可变电阻式存储器件以及操作其的方法与流程

技术特征：
1.一种可变电阻式存储器件，包括：具有多个存储单元的存储单元阵列，所述多个存储单元被连接在全局字线与全局位线之间；以及控制电路块，其位于所述存储单元阵列的至少一个边缘部分上，其中，所述存储单元阵列被分类为具有与所述控制电路块邻近的存储单元的第一组和具有相对于所述控制电路块而言较远的存储单元的第二组，其中所述第二组比所述第一组离所述控制电路块远，以及其中，所述控制电路块包括写入控制单元，所述写入控制单元被配置为产生控制信号，以用于与对所述第二组中的存储单元进行写入相比，以不同的方式对所述第一组中的存储单元进行写入。2.根据权利要求1所述的可变电阻式存储器件，其中，所述写入控制单元被配置为当选择所述第一组中的存储单元时输出预选择置位信号，并且被配置为当选择所述第二组中的存储单元时输出预充电置位信号。3.根据权利要求1所述的可变电阻式存储器件，其中，所述控制电路块还包括检测电路，所述检测电路被配置为基于选中存储单元的电流来检测所述选中存储单元的接通以及输出检测信号。4.根据权利要求3所述的可变电阻式存储器件，其中，当选择所述第一组中的存储单元时，所述写入控制单元被配置为在将所述检测信号使能之后输出预选择置位信号，并且被配置为在将所述检测信号使能之前输出写入信号，以及其中，当选择所述第二组中的存储单元时，所述写入控制单元被配置为在将所述检测信号使能之后输出预充电置位信号，并且被配置为在将所述检测信号使能之前输出所述写入信号。5.根据权利要求4所述的可变电阻式存储器件，其中，所述控制电路块还包括写入驱动器，所述写入驱动器被配置为响应于所述写入控制单元的所述预选择置位信号、所述预充电置位信号和所述写入信号来向所述存储单元施加用于写入操作的电压和电流。6.根据权利要求5所述的可变电阻式存储器件，其中，所述写入驱动器包括第一控制电路，所述第一控制电路连接在所述控制电路块与所述全局位线之间，以基于所述写入控制单元的所述预选择置位信号、所述预充电置位信号和所述写入信号来选择性地将第一复位电压、第一置位电压、第一预选择电压以及第一预充电电压输出到所述全局位线，以及其中，所述第一复位电压、所述第一置位电压、所述第一预选择电压和所述第一预充电电压具有不同的正电平。7.根据权利要求6所述的可变电阻式存储器件，其中，所述写入驱动器包括第二控制电路，所述第二控制电路连接在所述控制电路块与所述全局字线之间，以基于所述写入控制单元的所述预选择置位信号、所述预充电置位信号和所述写入信号来选择性地将第二复位电压、第二置位电压、第二预选择电压和第二预充电电压施加到所述全局字线，以及向所述全局字线提供复位电流、置位电流、预选择电流和预充电电流中的任意一个，以及其中，所述第二复位电压、所述第二置位电压、所述第二预选择电压和所述第二预充电电压具有不同的负电平。8.根据权利要求7所述的可变电阻式存储器件，其中，与所述第一预选择电压和所述第
二预选择电压之间的差相对应的预选择电压对应于用于接通所述存储单元的最小电压。9.根据权利要求7所述的可变电阻式存储器件，其中，与所述第一预充电电压和所述第二预充电电压之间的差相对应的预充电电压低于所述第一复位电压与所述第二复位之间的差，并且高于所述第一预选择电压与所述第二预选择电压之间的差。10.一种可变电阻式存储器件，包括：具有多个存储单元的存储单元阵列，所述多个存储单元被连接在全局字线与全局位线之间连接；以及控制电路块，其被配置为控制所述多个存储单元的操作，其中，所述控制电路块包括：写入电路，其被配置为基于选中存储单元的位置而将预选择电流施加到存储单元以及在接通所述存储单元之后向所述存储单元施加写入电流，或者基于选中存储单元的位置而将与所述预选择电流不同的预充电电流施加到所述存储单元以及在接通所述存储单元之后向所述存储单元施加所述写入电流；以及检测电路，其被连接到所述全局字线，以检测所述选中存储单元的电流并且在接通所述选中存储单元时将检测信号使能。11.根据权利要求10所述的可变电阻式存储器件，其中，所述预选择电流是用于接通所述存储单元的最小电流，以及其中，所述预充电电流高于所述最小电流且低于所述写入电流。12.根据权利要求10所述的可变电阻式存储器件，其中，所述写入电路包括：写入控制单元，其被配置为基于所述选中存储单元的位置来选择性地输出预选择置位信号和预充电置位信号，并且被配置为响应于被使能的检测信号来输出写入信号；以及写入驱动器，其被配置为响应于所述预选择置位信号来将所述预选择电流和所述预选择电压施加到所述选中存储单元，被配置为响应于所述预充电置位信号来将所述预充电电流和所述预充电电压施加到所述选中存储单元，以及被配置为响应于所述写入信号来将写入电压施加到所述选中存储单元；其中，所述写入信号包括复位写入信号和置位写入信号，并且所述写入电压包括复位写入电压和低于所述复位写入电压的置位写入电压。13.根据权利要求12所述的可变电阻式存储器件，其中，所述写入控制单元包括：写入脉冲发生器，其被配置为基于所述写入信号来产生复位脉冲信号和置位脉冲信号；复位写入信号发生器，其被配置为响应于写入数据、所述复位脉冲信号和所述检测信号来产生所述复位写入信号；置位写入信号发生器，其被配置为响应于所述写入数据、所述置位脉冲信号和所述检测信号来产生所述置位写入信号；预选择置位信号发生器，其被配置为响应于所述写入信号、被反相的置位脉冲信号和位置信号来产生所述预选择置位信号，所述位置信号表示所述选中存储单元的位置；以及预充电置位信号发生器，其被配置为响应于所述写入信号、被反相的置位脉冲信号和所述位置信号来产生所述预充电置位信号。14.根据权利要求13所述的可变电阻式存储器件，其中，所述写入驱动器包括：
第一控制电路，其被配置为：基于所述复位写入信号、所述置位写入信号、所述预选择置位信号和所述预充电置位信号来选择性地将第一复位电压、第一置位电压、第一预选择电压以及第一预充电电压输出到所述全局位线；以及第二控制电路，其被配置为基于所述复位写入信号、所述置位写入信号、所述预选择置位信号和所述预充电置位信号来选择性地将第二复位电压、第二置位电压、第二预选择电压和第二预充电电压施加到所述全局字线，以及向所述全局字线提供复位电流、置位电流、预选择电流、预充电电流和第二复位电压中的任意一个，其中，所述第一复位电压、所述第一置位电压、所述第一预选择电压和所述第一预充电电压具有不同的正电平，而所述第二复位电压、所述第二置位电压、所述第二预选择电压和所述第二预充电电压具有不同的负电平。15.根据权利要求14所述的可变电阻式存储器件，其中，与所述第一预选择电压和所述第二预选择电压之间的差相对应的预选择电压对应于用于接通所述存储单元的最小电压。16.根据权利要求14所述的可变电阻式存储器件，其中，与所述第一预充电电压和所述第二预充电电压之间的差相对应的预充电电压低于所述第一复位电压与所述第二复位之间的差，并且高于所述第一预选择电压与所述第二预选择电压之间的差。17.一种操作可变电阻式存储器件的方法，所述方法包括：当启动写入操作时，识别选中存储单元的位置；当所述选中存储单元位于第一组中时，向所述选中存储单元提供预选择电压和预选择电流；当在所述选中存储单元中产生接通或骤回时，停止提供所述预选择电压和所述预选择电流，并向选中存储单元提供写入电压和写入电流；当所述选中存储单元位于第二组中时，向所述选中存储单元提供预充电电压和预充电电流；以及当在所述选中存储单元中产生接通或骤回时，停止提供所述预充电电压和所述预充电电流，并向所述选中存储单元提供所述写入电压和所述写入电流，其中，所述预选择电压与所述预充电电压不同。18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述预选择电压是用于接通所述选中存储单元的最小电压，以及其中，所述第一预充电电压高于所述预选择电压且低于所述写入电压。19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一组与被配置为驱动所述存储单元的控制电路块邻近，而所述第二组相对于所述控制电路块而言较远。20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述写入电压包括复位写入电压和低于所述复位写入电压的置位写入电压，并且所述写入电流包括复位电流和低于所述复位电流的置位电流。

技术总结
本申请公开了可变电阻式存储器件以及操作其的方法。该可变电阻式存储器件包括存储单元阵列和控制电路块。存储单元阵列包括被连接在全局字线与全局位线之间的多个存储单元。控制电路块位于存储单元阵列的至少一个边缘部分上。存储单元阵列被分类为具有与控制电路块邻近的存储单元的第一组和具有相对于控制电路块而言较远的存储单元的第二组。第二组比第一组离控制电路块远。控制电路块包括写入控制单元，所述写入控制单元产生控制信号，以用于与对第二组中的存储单元进行写入相比，以不同的方式对第一组中的存储单元进行写入。的方式对第一组中的存储单元进行写入。的方式对第一组中的存储单元进行写入。


技术研发人员：庆箕明 尹正赫 李基远
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2020.08.17
技术公布日：2021/9/13