一种嵌入式存储器的参数测试的分类筛选方法与流程

1.本发明涉及集成电路测试技术领域，特别涉及一种嵌入式存储器的参数测试的分类筛选方法。


背景技术：

2.半导体存储器可分为挥发性存储器和非挥发性存储器两类，挥发性存储器断电后会失去记忆的数据，非挥发性存储器即使在切断电源的情况下也可以保护数据。rom是非挥发性存储器，rom在类型上根据用户是否可以写入数据而分为两类，一类是用户可以写入的rom，另一类是制造商在加工过程中写入的被称为mask rom。在用户可写入的rom中，比较常用的有eeprom(electrically erasable programmable rom，电可擦可编程只读存储器)和eflash(embedded flash memory，嵌入式闪存)。
3.eflash是eeprom走向成熟，半导体技术发展到亚微米技术，以及大容量电可擦写存储器需求的产物。它存储数据的原理是以电荷的形成储存在浮栅电极上。与eeprom相比，eflash在集成度方面有无可比拟的优越性；它的单元面积仅为常规eeprom的四分之一。eeprom由于成本高、需求量小、集成度低，有逐渐被eflash取代的趋势。
4.在eflash的制程中，有eflash测试这一步骤，目的是控制测试系统硬件以一定的方式保证被测eflash达到或超越它的一些具体定义在器件规格书里的设计指标。通常情况下，都是基于电压或者电流的测试参数值与相应的规格比较来进行测试项目的分类。从整个晶圆来看，虽然工艺制程在片内有差异分布，但是晶圆的局部位置的修调档位是相对固定的，且在晶圆的同一区域位置中，相邻的芯片的修调档位是接近的，如果发现跳档波动大，就把这个区域标识为芯片可靠性风险区域。但是，这种方法仅能对嵌入式存储器做芯片功能性的筛选，其存在可靠性相关漏宰的风险。


技术实现要素：

5.本发明的目的在于提供一种嵌入式存储器的参数测试的分类筛选方法，以解决现有分类筛选方法带来的可靠性相关漏宰的风险。
6.为解决上述技术问题，本发明提供一种嵌入式存储器的参数测试的分类筛选方法，包括以下步骤：
7.设定存储器的电参数的修调档位的筛选手段；
8.执行晶圆测试，以得到电参数的实测修调档位；
9.将所述电参数的实测修调档位记录到log文档中；以及
10.对所述log文档中的记录的电参数的实测修调档位进行分析，并绘制测试晶圆图谱。
11.可选的，所述电参数包括写入、读出和擦除相关的参数。
12.进一步的，所述电参数具体包括写入电压、擦除电压、读出电压、写入电流和擦除电流。
13.进一步的，执行晶圆测试，以得到实测的电参数的实测修调档位包括：
14.执行晶圆测试，以得到修调写入电压值和其对应的实测修调档位，修调擦除电压值和其对应的实测修调档位，修调读出电压值和其对应的实测修调档位，修调写入电流值和其对应的实测修调档位，修调擦除电流值和其对应的实测修调档位。
15.进一步的，将所述电参数的实测修调档位记录到log文档中具体包括：
16.将所述修调写入电压值和其对应的实测修调档位，修调擦除电压值和其对应的实测修调档位，修调读出电压值和其对应的实测修调档位，修调写入电流值和其对应的实测修调档位，修调擦除电流值和其对应的实测修调档位记录到log文档中。
17.进一步的，对所述log文档中的记录的电参数的实测修调档位进行分析，并绘制测试晶圆图谱包括：
18.在对所述log文档中的记录的电参数的实测修调档位进行分析时，
19.若电参数的实测修调档位存在异常的芯片，则将该芯片剔除，同时绘制出第一测试晶圆图谱；
20.根据九宫格的墨迹轨迹，若一个合格的芯片相邻的多个芯片存在电参数的实测修调档位异常，那么该合格的芯片也被剔除，同时绘制出第二测试晶圆图谱；以及
21.若电参数的实测修调档异常的芯片失效率超过预设标准时，则需要判断该芯片在晶圆的处置，同时绘制出第三测试晶圆图谱。
22.进一步的，在绘制测试晶圆图谱之后还包括：
23.将所述第一测试晶圆图谱、第二测试晶圆图谱和第三测试晶圆图谱合并以及修改，从而获得最终的测试晶圆图谱。
24.进一步的，最终的所述测试晶圆图谱包括了第一测试晶圆图谱、第二测试晶圆图谱和第三测试晶圆图谱中的合成图。
25.进一步的，所述晶圆包括阵列排布的多个芯片，在执行所述晶圆的测试过程中，对所述芯片沿蛇形依次进行测试，或者按行、按列进行测试。
26.进一步的，所述嵌入式存储器为嵌入式闪存。
27.与现有技术相比存在以下有益效果：
28.本发明提供的一种嵌入式存储器的参数测试的分类筛选方法，包括以下步骤：设定存储器的电参数的修调档位的筛选手段；执行晶圆测试，以得到实测的电参数的实测修调档位；将所述电参数的实测修调档位记录到log文档中；以及对所述log文档中的记录的电参数的实测修调档位进行分析，并绘制测试晶圆图谱。本发明通过log文档记录的每个晶圆的电参数的实测修调档位，不仅可以将修调档位异常的芯片剔除，提供了可靠性风险预警机制，还有效提高了芯片的可靠性指标。
附图说明
29.图1为本发明一实施例提供的一种嵌入式存储器的参数测试的分类筛选方法的流程图。
具体实施方式
30.以下将对本发明的一种嵌入式存储器的参数测试的分类筛选方法作进一步的详
measure unit，pmu)来测量，接着采用相应的计算机语言编写相关程序，从16个测得的值中选取最接近目标值的测得的值作为最终结果，即确定最接近目标值的档位范围，例如：从16个档位中选择了5个档位作为合适的档位范围，比如档位1到档位5，也就是说，16个档位中档位1到档位5为安全档位，6
‑
16为不安全档位。
44.接着执行步骤s30，将所述电参数的实测修调档位记录到log文档中，以便于后续录入系统做判断和分析。
45.具体的，将所述修调写入电压值和其对应的实测修调档位，修调擦除电压值和其对应的实测修调档位，修调读出电压值和其对应的实测修调档位，修调写入电流值和其对应的实测修调档位，修调擦除电流值和其对应的实测修调档位记录到log文档中。
46.接着执行步骤s40，对所述log文档中的记录的电参数的实测修调档位进行分析，并绘制测试晶圆图谱。
47.具体的，本步骤在对所述log文档中的记录的电参数的实测修调档位进行分析时，若电参数的实测修调档位存在异常的芯片，则将该芯片剔除(例如该芯片的实测修调档位于不安全档位即6
‑
16中)，同时绘制出第一测试晶圆图谱；根据九宫格的墨迹轨迹，若一个合格的芯片相邻的多个芯片存在电参数的实测修调档位异常，那么该合格的芯片也被剔除，同时绘制出第二测试晶圆图谱；若电参数的实测修调档异常的芯片失效率超过某一个预设标准，则需要判断该芯片在晶圆的处置，同时绘制出第三测试晶圆图谱。
48.本实施例通过log文档记录的每个晶圆的电参数的实测修调档位，不仅可以将修调档位异常的芯片剔除，还可以提供可靠性风险预警机制。
49.之后，根据分析结果修改所述测试晶圆图谱。具体的，将所述第一测试晶圆图谱、第二测试晶圆图谱和第三测试晶圆图谱合并以及修改，从而获得最终的测试晶圆图谱。该测试晶圆图谱包括了第一测试晶圆图谱、第二测试晶圆图谱和第三测试晶圆图谱中的合成图，使得三个测试晶圆图谱的被剔除的芯片均包含在内，从而有效提高了芯片的可靠性指标。
50.综上所述，本发明提供的一种嵌入式存储器的参数测试的分类筛选方法，包括以下步骤：设定存储器的电参数的修调档位的筛选手段；执行晶圆测试，以得到实测的电参数的实测修调档位；将所述电参数的实测修调档位记录到log文档中；以及对所述log文档中的记录的电参数的实测修调档位进行分析，并绘制测试晶圆图谱。本发明通过log文档记录的每个晶圆的电参数的实测修调档位，不仅可以将修调档位异常的芯片剔除，提供了可靠性风险预警机制，还有效提高了芯片的可靠性指标。
51.此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”的描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
52.可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。