一种NorFlash芯片参考电流调节方法及系统与流程

一种norflash芯片参考电流调节方法及系统
技术领域
1.本发明涉及norflash芯片调节技术领域，尤其涉及一种norflash芯片参考电流调节方法及系统。


背景技术：

2.norflash芯片参考电流是作为一个参照物来决定其输出和输入逻辑判断的，理论上不随外部因素改变，是一个重要的基准。由于芯片的参考电流最开始处于一种初始状态，不同于所需要的目标电流，所以需要对参考电流进行调节。
3.芯片参考电流的调节主要通过编程和擦除两种方式完成，编程和擦除速度主要是由高压的大小和高压的时间来确定。
4.芯片需要进行多次编程和擦除操作将参考电流调节到目标值，当编程和擦除操作设置的高压大小和高压时间不合适时，会导致参考电流进行调节时执行编程和擦除的次数过多，使得调节时间增加，成本变高。
5.因此，在对norflash芯片参考电流进行调节时，如何有效减少操作次数，提高效率、降低成本，是一项亟待解决的问题。


技术实现要素：

6.有鉴于此，本发明提供了一种norflash芯片参考电流调节方法，能够有效的减少操作次数，提高效率、降低成本。
7.本发明提供了一种norflash芯片参考电流调节方法，包括：
8.判断所述norflash芯片的初始电流是否小于目标电流，若是，则：
9.基于擦除电压对所述norflash芯片进行擦除操作，直至经过擦除操作后的所述norflash芯片的电流大于所述目标电流；
10.基于编程初始电压对所述norflash芯片进行进行编程操作，得到经过初次编程操作后的所述norflash芯片的第一电流；
11.计算所述第一电流与所述目标电流的第一差值；
12.判断所述第一差值是否大于预设值，若是，则基于第一编程电压对所述norflash芯片进行编程操作，若否，则：
13.基于第二编程电压对所述norflash芯片进行编程操作。
14.优选地，所述方法还包括：
15.当所述norflash芯片的初始电流大于所述目标电流时，基于所述编程初始电压对所述norflash芯片进行进行编程操作，得到经过初次编程操作后的所述norflash芯片的第二电流；
16.计算所述第二电流与所述目标电流的第二差值；
17.判断所述第二差值是否大于所述预设值，若是，则基于第三编程电压对所述norflash芯片进行编程操作，若否，则：
18.基于第四编程电压对所述norflash芯片进行编程操作。
19.优选地，所述擦除电压基于公式y1＝a1(x1
‑
1) b1确定，其中，y1为擦除电压，a1为第一参数值，x1为擦除次数，b1为起始电压；
20.所述编程初始电压基于公式y2＝a2x2 b2，其中，y2为编程初始电压，a2为第二参数值，x2为目标电流，b2为第三参数值。
21.优选地，所述第一编程电压基于公式y3＝c1*第一差值 y0确定，其中，c1为第一步进值，y0为上一次编程的电压；
22.所述第二编程电压基于公式y4＝c2*第一差值 y0确定，其中，c2为第二步进值，y0为上一次编程的电压，其中，c1＞c2。
23.优选地，所述第三编程电压基于公式y5＝c1*第二差值 y0确定，其中，c1为第一步进值，y0为上一次编程的电压；
24.所述第四编程电压基于公式y6＝c2*第二差值 y0确定，其中，c2为第二步进值，y0为上一次编程的电压，其中，c1＞c2。
25.一种norflash芯片参考电流调节系统，包括：
26.第一判断模块，用于判断所述norflash芯片的初始电流是否小于目标电流；
27.擦除模块，用于当所述norflash芯片的初始电流小于目标电流时，基于擦除电压对所述norflash芯片进行擦除操作，直至经过擦除操作后的所述norflash芯片的电流大于所述目标电流；
28.编程模块，用于基于编程初始电压对所述norflash芯片进行进行编程操作，得到经过初次编程操作后的所述norflash芯片的第一电流；
29.第一计算模块，用于计算所述第一电流与所述目标电流的第一差值；
30.第二判断模块，用于判断所述第一差值是否大于预设值；
31.所述编程模块，还用于当所述第一差值大于预设值时，基于第一编程电压对所述norflash芯片进行编程操作；
32.所述编程模块，还用于当所述第一差值小于预设值时，基于第二编程电压对所述norflash芯片进行编程操作。
33.优选地，所述编程模块还用于：
34.当所述norflash芯片的初始电流大于所述目标电流时，基于所述编程初始电压对所述norflash芯片进行进行编程操作，得到经过初次编程操作后的所述norflash芯片的第二电流；
35.所述系统，还包括：
36.第二计算模块，用于计算所述第二电流与所述目标电流的第二差值；
37.第三判断模块，用于判断所述第二差值是否大于所述预设值；
38.所述编程模块，还用于当所述第二差值大于所述预设值时，基于第三编程电压对所述norflash芯片进行编程操作；
39.所述编程模块，还用于当所述第二差值小于所述预设值时，基于第四编程电压对所述norflash芯片进行编程操作。
40.优选地，所述擦除电压基于公式y1＝a1(x1
‑
1) b1确定，其中，y1为擦除电压，a1为第一参数值，x1为擦除次数，b1为起始电压；
41.所述编程初始电压基于公式y2＝a2x2 b2确定，其中，y2为编程初始电压，a2为第二参数值，x2为目标电流，b2为第三参数值。
42.优选地，所述第一编程电压基于公式y3＝c1*第一差值 y0确定，其中，c1为第一步进值，y0为上一次编程的电压；
43.所述第二编程电压基于公式y4＝c2*第一差值 y0确定，其中，c2为第二步进值，y0为上一次编程的电压，其中，c1＞c2。
44.优选地，所述第三编程电压基于公式y5＝c1*第二差值 y0确定，其中，c1为第一步进值，y0为上一次编程的电压；
45.所述第四编程电压基于公式y6＝c2*第二差值 y0确定，其中，c2为第二步进值，y0为上一次编程的电压，其中，c1＞c2。
46.综上所述，本发明公开了一种norflash芯片参考电流调节方法，当需要对norflash芯片的参考电流进行调节时，首先判断norflash芯片的初始电流是否小于目标电流，若是，则：基于擦除电压对norflash芯片进行擦除操作，直至经过擦除操作后的norflash芯片的电流大于目标电流；基于编程初始电压对norflash芯片进行进行编程操作，得到经过初次编程操作后的norflash芯片的第一电流；计算第一电流与目标电流的第一差值；判断第一差值是否大于预设值，若是，则基于第一编程电压对norflash芯片进行编程操作，若否，则：基于第二编程电压对所述norflash芯片进行编程操作。本发明能够根据norflash芯片不同的电流值，灵活采用不同的调节方式，有效减少了操作次数，提高了效率，降低了成本。
附图说明
47.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
48.图1为本发明公开的一种norflash芯片参考电流调节方法实施例1的流程图；
49.图2为本发明公开的一种norflash芯片参考电流调节方法实施例2的流程图；
50.图3为本发明公开的一种norflash芯片参考电流调节系统实施例1的结构示意图；
51.图4为本发明公开的一种norflash芯片参考电流调节系统实施例2的结构示意图。
具体实施方式
52.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
53.如图1所示，为本发明公开的一种norflash芯片参考电流调节方法实施例1的流程图，所述方法可以包括以下步骤：
54.s101、判断norflash芯片的初始电流是否小于目标电流，若是，则进入s102：
55.当需要对norflash芯片的参考电流进行调节时，首先对norflash芯片的初始电流
进行判断，判断norflash芯片的初始电流是否小于目标电流。
56.s102、基于擦除电压对norflash芯片进行擦除操作，直至经过擦除操作后的norflash芯片的电流大于目标电流；
57.当norflash芯片的初始电流小于目标电流时，首先用擦除操作对norflash芯片的电流进行粗调，粗调的目的是以尽量少的次数使小于目标电流的电流略大于目标电流。
58.具体的，在对norflash芯片进行擦除操作时，基于擦除电压对norflash芯片进行擦除操作。其中，擦除电压的大小遵循公式：y1＝a1(x1
‑
1) b1确定，其中，y1为擦除电压，a1为第一参数值，x1为擦除次数，b1为在首次进行擦除操作时的起始电压。其中，第一参数值a1可以根据实际需求进行灵活的设定。
59.s103、基于编程初始电压对norflash芯片进行编程操作，得到经过初次编程操作后的norflash芯片的第一电流；
60.通过擦除操作将norflash芯片的电流调整到略大于目标电流后，采用编程操作进行细调。
61.具体的，首先基于编程初始电压对norflash芯片进行编程操作，得到经过初次编程操作后的norflash芯片的第一电流。其中，编程初始电压基于公式y2＝a2x2 b2，其中，y2为编程初始电压，a2为第二参数值，x2为目标电流，b2为第三参数值。其中，第二参数值a2和第三参数值b2可以根据实际需求进行灵活的设定。
62.s104、计算第一电流与目标电流的第一差值；
63.然后，计算经过初次编程操作后的norflash芯片的第一电流与目标电流的第一差值。
64.s105、判断第一差值是否大于预设值，若是，则进入s106，若否，则进入s107：
65.然后，判断经过初次编程操作后的norflash芯片的第一电流与目标电流的第一差值是否大于预设值。
66.s106、基于第一编程电压对norflash芯片进行编程操作；
67.当第一差值大于预设值时，采用第一编程电压对norflash芯片进行编程操作。
68.其中，第一编程电压基于公式y3＝c1*第一差值 y0确定，其中，c1为第一步进值，y0为上一次编程的电压。
69.s107、基于第二编程电压对norflash芯片进行编程操作。
70.当第一差值小于预设值时，采用第二编程电压对norflash芯片进行编程操作。
71.其中，第二编程电压基于公式y4＝c2*第一差值 y0确定，其中，c2为第二步进值，y0为上一次编程的电压，其中，c1＞c2，即当第一差值大于预设值时，使用较大的步进进行编程操作，当第一差值小于预设值时，使用较小的步进进行编程操作，灵活的采用不同的步进进行编程操作，可以在减少调节次数的同时增加调节参考电流的精确度。
72.如图2所示，为本发明公开的一种norflash芯片参考电流调节方法实施例2的流程图，所述方法可以包括以下步骤：
73.s201、判断norflash芯片的初始电流是否小于目标电流，若否，则进入s202：
74.当需要对norflash芯片的参考电流进行调节时，首先对norflash芯片的初始电流进行判断，判断norflash芯片的初始电流是否小于目标电流。
75.s202、基于编程初始电压对norflash芯片进行编程操作，得到经过初次编程操作
后的所述norflash芯片的第二电流；
76.当norflash芯片的初始电流大于目标电流时，直接进行编程操作。
77.具体的，首先基于编程初始电压对norflash芯片进行编程操作，得到经过初次编程操作后的norflash芯片的第二电流。其中，编程初始电压基于公式y2＝a2x2 b2，其中，y2为编程初始电压，a2为第二参数值，x2为目标电流，b2为第三参数值。其中，第二参数值a2和第三参数值b2可以根据实际需求进行灵活的设定。
78.s203、计算第二电流与目标电流的第二差值；
79.然后，计算经过初次编程操作后的norflash芯片的第二电流与目标电流的第二差值。
80.s204、判断第二差值是否大于预设值，若是，则进入s205，若否，则进入s206：
81.然后，判断经过初次编程操作后的norflash芯片的第二电流与目标电流的第二差值是否大于预设值。
82.s205、基于第三编程电压对norflash芯片进行编程操作；
83.当第二差值大于预设值时，采用第三编程电压对norflash芯片进行编程操作。
84.其中，第三编程电压基于公式y5＝c1*第二差值 y0确定，其中，c1为第一步进值，y0为上一次编程的电压。
85.s206、基于第四编程电压对norflash芯片进行编程操作。
86.当第二差值小于预设值时，采用第四编程电压对norflash芯片进行编程操作。
87.其中，第四编程电压基于公式y6＝c2*第二差值 y0确定，其中，c2为第二步进值，y0为上一次编程的电压，其中，c1＞c2，即当第二差值大于预设值时，使用较大的步进进行编程操作，当第二差值小于预设值时，使用较小的步进进行编程操作，灵活的采用不同的步进进行编程操作，可以在减少调节次数的同时增加调节参考电流的精确度。
88.综上所述，本发明在对norflash芯片的参考电流进行调节时，能够根据不同的目标电流设置不同的起始电压，能够将参考电流的调节分为粗调和细调两个过程，在细调过程中能够根据电流与目标电流的差值将电压的增加分为大步进和小步进两个阶段，使得在减少编程和擦除次数的同时调节结果也更加精确。
89.如图3所示，为本发明公开的一种norflash芯片参考电流调节系统实施例1的结构示意图，所述系统可以包括：
90.第一判断模块301，用于判断norflash芯片的初始电流是否小于目标电流；
91.当需要对norflash芯片的参考电流进行调节时，首先对norflash芯片的初始电流进行判断，判断norflash芯片的初始电流是否小于目标电流。
92.擦除模块302，用于当norflash芯片的初始电流小于目标电流时，基于擦除电压对norflash芯片进行擦除操作，直至经过擦除操作后的norflash芯片的电流大于目标电流；
93.当norflash芯片的初始电流小于目标电流时，首先用擦除操作对norflash芯片的电流进行粗调，粗调的目的是以尽量少的次数使小于目标电流的电流略大于目标电流。
94.具体的，在对norflash芯片进行擦除操作时，基于擦除电压对norflash芯片进行擦除操作。其中，擦除电压的大小遵循公式：y1＝a1(x1
‑
1) b1确定，其中，y1为擦除电压，a1为第一参数值，x1为擦除次数，b1为在首次进行擦除操作时的起始电压。其中，第一参数值a1可以根据实际需求进行灵活的设定。
95.编程模块303，用于基于编程初始电压对norflash芯片进行编程操作，得到经过初次编程操作后的norflash芯片的第一电流；
96.通过擦除操作将norflash芯片的电流调整到略大于目标电流后，采用编程操作进行细调。
97.具体的，首先基于编程初始电压对norflash芯片进行编程操作，得到经过初次编程操作后的norflash芯片的第一电流。其中，编程初始电压基于公式y2＝a2x2 b2，其中，y2为编程初始电压，a2为第二参数值，x2为目标电流，b2为第三参数值。其中，第二参数值a2和第三参数值b2可以根据实际需求进行灵活的设定。
98.第一计算模块304，用于计算第一电流与目标电流的第一差值；
99.然后，计算经过初次编程操作后的norflash芯片的第一电流与目标电流的第一差值。
100.第二判断模块305，用于判断第一差值是否大于预设值；
101.然后，判断经过初次编程操作后的norflash芯片的第一电流与目标电流的第一差值是否大于预设值。
102.编程模块303，还用于当第一差值大于预设值时，基于第一编程电压对norflash芯片进行编程操作；
103.当第一差值大于预设值时，采用第一编程电压对norflash芯片进行编程操作。
104.其中，第一编程电压基于公式y3＝c1*第一差值 y0确定，其中，c1为第一步进值，y0为上一次编程的电压。
105.编程模块303，还用于当第一差值小于预设值时，基于第二编程电压对norflash芯片进行编程操作。
106.当第一差值小于预设值时，采用第二编程电压对norflash芯片进行编程操作。
107.其中，第二编程电压基于公式y4＝c2*第一差值 y0确定，其中，c2为第二步进值，y0为上一次编程的电压，其中，c1＞c2，即当第一差值大于预设值时，使用较大的步进进行编程操作，当第一差值小于预设值时，使用较小的步进进行编程操作，灵活的采用不同的步进进行编程操作，可以在减少调节次数的同时增加调节参考电流的精确度。
108.如图4所示，为本发明公开的一种norflash芯片参考电流调节系统实施例2的结构示意图，所述系统可以包括：
109.第一判断模块401，用于判断norflash芯片的初始电流是否小于目标电流；
110.当需要对norflash芯片的参考电流进行调节时，首先对norflash芯片的初始电流进行判断，判断norflash芯片的初始电流是否小于目标电流。
111.编程模块402，用于当norflash芯片的初始电流大于目标电流时，基于编程初始电压对norflash芯片进行编程操作，得到经过初次编程操作后的所述norflash芯片的第二电流；
112.当norflash芯片的初始电流大于目标电流时，直接进行编程操作。
113.具体的，首先基于编程初始电压对norflash芯片进行编程操作，得到经过初次编程操作后的norflash芯片的第二电流。其中，编程初始电压基于公式y2＝a2x2 b2，其中，y2为编程初始电压，a2为第二参数值，x2为目标电流，b2为第三参数值。其中，第二参数值a2和第三参数值b2可以根据实际需求进行灵活的设定。
114.第二计算模块403，用于计算第二电流与目标电流的第二差值；
115.然后，计算经过初次编程操作后的norflash芯片的第二电流与目标电流的第二差值。
116.第三判断模块404，用于判断第二差值是否大于预设值；
117.然后，判断经过初次编程操作后的norflash芯片的第二电流与目标电流的第二差值是否大于预设值。
118.编程模块402，还用于当第二差值大于预设值时，基于第三编程电压对norflash芯片进行编程操作；
119.当第二差值大于预设值时，采用第三编程电压对norflash芯片进行编程操作。
120.其中，第三编程电压基于公式y5＝c1*第二差值 y0确定，其中，c1为第一步进值，y0为上一次编程的电压。
121.编程模块402，还用于当第二差值小于预设值时，基于第四编程电压对norflash芯片进行编程操作。
122.当第二差值小于预设值时，采用第四编程电压对norflash芯片进行编程操作。
123.其中，第四编程电压基于公式y6＝c2*第二差值 y0确定，其中，c2为第二步进值，y0为上一次编程的电压，其中，c1＞c2，即当第二差值大于预设值时，使用较大的步进进行编程操作，当第二差值小于预设值时，使用较小的步进进行编程操作，灵活的采用不同的步进进行编程操作，可以在减少调节次数的同时增加调节参考电流的精确度。
124.综上所述，本发明在对norflash芯片的参考电流进行调节时，能够根据不同的目标电流设置不同的起始电压，能够将参考电流的调节分为粗调和细调两个过程，在细调过程中能够根据电流与目标电流的差值将电压的增加分为大步进和小步进两个阶段，使得在减少编程和擦除次数的同时调节结果也更加精确。
125.本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
126.专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
127.结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(ram)、内存、只读存储器(rom)、电可编程rom、电可擦除可编程rom、寄存器、硬盘、可移动磁盘、cd
‑
rom、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
128.对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明
将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。