一种闪存存储电路、线路板及闪存存储器的制作方法

本实用新型涉及存储器领域，特别涉及一种闪存存储电路、线路板及闪存存储器。
背景技术：
：闪存存储器是一种非易失性存储器，适用于电子系统中作为程序或数据的储存器。闪存存储器的稳定性和可靠性对于电子系统是至关重要的，尤其在对稳定性和可靠性要求高的应用中。技术实现要素：本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种闪存存储电路，能够提高稳定性和可靠性。本实用新型还提出一种具有上述闪存存储电路的线路板。本实用新型还提出一种具有上述线路板的闪存存储器。第一方面，一种闪存存储电路，包括：闪存电路模块，设置有闪存芯片，所述闪存芯片至少设置三片；冗余电路模块，设置有逻辑门和数据选择器，所述数据选择器设置有两个，所述数据选择器与所述闪存芯片相匹配，所述闪存芯片与所述数据选择器连接，所述逻辑门与所述数据选择器连接，所述数据选择器用于根据所述闪存芯片输出的第一数据来输出相应的第二数据；所述逻辑门用于将所述第一数据或所述第二数据进行逻辑运算，以使所述冗余电路模块输出正确数据。根据本实用新型实施例的闪存存储电路，至少具有如下有益效果：闪存芯片与数据选择器连接，数据选择器与逻辑门连接，闪存芯片设置三片以上，当损坏一片闪存芯片后，剩下的闪存芯片仍然能够通过冗余电路模块正常工作，有利于提高闪存存储电路的稳定性和可靠性。根据本实用新型的一些实施例，所述逻辑门包括或门，所述数据选择器包括第一数据选择器和第二数据选择器，所述第一数据选择器设置第一输出端，所述第二数据选择器设置第二输出端，所述或门设置有第一输入端和第二输入端，所述第一输出端和所述第一输入端连接，所述第二输出端和所述第二输入端连接。根据本实用新型的一些实施例，所述逻辑门还包括非门，所述第二数据选择器设置使能端，所述非门通过所述使能端与所述第二数据选择器连接。根据本实用新型的一些实施例，所述闪存电路模块设置三片所述闪存芯片，所述数据选择器是4选1数据选择器。第二方面，一种线路板，包括第一方面的闪存存储电路。根据本实用新型实施例的线路板，至少具有如下有益效果：线路板应用第一方面的闪存存储电路，有利于提高应用该线路板的设备在存储功能方面的稳定性和可靠性。根据本实用新型的一些实施例，所述线路板包括数据选择层和闪存电路层，所述数据选择器设置在所述数据选择层，所述闪存芯片设置在所述闪存电路层。根据本实用新型的一些实施例，所述线路板还包括引线框架层，所述数据选择层的上侧设置有第一绝缘板，所述闪存电路层的上侧设置有第二绝缘板，所述引线框架层的上侧设置有第三绝缘板。根据本实用新型的一些实施例，所述数据选择层位于所述闪存电路层上方，所述引线框架层位于所述闪存电路层下方。第三方面，一种闪存存储器，包括第二方面的线路板。根据本实用新型实施例的闪存存储器，至少具有如下有益效果：闪存存储器应用第二方面的线路板，有利于提高闪存存储器的存储功能的稳定性和可靠性。本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。附图说明本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1为本实用新型第一方面实施例的闪存存储电路的结构图；图2为本实用新型第一方面实施例的闪存存储电路的原理图；图3为图2示出的闪存存储电路的另一些实施例的原理图；图4为本实用新型第二方面实施例的线路板的堆叠图。附图标记如下：闪存电路模块1000、闪存芯片1100、冗余电路模块2000、数据选择器2100、逻辑门2200；第一闪存芯片1110、第二闪存芯片1120、第三闪存芯片1130、第四闪存芯片1140；第一数据选择器2110、第二数据选择器2120、第一输出端2111、第二输出端2121、使能端2122；或门2211、第一输入端2211a、第二输入端2211b、非门2221；线路板3000、数据选择层3100、第一桥线3110、第一绝缘板3120、闪存电路层3200、第二桥线3210、第二绝缘板3220、引线框架层3300、第三桥线3310、第三绝缘板3320。具体实施方式下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。在本实用新型的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。在本实用新型的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个及两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二、第三或第四只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。本实用新型的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属
技术领域：
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本实用新型中的具体含义。参照图1，一种闪存存储电路，包括闪存电路模块1000和冗余电路模块2000。闪存电路模块1000设置有至少三片闪存芯片1100。冗余电路模块2000设置有逻辑门2200和数据选择器2100。数据选择器2100设置有两个。数据选择器2100与闪存芯片1100是相匹配的。闪存芯片1100与数据选择器2100连接，逻辑门2200与数据选择器2100连接，数据选择器2100用于根据闪存芯片1100输出的第一数据来输出相应的第二数据。逻辑门2200用于将第一数据或第二数据进行逻辑运算，以使冗余电路模块2000输出正确数据。具体地，三片以上的闪存芯片1100与数据选择器2100连接，逻辑门2200与数据选择器2100连接。每一片闪存芯片1100都输出一个第一数据，所有第一数据都进入了两个数据选择器2100，两个数据选择器2100都根据来源于闪存芯片1100的第一数据，输出相应的第二数据，逻辑门2200将第二数据进行逻辑运算，最后输出一个正确数据。当所有第一数据相同时，正确数据与第一数据相同；当一个第一数据与另外的第一数据都不相同时，即一片闪存芯片1100损坏时，正确数据与另外的第一数据相同。通过数据选择器2100和逻辑门2200，将所有的第一数据唯一确定为一个正确数据，提高闪存储存电路的稳定性和可靠性。参照图2，在本实用新型的一些实施例中，逻辑门2200包括或门2211和非门2221。数据选择器2100包括第一数据选择器2110和第二数据选择器2120，第一数据选择器2110设置第一输出端2111，第二数据选择器2120设置第二输出端2121，或门2211设置有第一输入端2211a和第二输入端2211b，第一输出端2111和第一输入端2211a连接，第二输出端2121和第二输入端2211b连接。第二数据选择器2120设置使能端2122，非门2221通过使能端2122与第二数据选择器2120连接。具体地，或门2211将第一数据选择器2110输出的第二数据和第二数据选择器2120输出的第二数据进行或的逻辑运算。非门2221连接在第二数据选择器2120的使能端2122，非门2221将即将进入使能端2122的第一数据进行非的逻辑运算。通过或门2211和非门2221的设置，冗余电路模块2000实现将三个以上输入的第一数据唯一确定为一个正确数据，有利于提高稳定性和可靠性。参照图2，在本实用新型的一些实施例中，闪存芯片1100包括第一闪存芯片1110、第二闪存芯片1120和第三闪存芯片1130，第一数据选择器2110和第二数据选择器2120都是4选1数据选择器。具体地，4选1数据选择器设置有a输入端、b输入端、d0输入端、d1输入端、d2输入端、d3输入端、s控制端和输出端。第一闪存芯片1110设置有s1输出端，第二闪存芯片1120设置有s2输出端，第三闪存芯片1130设置有s3输出端。s1输出端与每一个4选1数据选择器的a输入端连接；s2输出端与每一个4选1数据选择器的b输入端连接；s3输出端与第一数据选择器2110的s控制端连接，与第二数据选择器2120的s控制端通过非门2221连接，第二数据选择器2120的s控制端也称为使能端2122。第一数据选择器2110的d0输入端、d1输入端和d2输入端都输入“0”，第一数据选择器2110的d3输入端输入“1”。第二数据选择器2120的d0输入端输入“0”，第二数据选择器2120的d1输入端、d2输入端和d3输入端都输入“1”。闪存芯片1100输出的第一数据和通过逻辑门2200得到的正确数据的关系如表1。表1表1中，s1指第一闪存芯片1110输出的第一数据，s2指第二闪存芯片1120输出的第一数据，s3指第三闪存芯片1130输出的第一数据，s0指正确数据。从表1可以看出，当存在两个以上相同的第一数据时，正确数据就与两个以上相同的第一数据相同。如s1与s2相同，s1与s3不相同，则s0与s1相同；s1与s2相同，s1与s3相同，则s0与s1相同。参照图2的设置，当损坏一片闪存芯片1100时，也可以得到正确数据，使闪存存储电路的稳定性和可靠性提高。需要说明的是，通过d0输入端、d1输入端、d2输入端和d3输入端输入的“0”或“1”，是指电子信号，同时也是一些实施例中提到的第二数据，“0”是低电平，“1”是高电平。参照图3，在另一些实施例中，闪存芯片1100包括第一闪存芯片1110、第二闪存芯片1120、第三闪存芯片1130和第四闪存芯片1140。第一数据选择器2110和第二数据选择器2120都是8选1数据选择器。具体地，8选1选择器设置有a输入端、b输入端、c输入端、d0输入端、d1输入端、d2输入端、d3输入端、d4输入端、d5输入端、d6输入端、d7输入端、s控制端和输出端。第一闪存芯片1110设置有s1输出端，第二闪存芯片1120设置有s2输出端，第三闪存芯片1130设置有s3输出端，第四闪存芯片1140设置有s4输出端。s1输出端与每一个8选1数据选择器的a输入端连接；s2输出端与每一个8选1数据选择器的b输入端连接；s3输出端与每一个8选1数据选择器的c输入端连接；s4输出端与第一数据选择器2110的s控制端连接，与第二数据选择器2120的s控制端通过非门2221连接，第二数据选择器2120的s控制端也称为使能端2122。第一数据选择器2110的d0输入端、d1输入端、d2输入端、d3输入端、d4输入端、d5输入端和d6输入端都输入“0”，第一数据选择器2110的d7输入端输入“1”。第二数据选择器2120的d0输入端、d1输入端、d2输入端、d3输入端、d5输入端都输入“0”，第二数据选择器2120的d4输入端、d6输入端和d7输入端都输入“1”。闪存芯片1100输出的第一数据和通过逻辑门2200得到的正确数据的关系如表2。s1s2s3s4s000000000100010000110010000101001100011111000010010101001011111000110111110111111表2表2中，s1指第一闪存芯片1110输出的第一数据，s2指第二闪存芯片1120输出的第一数据，s3指第三闪存芯片1130输出的第一数据，s4指第四闪存芯片1140输出的第一数据，s0指正确数据。从表2可以看出，当存在三个以上相同的第一数据时，正确数据就与三个以上相同的第一数据相同；当不存在三个以上相同的第一数据时，正确数据就为“0”。如s1与s2相同，s1与s3相同，s1与s4不相同，则s0与s1相同。参照图3的设置，当损坏一片闪存芯片1100时，也可以得到正确数据，使闪存存储电路的稳定性和可靠性提高。需要说明的是，通过d0输入端、d1输入端、d2输入端、d3输入端、d4输入端、d5输入端、d6输入端和d7输入端输入的“0”或“1”，是指电子信号，同时也是一些实施例中提到的第二数据，“0”是低电平，“1”是高电平。参照图4，一种线路板3000，设置有第一方面闪存存储电路。线路板3000包括数据选择层3100、闪存电路层3200和引线框架层3300，数据选择器2100设置在数据选择层3100，闪存芯片1100设置在闪存电路层3200。数据选择层3100的上侧设置有第一绝缘板3120，闪存电路层3200的上侧设置有第二绝缘板3220，引线框架层3300的上侧设置有第三绝缘板3320。数据选择层3100位于闪存电路层3200上方，引线框架层3300位于闪存电路层3200下方。具体地，线路板3000分为三层，从上至下分别是数据选择层3100、闪存电路层3200和引线框架层3300。每一层之间设置有绝缘板，绝缘板用于使层与层之间形成阻隔间隙，以避免各层之间存在不需要的电路结构的干涉。每一层都设置有桥线，如数据选择层3100设置第一桥线3110，闪存电路层3200设置第二桥线3210，引线框架层3300设置第三桥线3310，桥线用于对线路板3000外部的连接。线路板3000设置第一方面的闪存存储电路，并且采用立体式分三层的设计，实现设置闪存存储电路的线路板3000的小型化，便于小型化封装。在一些实施例中，闪存存储器应用第二方面的线路板3000。具体地，第二方面的线路板3000设置有第一方面的闪存存储电路，设置闪存存储器电路的线路板3000采用立体式分三层的设计实现小型化，有利于应用该线路板3000的闪存存储器实现小型化设计，同时，闪存存储电路提高了储存的稳定性和可靠性，则提高该闪存存储器实现存储功能的稳定性和可靠性。上面结合附图对本实用新型实施例作了详细说明，但是本实用新型不限于上述实施例，在所属
技术领域：
普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下作出各种变化。当前第1页12