存储器检测方法与存储器检测系统与流程

1.本发明涉及一种存储器检测方法与存储器检测系统。特别是涉及一种适用于变保存时间(variable retention time；vrt)问题的存储器检测方法与存储器检测系统。


背景技术：

2.动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)是通过晶体管来将电荷(数据)存储于电容器中。随着时间的推移，存储在电容器中的数据可能会消失。动态随机存取存储器芯片有可变保存时间(variable retention time；vrt)的问题。传统上，通过向动态随机存取存储器芯片写入数据，并于经过一段时间之后进行多次测试数据是否丢失来检测动态随机存取存储器芯片是否有可变保存时间的问题。
3.然而，即使在第一次测试周期中dram芯片被判定为正常的芯片，也可能在第二次测试周期中由于数据丢失而被判定为具有vrt问题的芯片。因此，难以有效率地检测出具有vrt问题的芯片。


技术实现要素：

4.本发明的实施例提出一种存储器检测方法与存储器检测系统，其可有效率地检测出具有vrt问题的存储器芯片。
5.根据本发明的一实施例，在此存储器检测方法中，首先对存储器芯片进行第一数据维持时间测试，以获得第一合格存储器芯片。接着，对第一合格存储器芯片进行第二数据维持时间测试，以获得第二合格存储器芯片。然后，对第二合格存储器芯片进行第三数据维持时间测试，以获得第三合格存储器芯片，其中每一第三合格存储器芯片具有第一数据维持时间、第二数据维持时间以及第三数据维持时间，第一数据维持时间从第一数据维持时间测试获得，第二数据维持时间从第二数据维持时间测试获得，第三数据维持时间从第三数据维持时间测试获得。接着，根据每一第三合格存储器芯片的第一数据维持时间、第二数据维持时间以及第三数据维持时间来对所述第三合格存储器芯片进行统计分析步骤，以获得至少一最终合格存储器芯片。
6.在一些实施例中，在前述的统计分析步骤中，首先根据每一第三合格存储器芯片的第一数据维持时间、第二数据维持时间以及第三数据维持时间来计算每一第三合格存储器芯片的数据维持时间差值。然后，判断第三合格存储器芯片的一者的数据维持时间差值的绝对值是否大于预设阈值。接着，若数据维持时间差值的绝对值大于预设阈值，则判定此第三合格存储器芯片不合格。若数据维持时间差值的绝对值小于或等于预设阈值，则判定此第三合格存储器芯片为最终合格存储器芯片。
7.在一些实施例中，在前述的统计分析步骤中，首先根据每一第三合格存储器芯片的第一数据维持时间、第二数据维持时间以及第三数据维持时间来计算每一第三合格存储器芯片的数据维持时间差值。然后，根据每一第三合格存储器芯片的数据维持时间差值来计算每一第三合格存储器芯片的方均根值。接着，判断第三合格存储器芯片的一者的方均
根值是否大于预设阈值。然后，若方均根值大于预设阈值，则判定此第三合格存储器芯片不合格。若方均根值小于或等于预设阈值则判定此第三合格存储器芯片为该至少最终合格存储器芯片。
8.在一些实施例中，在前述的统计分析步骤中，首先根据每一第三合格存储器芯片的第一数据维持时间、该第二数据维持时间以及第三数据维持时间来计算每一第三合格存储器芯片的方均根值。然后，判断第三合格存储器芯片的一者的方均根值是否大于预设阈值。接着，若方均根值大于预设阈值，则判定此第三合格存储器芯片不合格。若方均根值小于或等于预设阈值，则判定此第三合格存储器芯片最终合格存储器芯片。
9.在一些实施例中，在前述的统计分析步骤中，首先根据每一第三合格存储器芯片的第一数据维持时间、第二数据维持时间以及第三数据维持时间来计算每一第三合格存储器芯片的数据维持时间平均值。然后，根据每一第三合格存储器芯片的第一数据维持时间、第二数据维持时间以及第三数据维持时间来计算每一第三合格存储器芯片的方均根值。然后，计算每一第三合格存储器芯片的数据维持时间平均值与该方均根值的比值。接着，判断第三合格存储器芯片的一者的比值是否大于预设阈值。然后，若比值大于预设阈值，则判定此第三合格存储器芯片不合格。若比值小于或等于预设阈值，则判定此第三合格存储器芯片为最终合格存储器芯片。
10.在一些实施例中，第一数据维持时间测试与第二数据维持时间测试之间的第一时间间隔大于或等于6小时，而第二数据维持时间测试与第三数据维持时间测试的第二时间间隔大于或等于6小时。
11.根据本发明的一实施例，前述的存储器检测系统包含测试机台以及电脑系统。测试机台是用以：对存储器芯片进行第一数据维持时间测试，以获得第一合格存储器芯片。接着，对第一合格存储器芯片进行第二数据维持时间测试，以获得第二合格存储器芯片。然后，对第二合格存储器芯片进行第三数据维持时间测试，以获得第三合格存储器芯片，其中每一第三合格存储器芯片具有第一数据维持时间、第二数据维持时间以及第三数据维持时间，第一数据维持时间从第一数据维持时间测试获得，第二数据维持时间从第二数据维持时间测试获得，第三数据维持时间从第三数据维持时间测试获得。电脑系统是用以根据每一第三合格存储器芯片的第一数据维持时间、第二数据维持时间以及第三数据维持时间来对所述第三合格存储器芯片进行统计分析步骤，以获得至少一最终合格存储器芯片。
12.在一些实施例中，在前述的统计分析步骤中，首先根据每一第三合格存储器芯片的第一数据维持时间、第二数据维持时间以及第三数据维持时间来计算每一第三合格存储器芯片的数据维持时间差值。然后，判断第三合格存储器芯片的一者的数据维持时间差值的绝对值是否大于预设阈值。接着，若数据维持时间差值的绝对值大于预设阈值，则判定此第三合格存储器芯片不合格。若数据维持时间差值的绝对值小于或等于预设阈值，则判定此第三合格存储器芯片为最终合格存储器芯片。
13.在一些实施例中，在前述的统计分析步骤中，首先根据每一第三合格存储器芯片的第一数据维持时间、第二数据维持时间以及第三数据维持时间来计算每一第三合格存储器芯片的数据维持时间差值。然后，根据每一第三合格存储器芯片的数据维持时间差值来计算每一第三合格存储器芯片的方均根值。接着，判断第三合格存储器芯片的一者的方均根值是否大于预设阈值。然后，若方均根值大于预设阈值，则判定此第三合格存储器芯片不
合格。若方均根值小于或等于预设阈值则判定此第三合格存储器芯片为该至少最终合格存储器芯片。
14.在一些实施例中，在前述的统计分析步骤中，首先根据每一第三合格存储器芯片的第一数据维持时间、该第二数据维持时间以及第三数据维持时间来计算每一第三合格存储器芯片的方均根值。然后，判断第三合格存储器芯片的一者的方均根值是否大于预设阈值。接着，若方均根值大于预设阈值，则判定此第三合格存储器芯片不合格。若方均根值小于或等于预设阈值，则判定此第三合格存储器芯片最终合格存储器芯片。
15.在一些实施例中，在前述的统计分析步骤中，首先根据每一第三合格存储器芯片的第一数据维持时间、第二数据维持时间以及第三数据维持时间来计算每一第三合格存储器芯片的数据维持时间平均值。然后，根据每一第三合格存储器芯片的第一数据维持时间、第二数据维持时间以及第三数据维持时间来计算每一第三合格存储器芯片的方均根值。然后，计算每一第三合格存储器芯片的数据维持时间平均值与该方均根值的比值。接着，判断第三合格存储器芯片的一者的比值是否大于预设阈值。然后，若比值大于预设阈值，则判定此第三合格存储器芯片不合格。若比值小于或等于预设阈值，则判定此第三合格存储器芯片为最终合格存储器芯片。
16.在一些实施例中，第一数据维持时间测试与第二数据维持时间测试之间的第一时间间隔大于或等于6小时，而第二数据维持时间测试与第三数据维持时间测试的第二时间间隔大于或等于6小时。
17.为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
18.图1示出根据本发明实施例的存储器检测系统。
19.图2示出根据本发明一实施例的存储器检测方法的流程示意图。
20.图3示出根据本发明一实施例的统计分析步骤的流程示意图。
21.图4示出根据本发明一实施例的统计分析步骤的流程示意图。
22.图5示出根据本发明一实施例的统计分析步骤的流程示意图。
23.图6示出根据本发明一实施例的存储器检测方法的流程示意图。
24.其中，附图标记说明如下：
25.100：存储器检测系统
26.110：测试机台
27.112：晶圆
28.114：探针装置
29.120：电脑系统
30.200：存储器检测方法
31.210-240：步骤
32.342-344：步骤
33.344a-344c：步骤
34.442-444：步骤
35.444a-444c：步骤
36.542-548：步骤
37.548a-548c：步骤
38.600：存储器检测方法
39.640：步骤
具体实施方式
40.请参照图1，其示出根据本发明实施例的存储器检测系统100。存储器检测系统100包含测试机台110以及电脑系统120。测试机台110是用以对晶圆112上的多个存储器芯片进行测试，以获得每一存储器芯片的测试数据。在本发明的实施例中，晶圆112上的存储器芯片为动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)芯片。电脑系统120是电性连接至测试机台110，以取得存储器芯片的测试数据，并对其进行分析。
41.在本实施例中，测试机台110包含探针装置114，其可施加电子讯号至晶圆112的存储器芯片上，并获取这些存储器芯片的测试数据。测试数据可包含但不限定于存储器芯片的位置以及存储器芯片的数据维持时间。
42.请参照图2，其示出根据本发明一实施例的存储器检测方法200的流程示意图。在存储器检测方法200，首先进行步骤210，以对晶圆112上的存储器芯片进行第一数据维持时间测试，而获得多个第一合格存储器芯片。在步骤210中，测试机台110是测量每一存储器芯片的数据维持时间，接着，再根据预设的数据维持时间阈值来判断存储器芯片是否通过测试，以从中挑选出第一合格存储器芯片。然而，本发明的实施例并不受限于此，其他合适的数据维持时间测试方法亦可应用于步骤210中。
43.接着，进行步骤220，以对晶圆112上的第一合格存储器芯片进行第二数据维持时间测试而获得多个第二合格存储器芯片。类似地，在步骤220中，测试机台110是测量每一第一合格存储器芯片的数据维持时间。接着，再根据预设的数据维持时间阈值来判断第一存储器芯片是否通过测试，以从中挑选出第二合格存储器芯片。然而，本发明的实施例并不受限于此，其他合适的数据维持时间测试方法亦可应用于步骤220中。
44.然后，进行步骤230，以对晶圆112上的第二合格存储器芯片进行第三数据维持时间测试，而获得多个第三合格存储器芯片。类似地，在步骤230中，测试机台110是测量每一第二合格存储器芯片的数据维持时间。接着，再根据预设的数据维持时间阈值来判断第二存储器芯片是否通过测试，以从中挑选出第三合格存储器芯片。然而，本发明的实施例并不受限于此，其他合适的数据维持时间测试方法亦可应用于步骤230中。
45.在本发明的实施例中，第一数据维持时间测试与第二数据维持时间测试的时间间隔为至少6小时，第二数据维持时间测试与第三数据维持时间测试的时间间隔也为至少6小时。例如，当第一数据维持时间测试结束后，经过至少6小时后才会进行第二数据维持时间测试。又例如，当第二数据维持时间测试结束后，经过至少6小时后才会进行第三数据维持时间测试。在本实施例中，第一数据维持时间测试与第二数据维持时间测试的时间间隔为24小时，而第二数据维持时间测试与第三数据维持时间测试的时间间隔也为24小时。
46.接着，进行步骤240，以利用电脑系统120来对第三合格存储器芯片进行统计分析，以获得最终合格存储器芯片。在本发明的实施例中，步骤240是根据第三合格存储器芯片的
第一数据维持时间、第二数据维持时间以及第三数据维持时间来对第三合格存储器芯片进行一统计分析步骤，以从中获得至少一个最终合格存储器芯片。
47.请参照图3，其示出根据本发明一实施例的步骤240的流程示意图。在本实施例中，步骤240是利用数据维持时间的差值来进行统计分析。如图3所示，首先进行步骤342，以根据每一第三合格存储器芯片的第一数据维持时间、第二数据维持时间以及第三数据维持时间来计算每一第三合格存储器芯片的数据维持时间差值。例如，计算第一数据维持时间与第二数据维持时间的差值；计算第二数据维持时间与第三数据维持时间的差值；以及计算第一数据维持时间与第三数据维持时间的差值。如此，步骤342可获得每一第三合格存储器芯片的三笔数据维持时间差值。
48.接着，进行步骤344，以判断一待分析的第三合格存储器芯片是否可为最终合格存储器芯片。在步骤344中，首先，进行步骤344a，以判断此第三合格存储器芯片的数据维持时间差值的绝对值是否大于预设阈值。在本实施例中，预设阈值为30毫秒(ms)，但本发明的实施例并不受限于此。若此第三合格存储器芯片的数据维持时间差值未大于预设阈值，则进行步骤344b，以决定此第三合格存储器芯片为最终合格存储器芯片。若此第三合格存储器芯片的数据维持时间差值大于预设阈值，则进行步骤344c，以决定此第三合格存储器芯片为不合格芯片。
49.在本实施例中，步骤344a是判断待分析的第三合格存储器芯片的三个数据维持时间差值是否皆大于预设阈值。然而，本发明的实施例并不受限于此。
50.在本发明的另一实施例中，步骤344a判断三个数据维持时间差值中的一个是否大于预设阈值。若判断结果为否，则进行步骤344b，以决定此第三合格存储器芯片为最终合格存储器芯片。若判断结果为是，则进行步骤344c，以决定此第三合格存储器芯片为不合格芯片。
51.在本发明的又一实施例中，步骤344a判断三个数据维持时间差值中的两个是否皆大于预设阈值。若判断结果为否，则进行步骤344b，以决定此第三合格存储器芯片为最终合格存储器芯片。若判断结果为是，则进行步骤344c，以决定此第三合格存储器芯片为不合格芯片。
52.请参照图4，其示出根据本发明一实施例的步骤240的流程示意图。在本实施例中，步骤240是利用数据维持时间的方均根值来进行统计分析。如图4所示，首先进行步骤442，以根据每一第三合格存储器芯片的第一数据维持时间、第二数据维持时间以及第三数据维持时间来计算每一第三合格存储器芯片的方均根(root mean square；rms)值。第三合格存储器芯片的方均根值的计算公式如下：
[0053][0054]
其中，r为一第三合格存储器芯片的方均根值，而d1、d2、d3则分别为此第三合格存储器芯片的三笔数据维持时间差值。
[0055]
然后，进行步骤444，以判断一待分析的第三合格存储器芯片是否可为最终合格存储器芯片。在步骤444中，首先，进行步骤444a，以判断此第三合格存储器芯片的方均根值是否大于预设阈值。在本实施例中，此预设阈值为45，但本发明的实施例并不受限于此。若此第三合格存储器芯片的方均根值未大于预设阈值，则进行步骤444b，以决定此第三合格存
储器芯片为最终合格存储器芯片。若此第三合格存储器芯片的方均根值大于预设阈值，则进行步骤444c，以决定此第三合格存储器芯片为不合格芯片。
[0056]
请参照图5，其示出根据本发明一实施例的步骤240的流程示意图。在本实施例中，步骤240是利用数据维持时间的ar值来进行统计分析，其中ar值为数据维持时间的平均值与方均根值的比值。如图5所示，首先进行步骤542，以根据每一第三合格存储器芯片的第一数据维持时间、第二数据维持时间以及第三数据维持时间来计算每一第三合格存储器芯片的数据维持时间平均值。接着，进行步骤544，以根据每一第三合格存储器芯片的第一数据维持时间、第二数据维持时间以及第三数据维持时间来计算每一第三合格存储器芯片的方均根值。步骤544是类似于前述的步骤442，故不在此赘述。
[0057]
然后，进行步骤546，以计算每一第三合格存储器芯片的数据维持时间平均值与均方根值的比值(ar)，其中ar值的计算方式如下：
[0058][0059]
其中，t1、t2、t3分别为第三合格存储器芯片于第一数据维持时间测试、第二数据维持时间测试以及第三数据维持时间测试所测得的数据维持时间。
[0060]
接着，进行步骤548，以判断一待分析的第三合格存储器芯片是否可为最终合格存储器芯片。在步骤548中，首先，进行步骤548a，以判断此第三合格存储器芯片的ar值是否大于预设阈值。在本实施例中，此预设阈值为3，但本发明的实施例并不受限于此。若此第三合格存储器芯片的ar值未大于预设阈值，则进行步骤548b，以决定此第三合格存储器芯片为最终合格存储器芯片。若此第三合格存储器芯片的ar值大于预设阈值，则进行步骤548c，以决定此第三合格存储器芯片为不合格芯片。
[0061]
请参照图6，其示出根据本发明一实施例的存储器检测方法600的流程示意图。存储器检测方法600是类似于前述的存储器检测方法200，不同之处在于存储器检测方法600的步骤640是整合多个统计分析步骤来对第三合格存储器芯片进行分析。例如，步骤640可整合图3和图4的实施例(例如步骤344和444)，来对第三合格存储器芯片进行分析。具体而言，若一第三合格存储器芯片者通过步骤344和444其中一者的判断，则判定此第三合格存储器芯片为最终合格存储器芯片。又例如，步骤640可整合图3、图4和图5的实施例(例如步骤344、444以及548)，来对第三合格存储器芯片进行分析。具体而言，若一第三合格存储器芯片者通过步骤344、444以及548其中一者的判断，则判定此第三合格存储器芯片为最终合格存储器芯片。
[0062]
由上述说明可知，本发明实施例的存储器检测系统与存储器检测方法是对通过多次数据维持时间测试的存储器芯片进行统计分析，如此可有效率地检测出具有vrt问题的存储器芯片。另外，虽然上述实施例的统计分析步骤采用数据维持时间差值、方均根植以及ar值来进行分析，但本发明的实施例并不受限于此。其他合适的统计分析方法亦可适用于本发明的实施例。
[0063]
虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的变动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。