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写操作电路、半导体存储器和写操作方法与流程

2021-04-27 14:24:00 来源:中国专利 TAG:存储器 半导体 操作方法 电路 操作
技术总结
本申请实施例至少提供一种写操作电路,包括:串并转换电路,用于对DBI端口的第一DBI数据进行串并转换,以生成供DBI信号线传输的第二DBI数据,以及根据第二DBI数据和DQ端口的输入数据,生成数据缓冲模块的输入数据;数据缓冲模块,用于根据数据缓冲模块的输入数据,确定是否翻转全局总线;DBI解码模块,用于根据第二DBI数据,对全局总线数据进行解码,并将解码后的数据写入存储块,解码包括确定是否翻转全局总线数据;预充电模块,连接于预充电信号线,用于将全局总线的初始态设置为低。本申请实施例的技术方案可以实现在Precharge下拉架构下,减少全局总线的翻转次数,从而大幅压缩电流,降低功耗。降低功耗。降低功耗。


技术研发人员:张良
受保护的技术使用者:长鑫存储技术(上海)有限公司
技术研发日:2019.10.25
技术公布日:2021/4/27

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