电层的表面。介电层具有多个开口以暴露出部分重配置线路层。形成多条线路于开口内且延伸至介电层的表面以连接每一发光二极管的主动面。
13.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述于形成重配置线路层于载板上之前，先形成主动元件于载板上。
14.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的载板上具有离型膜，而主动元件与重配置线路层位于离型膜上。
15.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述移除载板时，剥离离型膜，以暴露出重配置线路层的底面以及主动元件的表面。
16.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的每一发光二极管具有彼此相对的主动面与背面，而主动面位于背面与重配置线路层之间。
17.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的于转移发光二极管于重配置线路层上之前，形成介电层于重配置线路层上，介电层具有多个开口以暴露出部分重配置线路层。形成表面处理层于开口内且直接接触重配置线路层。
18.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的每一发光二极管具有彼此相对的主动面与背面，而背面位于主动面与重配置线路层之间。
19.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的发光二极管封装结构的制作方法，还包括：于形成封装胶体于重配置线路层上之前，形成介电层于重配置线路层上。介电层覆盖发光二极管。每一发光二极管的主动面切齐于介电层的表面。介电层具有多个开口以暴露出部分重配置线路层。形成多条线路于开口内且延伸至介电层的表面以连接每一发光二极管的主动面。
20.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述的发光二极管封装结构的制作方法，还包括：形成封装胶体于重配置线路层上之后，且于移除载板之前，提供光学基材于封装胶体的顶面上。
21.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构的制作方法中，上述发光二极管封装结构的制作方法还包括：移除载板以暴露出重配置线路层的底面之后，形成表面处理层于重配置线路层的底面上。
22.根据本发明的实施例，发光二极管封装结构，其包括重配置线路层、多个主动元件、多个发光二极管以及封装胶体。主动元件配置于重配置线路层上，且与重配置线路层电性连接。发光二极管配置于重配置线路层上，且与重配置线路层电性连接。主动元件适于分别驱动发光二极管。封装胶体配置于重配置线路层上，且包覆发光二极管。
23.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构中，上述的重配置线路层具有彼此相对的顶面与底面，且包括邻近于顶面的第一线路结构以及邻近于底面的第二线路结构。
24.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构中，上述的主动元件与发光二极管位于第一线路结构上。
25.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构中，上述的每一发光二极管具有彼此相对的主动面与背面，而主动面位于背面与重配置线路层之间。
26.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构中，上述的发光二极管封装结构，还包括：介电层以及表面处理层。介电层配置于重配置线路层上。介电层覆盖主动元件，且介电层具有多个开口以暴露出部分重配置线路层。表面处理层配置于介电层的开口内，且直接接触重配置线路层。
27.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构中，上述的每一发光二极管具有彼此相对的主动面与背面，而背面位于主动面与重配置线路层之间。
28.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构中，上述的发光二极管封装结构，还包括介电层以及多条线路。介电层配置于重配置线路层上，且介电层覆盖主动元件与发光二极管。每一发光二极管的主动面切齐于介电层的表面。介电层具有多个开口以暴露出部分重配置线路层。线路配置于开口内且延伸至介电层的表面以连接每一发光二极管的主动面。
29.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构中，上述的发光二极管位于第一线路结构上，而主动元件与第二线路结构位于同一平面上。
30.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构中，上述的每一发光二极管具有彼此相对的主动面与背面，而主动面位于背面与重配置线路层之间。
31.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构中，上述的发光二极管封装结构，还包括：介电层以及表面处理层。介电层配置于重配置线路层上，其中介电层具有多个开口以暴露出部分重配置线路层。表面处理层配置于介电层的开口内，且直接接触重配置线路层。
32.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构中，上述的每一发光二极管具有彼此相对的主动面与背面，而背面位于主动面与重配置线路层之间。
33.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构中，上述的发光二极管封装结构，还包括介电层以及多条线路。介电层配置于重配置线路层上，且介电层覆盖发光二极管。每一发光二极管的主动面切齐于介电层的表面。介电层具有多个开口以暴露出部分重配置线路层。线路配置于开口内且延伸至介电层的表面以连接每一发光二极管的主动面。
34.在根据本发明的实施例的发光二极管封装结构中，上述的发光二极管封装结构，还包括：光学基材，配置于封装胶体的顶面上。
35.基于上述，在本发明的发光二极管封装结构及其制作方法中，发光二极管转移至与主动元件电性连接的重配置线路层上，且主动元件适于驱动发光二极管。藉此，解决的现有无法在玻璃基板的背面上焊接电子元件的问题。此外，由于本发明是采用主动元件来驱动发光二极管，因此相较于现有以被动元件来驱动而言，本发明的发光二极管封装结构及其制作方法具有低成本的优势。
附图说明
36.图1a至图1i是依照本发明的一实施例的一种发光二极管封装结构的制作方法的剖面示意图；
37.图2是将图1i的发光二极管封装结构接合至一电路板的剖面示意图；
38.图3a至图3g是依照本发明的另一实施例的一种发光二极管封装结构的制作方法的局部步骤的剖面示意图；
39.图4是将图3g的发光二极管封装结构接合至电路板的剖面示意图；
40.图5a至图5e是依照本发明的另一实施例的一种发光二极管封装结构的制作方法及其应用的剖面示意图；
41.图6a至图6e是依照本发明的另一实施例的一种发光二极管封装结构的制作方法及其应用的剖面示意图。
42.附图标记说明
43.10:载板
44.12:离型膜
45.20:外部电路
46.22:接垫
47.100a、100b、100c、100d:发光二极管封装结构
48.110a、110b、110c、110d:重配置线路层
49.111a、111b:顶面
50.112a、112b、112c、112d:第一线路结构
51.113a、113b、113c、113d:底面
52.114a、114b、114c、114d:第二线路结构
53.115、117、118、119:介电层
54.115a、117a、118a、119a:开口
55.118b、119b:表面
56.120a、120b、120c、120d:主动元件
57.122b、122d:表面
58.125、127:表面处理层
59.130a、130b:发光二极管
60.132a、132b:背面
61.134a、134b:主动面
62.140:封装胶体
63.142:顶面
64.150:光学基材
65.160:黏着层
66.170:线路
67.g、g’:间距
具体实施方式
68.现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
69.图1a至图1i是依照本发明的一实施例的一种发光二极管封装结构的制作方法的剖面示意图。关于本实施例的发光二极管封装结构的制作方法，首先，请先参考图1a，提供载板10。此处，载板10例如是玻璃基板，但并不以此为限。
70.接着，请参考图1b，形成离型膜12于载板10上，其中形成离型膜12的方式例如是旋
转涂布，但并不以此为限。
71.接着，请参考图1c，形成重配置线路层110a于载板10上，其中重配置线路层110a位于离型膜12上。重配置线路层110a具有彼此相对的顶面111a与底面113a，且包括邻近于顶面111a的第一线路结构112a以及邻近于底面113a的第二线路结构114a。底面113a贴合至载板10上的离型膜12，而顶面111a为相对远离载板10的一侧。此处，第一线路结构112a例如是图案化线路层或多个接垫，而第二线路结构114a则为多个导电通孔或多条线路，于此并不加以限制。
72.接着，请参考图1d，形成多个主动元件120a于载板10上。具体来说，主动元件120a例如是薄膜晶体管，但并不以此为限。主动元件120a形成在重配置线路层110a相对远离载板10的一侧上，且位于第一线路结构112a上，其中主动元件120a与第一线路结构112a电性连接。也就是说，本实施例是于重配置线路层110a上制作主动元件120a。
73.接着，请参考图1e，形成介电层115于重配置线路层110a上，其中介电层115覆盖主动元件120a，且介电层115具有多个开口115a以暴露出部分重配置线路层110a。此处，开口115a暴露出重配置线路层110a的部分第一线路结构112a。紧接着，形成表面处理层125于介电层115的开口115a内且直接接触重配置线路层110a，其中表面处理层125是形成在介电层115的开口115a所暴露出的第一线路结构112a上，以保护第一线路结构112a，避免产生氧化。此处，表面处理层125例如是镍层、金层、银层或镍钯金层，但并不以此为限。
74.接着，请参考图1f，转移多个发光二极管130a于重配置线路层110a上，其中发光二极管130a与主动元件120a皆位于重配置线路层110a的同一侧上。更具体来说，发光二极管130a具有彼此相对的背面132a与主动面134a，而主动面134a位于背面132a与重配置线路层110a之间。意即，发光二极管130a是以主动面134a朝下(face down)的方式配置于重配置线路层110a上。发光二极管130a位于设置有表面处理层125的第一线路结构112a上，其中表面处理层125位于发光二极管130a与第一线路结构112a之间。发光二极管130a与主动元件120a分别与重配置线路层110a电性连接，且主动元件120a适于分别驱动发光二极管130a。特别是，发光二极管130a于载板10上的正投影不重叠于主动元件120a于载板10上的正投影。此处，发光二极管130a示意地示出三个，其分别为红色发光二极管、蓝色发光二极管以及绿色发光二极管，但并不以此为限。较佳地，发光二极管130为微型发光二极管。
75.之后，请参考图1g，形成封装胶体140于重配置线路层110a上，以包覆发光二极管130a。此处，封装胶体140覆盖发光二极管130a的背面132a，且与背面132a具有间距g，以提供平坦化的效果。较佳地，封装胶体140例如是硅胶，用以固定发光二极管130a。
76.接着，请再参考图1g，提供光学基材150于封装胶体140的顶面142上。此处，光学基材150可使发光二极管130a所发出的光具有较佳的光学效能，其中光学基材150例如是光学板或光学膜。举例来说，光学板例如是导光板，而光学膜例如是扩散片、棱镜片或增亮膜、抗反射或抗眩膜，但不以此为限。
77.最后，请同时参考图1h与图1i，移除载板10，以暴露出重配置线路层110a的底面113a。于移除载板10时，剥离离型膜12，以分离重配置线路层110a与载板10。可选择性地，对重配置线路层110a的第二线路结构114a进行表面处理程序，而在重配置线路层110a的底面113a上形成表面处理层127，以保护第二线路结构114a。至此，已完成发光二极管封装结构100a的制作。
78.在结构上，请再参考图1i，本实施例的发光二极管封装结构100a包括重配置线路层110a、主动元件120a、发光二极管130a以及封装胶体140。重配置线路层110a具有彼此相对的顶面111a与底面113a，且包括邻近于顶面111a的第一线路结构112a以及邻近于底面113a的第二线路结构114a。主动元件120a与发光二极管130a皆配置于重配置线路层110a上，且皆与重配置线路层110a电性连接，其中主动元件120a适于分别驱动发光二极管130a。更进一步来说，主动元件120a与发光二极管130a位于第一线路结构112a上。封装胶体140配置于重配置线路层110a上以包覆发光二极管130a，且具有平坦化的效果。
79.再者，本实施例的发光二极管封装结构100a还包括表面处理层125、127，其中表面处理层125配置于发光二极管130a与第一线路结构112a之间，用以保护第一线路结构112a，而表面处理层127配置于重配置线路层110a的底面113a上，用以保护第二线路结构114a。此外，本实施例的发光二极管封装结构100a还包括光学基材150，其中光学基材150配置于封装胶体140的顶面142上。光学基材150例如是光学板或光学膜，用以提升发光二极管130a的光学效能。
80.简言之，在本实施例中，是于重配置线路层110a上先制作主动元件120a之后，将发光二极管130a转移至重配置线路层110a上，其中发光二极管130a以主动面132a朝下的方式配置于重配置线路层110a的第一线路层112a上，且主动元件120a适于驱动发光二极管130a。意即，本实施例的发光二极管封装结构100a具体化为主动式发光二极管封装结构。藉此，可解决的现有无法在玻璃基板的背面上焊接电子元件的问题。此外，由于本实施例是采用主动元件120a来驱动发光二极管130a，因此相较于现有以被动元件来驱动而言，本实施例的发光二极管封装结构100a及其制作方法具有低成本的优势。
81.在应用上，请参考图2，可将本实施例的发光二极管封装结构100a接合外部电路20，使重配置线路层110a的第二线路结构114a与外部电路20的接垫22电性连接。此处，外部电路20例如是印刷电路板，但并不以此为限。须说明的是，此处，仅示意地示出一个发光二极管封装结构100a接合至外部电路20上。若将多个发光二极管封装结构100a以拼接的方式接合至外部电路20上，则可形成大尺寸的显示屏。
82.须说明的是，在上述的发光二极管封装结构100a的制作方法中，在形成主动元件120a于载板10上之前，先形成重配置线路层110a于载板10上，但并不以此为限。在其他实施例中，亦可在形成重配置线路层110a于载板10上之前，先形成主动元件120a于载板10上。
83.在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
84.图3a至图3g是依照本发明的另一实施例的一种发光二极管封装结构的制作方法的局部步骤的剖面示意图。本实施例的发光二极管封装结构的制作方法与上述的发光二极管封装结构的制作方法相似，两者的差异在于：在图1b的步骤之后，即形成离型膜12于载板10上之后，请参考图3a，形成主动元件120b于载板10上，其中主动元件120b位于离型膜12上。
85.接着，请参考图3b，形成重配置线路层110b于载板10上，其中重配置线路层110b位于在离型膜12上。此处，主动元件120b与重配置线路层110b的第二线路结构114b位于同一平面上。
86.接着，请再参考图3b，形成介电层117于重配置线路层110b上，其中介电层117具有暴露出第一线路结构112b的多个开口117a。
87.紧接着，请参考图3c，形成表面处理层125于介电层117的开口117a内且直接接触重配置线路层110的第一线路结构112b上，以保护第一线路结构112b，避免产生氧化。
88.接着，请参考图3d，转移发光二极管130a于重配置线路层110b上，其中发光二极管130a以主动面134a朝下的方式位于重配置线路层110b的第一线路结构112b上，且表面处理层125位于发光二极管130a与第一线路结构112b之间。
89.之后，请参考图3e，形成封装胶体140于重配置线路层110b上，以包覆发光二极管130a。紧接着，提供光学基材150于封装胶体140的顶面142上，其中光学基材150例如是光学板或光学膜。
90.最后，请参考图3f与图3g，移除载板10，剥离离型膜12，以暴露出重配置线路层110b的底面113b以及主动元件120b的表面122b。可选择性地，对重配置线路层110b的第二线路结构114b进行表面处理程序，以形成表面处理层127于重配置线路层110b的底面113b上，以保护第二线路结构114b。至此，已完成发光二极管封装结构100b的制作。
91.在结构上，请再参考图3g，本实施例的发光二极管封装结构100b包括重配置线路层110b、主动元件120b、发光二极管130a以及封装胶体140。重配置线路层110b具有彼此相对的顶面111b与底面113b，且包括邻近于顶面111b的第一线路结构112b以及邻近于底面113b的第二线路结构114b。主动元件120b与第二线路结构114b位于同一平面上，而发光二极管130a位于第一线路结构112b上。主动元件120b与发光二极管130a分别与重配置线路层110b电性连接，其中主动元件120b适于分别驱动发光二极管130a。封装胶体140配置于重配置线路层110b上以包覆发光二极管130a，且具有平坦化的效果。
92.再者，本实施例的发光二极管封装结构100b还包括表面处理层125、127，其中表面处理层125配置于发光二极管130a与第一线路结构112b之间，用以保护第一线路结构112b，而表面处理层127配置于重配置线路层110b的底面113b上，用以保护第二线路结构114b。此外，本实施例的发光二极管封装结构100b还还包括光学基材150，其中光学基材150配置于封装胶体140的顶面142上。光学基材150例如是光学板或光学膜，用以提升发光二极管130a的光学效能。
93.简言之，在本实施例中，是先制作主动元件120b之后，再制作与主动元件120b电性连接的重配置线路层110b，且将发光二极管130a转移至重配置线路层110b上，其中主动元件120b适于驱动发光二极管130a。意即，本实施例的发光二极管封装结构100b具体化为主动式发光二极管封装结构。藉此，可解决的现有无法在玻璃基板的背面上焊接电子元件的问题。此外，由于本实施例是采用主动元件120b来驱动发光二极管130a，因此相较于现有以被动元件来驱动而言，本实施例的发光二极管封装结构100b及其制作方法具有低成本的优势。
94.在应用上，请参考图4，可将本实施例的发光二极管封装结构100b接合外部电路20，使重配置线路层110b的第二线路结构114b与外部电路20的接垫22电性连接。须说明的是，此处，仅示意地示出一个发光二极管封装结构100b接合至外部电路20上。若将多个发光二极管封装结构100b以拼接的方式接合至外部电路20上，则可形成大尺寸的显示屏。
95.图5a至图5e是依照本发明的另一实施例的一种发光二极管封装结构的制作方法
及其应用的剖面示意图。本实施例的发光二极管封装结构的制作方法与上述的发光二极管封装结构100a的制作方法相似，两者的差异在于：在图1d的步骤之后，即形成多个主动元件120c于载板110c上之后，请参考图5a，转移多个发光二极管130b于重配置线路层110c上，其中发光二极管130b与主动元件120c皆位于重配置线路层110c的同一侧上。发光二极管130b具有彼此相对的背面132b与主动面134b，而背面132b位于主动面134b与重配置线路层110c之间。此处，发光二极管130b是以主动面134b朝上(face-up)且通过黏着层160黏附在重配置线路层110c上。
96.接着，请参考图5b，形成介电层118于重配置线路层110c上，其中介电层118覆盖主动元件120c与发光二极管130b。此处，每一发光二极管130b的主动面134b切齐于介电层118的表面118b，而介电层118具有多个开口118a以暴露出重配置线路层110c的部分第一线路结构112c。
97.接着，请参考图5c，形成多条线路170于开口118a内且延伸至介电层118的表面118b以连接每一发光二极管130b的主动面134b。紧接着，形成封装胶体140于重配置线路层110c上，以包覆发光二极管130c以及线路170。此处，封装胶体140覆盖发光二极管130b的主动面134b，且与主动面134b具有间距g’，以提供平坦化的效果。
98.之后，请再参考图5c，提供光学基材150于封装胶体140的顶面142上。此处，光学基材150可使发光二极管130b所发出的光具有较佳的光学效能，其中光学基材150例如是光学板或光学膜。
99.最后，请同时参考图5d与图5e，移除载板10，以暴露出重配置线路层110c的底面113c。于移除载板10时，剥离离型膜12，以分离重配置线路层110a与载板10。可选择性地，对重配置线路层110c的第二线路结构114c进行表面处理程序，而在重配置线路层110c的底面113c上形成表面处理层127，以保护第二线路结构114c。至此，已完成发光二极管封装结构100c的制作。
100.在应用上，请再参考图5e，可将本实施例的发光二极管封装结构100c接合外部电路20，使重配置线路层110c的第二线路结构114c与外部电路20的接垫22电性连接。此处，外部电路20例如是印刷电路板，但并不以此为限。须说明的是，此处，仅示意地示出一个发光二极管封装结构100c接合至外部电路20上。若将多个发光二极管封装结构100c以拼接的方式接合至外部电路20上，则可形成大尺寸的显示屏。
101.图6a至图6e是依照本发明的另一实施例的一种发光二极管封装结构的制作方法及其应用的剖面示意图。本实施例的发光二极管封装结构的制作方法与上述的发光二极管封装结构100b的制作方法相似，两者的差异在于：在图3b的步骤之后，即形成重配置线路层110d于载板10上之后，请参考图6a，转移发光二极管130b于重配置线路层110d上，其中发光二极管130b以主动面134b朝上的方式位于重配置线路层110d上。
102.接着，请参考图6b，形成介电层119于重配置线路层110d上，其中介电层119具有暴露出第一线路结构112d的多个开口119a。紧接着，形成多条线路170于开口119a内且延伸至介电层119的表面119b以连接每一发光二极管130b的主动面134b。
103.接着，请参考图6c，形成封装胶体140于重配置线路层110d上，以包覆发光二极管130d以及线路170。此处，封装胶体140覆盖发光二极管130b的主动面134b。
104.之后，请再参考图6c，提供光学基材150于封装胶体140的顶面142上。此处，光学基
材150可使发光二极管130b所发出的光具有较佳的光学效能，其中光学基材150例如是光学板或光学膜。
105.最后，请同时参考图6d与图6e，移除载板10，剥离离型膜12，以暴露出重配置线路层110d的底面113d以及主动元件120d的表面122d。可选择性地，对重配置线路层110d的第二线路结构114d进行表面处理程序，而在重配置线路层110d的底面113d上形成表面处理层127，以保护第二线路结构114d。至此，已完成发光二极管封装结构100d的制作。
106.在应用上，请参考图6e，可将本实施例的发光二极管封装结构100d接合外部电路20，使重配置线路层110d的第二线路结构114d与外部电路20的接垫22电性连接。须说明的是，此处，仅示意地示出一个发光二极管封装结构100d接合至外部电路20上。若将多个发光二极管封装结构100d以拼接的方式接合至外部电路20上，则可形成大尺寸的显示屏。
107.综上所述，在本发明的发光二极管封装结构及其制作方法中，发光二极管转移至与主动元件电性连接的重配置线路层上，且主动元件适于驱动发光二极管。藉此，解决的现有无法在玻璃基板的背面上焊接电子元件的问题。此外，由于本发明是采用主动元件来驱动发光二极管，因此相较于现有以被动元件来驱动而言，本发明的发光二极管封装结构及其制作方法具有低成本的优势。
108.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。