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一种垂直腔面发射激光器的制作方法

2021-10-24 06:53:00 来源:中国专利 TAG:激光器 半导体 垂直 发射 实施

技术特征:
1.一种垂直腔面发射激光器,其特征在于,包括:衬底,所述衬底的表面包括m行n列阵列排布的发光区和包围所述发光区的非发光区,所述m的取值包括大于或等于1的整数,所述n的取值包括大于或等于1的整数,所述m和所述n的乘积大于或等于2;m
×
n个阵列排布的发光单元,所述发光单元包括第一反射镜、有源层、和第二反射镜,所述第一反射镜至少位于所述发光区,所述有源层和所述第二反射镜位于所述发光区;第一欧姆金属层,位于所述第一反射镜远离所述衬底的表面,且位于所述非发光区,所述第一欧姆金属层在所述衬底的投影与第一连线在所述衬底的投影无交叠,所述第一欧姆金属层在所述衬底的投影与第二连线在所述衬底的投影无交叠;所述第一连线为任意同一行的所述发光单元的中心相连的连线所在的直线,所述第二连线为任意同一列的所述发光单元的中心相连的的连线所在的直线。2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述发光单元还包括第一欧姆接触层,所述第一欧姆接触层位于所述发光区和所述非发光区,所述第一欧姆接触层位于所述第一反射镜内,或者,所述第一欧姆接触层位于所述衬底和所述第一反射镜之间。3.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述m的取值大于或等于2,所述n的取值大于或等于2,所述第一欧姆金属层位于第a
ij
个发光单元、第a
(i 1)(j)
个发光单元、第a
(i)(j 1)
个发光单元以及第a
(i 1)(j 1)
个发光单元之间的非发光区,其中,所述i的取值大于或等于1,且小于或等于m

1,所述j的取值大于或等于1,且小于或等于n

1。4.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述第一导电类型金属层在所述衬底的投影图形为中心对称图形,且所述第一欧姆金属层在所述衬底的投影图形的中心与第三连线和第四连线的交叉点重合;第a
ij
个发光单元的中心和第a
(i 1)(j 1)
个发光单元的中心的连线所在的直线为所述第三连线,第a
(i 1)(j)
个发光单元的中心和第a
(i)(j 1)
个发光单元的中心的连线所在的直线为所述第四连线。5.根据权利要求1

4任一所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述第一欧姆金属层在所述衬底的投影图形包括圆形或者菱形。6.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述发光单元包括发射窗口和包括所述发射窗口的边缘区域;所述垂直腔面发射激光器还包括第二欧姆金属层、第一钝化层、第一焊盘、第二钝化层和第二焊盘;所述第二欧姆金属层位于所述第二反射镜远离所述衬底的表面,且位于所述边缘区域;所述第一钝化层位于所述第一欧姆金属层远离所述衬底的一侧,且位于所述发光区和所述非发光区,所述第一钝化层设置有第一过孔,所述第一过孔暴露至少部分所述第一欧姆金属层;所述第一焊盘位于所述第一钝化层远离所述衬底的一侧,且所述第一焊盘在所述衬底的投影和所述发光单元的发射窗口在所述衬底的投影无交叠,所述第一焊盘通过所述第一过孔与所述第一欧姆金属层连接;所述第二钝化层位于所述第一焊盘远离所述衬底的表面,且覆盖所述发光区和所述非发光区;
所述第二钝化层和所述第一钝化层设置有第二过孔,所述第二过孔暴露至少部分所述第二欧姆金属层;所述第二焊盘位于所述第二钝化层远离所述衬底一侧的表面,所述第二焊盘在所述衬底的投影和所述发光单元的发射窗口在所述衬底的投影无交叠,所述第二焊盘通过所述第二过孔与所述第二欧姆金属层连接。7.根据权利要求6所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述第一焊盘位于所述非发光区;或者,所述第一焊盘位于所述非发光区以及所述发光单元的边缘区域。8.根据权利要求6所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述第二焊盘设置有m
×
n个发光窗口,所述发光窗口在所述衬底的投影和所述发射窗口在所述衬底的投影重叠。9.根据权利要求65所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述第一焊盘包括主连接部和至少一个与所述主连接部相连的第一方向条形分连接部,所述主连接部位于m
×
n个阵列排布的所述发光单元的一侧,所述第一方向条形分连接部位于相邻两行所述发光单元之间。10.根据权利要求9所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,m
×
n个阵列排布的所述发光单元划分为q个发光控制区域,所述第一焊盘的数量为k1,所述第二焊盘的数量为k2,所述q的取值等于所述k1和所述k2的乘积,所述q的取值包括大于或等于1,且小于或等于所述m和所述n的乘积。11.根据权利要求9所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述第一焊盘还包括至少一个第二方向条形分连接部,所述第二方向条形分连接部用于连接所述第一方向条形分连接部,所述第二方向条形分连接部与所述第一方向条形分连接部构成井字形结构,且所述第二方向条形分连接部位于相邻两列所述发光单元之间,在所述衬底的投影和所述发光单元的发射窗口在所述衬底的投影无交叠。12.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述发光单元还包括限制氧化层,所述限制氧化位于第二反射镜内,所述限制氧化层设置有氧化孔,所述氧化孔用于限定所述发光单元的发光孔。

技术总结
本发明实施例公开了一种垂直腔面发射激光器,包括:衬底的表面包括m行n列阵列排布的发光区和非发光区,m和n的乘积大于或等于2;发光单元包括第一反射镜、有源层和第二反射镜,第一反射镜至少位于发光区,有源层和第二反射镜位于发光区;第一欧姆金属层,位于第一反射镜远离衬底的表面,且位于非发光区,第一欧姆金属层在衬底的投影与第一连线在衬底的投影以及第二连线在衬底的投影均无交叠;第一连线为任意同一行的发光单元的中心相连的连线所在的直线,第二连线为任意同一列的发光单元的中心相连的连线所在的直线。本发明实施例提供的技术方案降低了垂直腔面发射激光器中发光单元之间的尺寸。单元之间的尺寸。单元之间的尺寸。


技术研发人员:翁玮呈 张成 刘嵩 梁栋
受保护的技术使用者:常州纵慧芯光半导体科技有限公司
技术研发日:2021.07.09
技术公布日:2021/10/23
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