存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案的制作方法

存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案
1.交叉引用
2.本专利申请要求韦娜(villa)等人于2018年8月17日提交的名称为“存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案(access schemes for activity
‑
based data protection in a memory device)”的第16/104,693号美国专利申请的优先权，此申请与法肯索尔(fackenthal)等人于2018年8月17日提交的“存储器装置中用于基于区段的数据保护的存取方案(access schemes for section
‑
based data protection in a memory device)”的第16/104,711号美国专利申请有关，这两个申请均转让给本受让人且均以引用的方式明确并入本文中。


背景技术：

3.下文大体上涉及存储器系统，且更确切地说，涉及存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案。
4.存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。例如，二进制存储器装置具有通常标示为逻辑“1”或逻辑“0”的两个逻辑状态。在其它存储器装置中，可存储超过两个逻辑状态。为了存取所存储的信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中所存储的逻辑状态。为了存储信息，电子装置的组件可写入或编程存储器装置中的逻辑状态。
5.存在各种类型的存储器装置，包含采用磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)等等的那些。存储器装置可为易失性或非易失性的。例如pcm和feram的非易失性存储器即使在无外部电源存在的情况下仍可在很长一段时间内维持所存储的逻辑状态。例如dram的易失性存储器装置，除非其由电源周期性地刷新，否则可随时间推移失去所存储的逻辑状态。在一些情况下，非易失性存储器可使用类似装置架构作为易失性存储器，但可通过采用此类物理现象作为铁电电容或不同材料相位而具有非易失性特性。
6.改进存储器装置可包含增大存储器单元密度、增大读取/写入速度、提高可靠性、增强数据保持、降低功率消耗或降低制造成本以及其它度量。在一些情况下，存储器装置的区段的选定存储器单元上的存取操作可使电荷在存储器装置的区段的未选定存储器单元上累积，这可能会促进存储在未选定存储器单元中的数据的丢失。
附图说明
7.图1示出根据本公开的实例的支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案的实例存储器装置。
8.图2示出根据本公开的实例的支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案的实例电路。
9.图3示出根据本公开的实例的支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取
方案的存储器单元的具有迟滞曲线的非线性电特性的实例。
10.图4示出根据本公开的实例的支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案的电路的实例。
11.图5示出根据本公开的各种实施例的时序图，其示出了存储器装置中用于基于活动的数据保护的实例存取方案的操作。
12.图6a和6b示出根据本公开的各种实施例的流程图，其示出了可支持存储器装置中用于基于区段的数据保护的存取方案的一或多种方法。
13.图7示出根据本公开的各种实施例的可支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案的状态图的实例。
14.图8示出根据本公开的各种实施例的可支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案的存储器装置的框图。
15.图9示出根据本公开的各种实施例的可支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案的存储器控制器的框图。
16.图10示出根据本公开的各种实施例的包含可支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案的装置的系统的图式。
具体实施方式
17.根据本公开的方面，存储器单元的逻辑状态可以通过执行存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案来维持。例如，存储器装置可以划分成数个存储器区段。至少一些(如果不是全部的话)存储器区段可包含一组存储器单元，这一组存储器单元与存储器区段的数字线和存储器区段的板线或共同板或其它共同节点(例如，存储器区段中的所有存储器单元共同的节点)耦合或耦合于它们之间。存储器区段中的每一个存储器单元可包含单元选择组件或以其它方式与单元选择组件相关联，所述单元选择组件配置成选择性地耦合存储器单元与存储器区段的相关联数字线。在一些实例中，每一个单元选择组件可以(例如，在单元选择组件的控制节点、控制端子、选择节点或选择端子处)与存储器区段的一组字线中的一个耦合，这一个字线可用于使特定单元选择组件启动或撤销启动。
18.存取操作(例如，读取操作、写入操作、重写操作、刷新操作或其组合)可对存储器区段的选定存储器单元(例如，为相应存取操作选定或以其它方式识别的存储器单元)执行。在一些实例中，存取操作可以与偏置相关联存储器区段的板线或数字线相关联。在存取操作期间，可以启动选定存储器单元的单元选择组件，使得选定存储器单元可以选择性地与相关联存储器区段的数字线和板线耦合。因此，与存取操作相关联的信号(例如，与存取操作相关联的电压、与存取操作相关联的电荷、与存取操作相关联的电流)可由于为存取操作偏置存储器区段的数字线或板线而传递到、传递自或传递通过选定存储器单元。
19.尽管未选定存储器单元(例如，存储器区段中未选定用于或以其它方式识别用于存储器区段的存取操作的单元)的单元选择组件可能会撤销启动，但是电荷(例如，泄漏电荷)仍可流动通过撤销启动的单元选择组件。例如，当存储器区段的数字线或板线在与选定存储器单元上的存取操作相关联的电压下偏置时，数字线或板线和未选定存储器单元(例如，未选定存储器单元的中间节点)之间的电压差可使电荷流过撤销启动的单元选择组件，并流到或流自未选定存储器单元(例如，在选定存储器单元上的存取操作期间)。其它机制
也可能引起泄漏电荷的流动，例如存储器单元之间的耦合，它准许泄漏电荷从一个存储器单元的存储元件流动到另一存储器单元的存储元件(例如，通过撤销启动的单元选择组件、绕过撤销启动的单元选择组件、从一个存储器单元的中间节点传递到另一存储器单元的中间节点)。
20.在一些实例中，泄漏电荷可引起原本不会存在的跨存储器单元的偏置(例如，非零偏置或电压)(例如，原本具有均衡偏置或电压的单元)。在存储器区段的连续存取操作中，此类泄漏电荷或非零偏置可在存储器区段的未选定存储器单元上累积或从其累积，这在一些实例中可能会引起存储在存储器区段的存储器单元中的数据的丢失。
21.根据本公开的实例，操作可对存储器装置的存储器区段执行，以启用或以其它方式支持从存储器区段的存储器单元累积的泄漏电荷或偏置的消散。例如，选定存储器区段的一或多个存储器单元(例如，所有存储器单元)的单元选择组件可以启动(例如，通过启动或“升高”与选定存储器区段相关联的一或多个字线，通过启动与选定存储器区段相关联的所有字线)。
22.当选定存储器区段的单元选择组件启动(例如，“接通”)时，选定存储器区段的相关联数字线和选定存储器区段的板线、共同板或另一共同节点可以与支持经累积泄漏电荷或偏置消散的电压源耦合。例如，被选定用于此类操作的存储器区段的数字线和板线可以与同一电压源耦合、与具有相同电压的不同电压源耦合，或与以其它方式支持在选定存储器区段的存储器单元处累积的泄漏电荷或偏置的消散的具有电压的电压源耦合。在一些实例中，与泄漏电荷或偏置的此类消散相关联的存储器区段的所述操作可以称为存储器区段的电压调整操作(例如，消散操作、均衡操作)。操作可描述为或者可以是仅字线刷新(wor)操作的部分。
23.用于此类操作的存储器区段的选择可基于存储器装置的一组区段的存取历史。例如，存储器装置可包含用于存储器装置的所述一组区段中的每一个的计数器，其中各个计数器在每次存取(例如，读取、写入、重写、刷新、预充电)存储器区段时递增。存储器装置可确定执行电压调整操作(例如，基于定时器、基于周期性间隔、基于非周期性间隔)，然后选择具有最高计数值的存储器区段。换句话说，存储器装置可以为电压调整操作选择具有自存储器区段的先前电压调整操作以来最高存取操作数目的存储器区段。存储器装置可以接着对选定存储器区段执行电压调整操作，并重置选定存储器区段的计数器，使得另一存储器区段可以与自先前电压调整操作以来的最高存取操作数目相关联。因此，存储器装置可对与最高存取操作发生率相关联的存储器区段(例如，存取最频繁的区段)执行电压调整操作。
24.在存取最频繁的区段上累积的泄漏电荷或偏置的消散可以防止或减少那些存储器区段的存储器单元所存储的逻辑状态的退化。例如，存储器区段的铁电存储器单元可基于非线性极化行为(例如，在不存在所施加电场的情况下存储电荷的能力)操作。换句话说，作为一个实例，经极化铁电存储器存储元件可以存储电荷，即使在没有电场主动地跨存储器单元施加时(例如，在均衡状态中、在待机状态中)也如此。但是，泄漏电荷或非零偏置可导致极化退化或损失，并且此类极化退化可能会因为在存储器区段处执行的连续存取操作中累积的泄漏电荷或偏置而加剧。通过执行本文中所描述的操作(例如，电压调整操作、消散操作、均衡操作)，例如在存储器区段的铁电存储器单元处累积的泄漏电荷或非零偏置可
以在对存储器区段执行的存取操作之后消散，这可以缓解或阻止跨存储器区段的连续存取操作累积泄漏电荷或偏置，并且提高了存储器装置维持所存储的数据的能力。此外，通过为此类操作选择存取最频繁的存储器区段，与在不考虑相应存储器区段上的存取操作的频率的情况下执行此类操作相比，存储器装置可以以更有针对性的方式操作。
25.在支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案的存储器阵列、存储器电路和存储器单元行为的上下文中参考图1到3进一步描述上文介绍的本公开的特征。接着，参考图4和5描述具体实例，它们示出支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案的特定电路和相关联时序图。参考图6到8描述可支持所述操作的方法和电路的其它实例。关于图9到11进一步描述本公开的这些和其它特征，它们示出支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案的设备和系统图。
26.图1示出根据本公开的各种实施例的支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案的实例存储器装置100。存储器装置100也可称为电子存储器设备。存储器装置100可包含可编程为存储不同逻辑状态的存储器单元105。在一些情况下，存储器单元105可编程为存储两个逻辑状态，标示为逻辑0和逻辑1。在一些情况下，存储器单元105可编程为存储超过两个逻辑状态。在一些实例中，存储器单元105可包含电容性存储器元件、铁电性存储器元件、电阻性元件、自选存储器元件或其组合。
27.所述一组存储器单元105可以是存储器装置100的存储器区段110的一部分(例如，包含存储器单元阵列105)，其中在一些实例中，存储器区段110可以指存储器单元105的连续磁贴(例如，半导体芯片的连续一组元件)。在一些实例中，存储器区段110可以指可以在存取操作中偏置的最小一组存储器单元105或共享共同节点(例如，共同板线、偏置到共同电压的一组板线)的最小一组存储器单元105。尽管只示出了存储器装置100的单个存储器区段110，但是根据本公开的存储器装置的各种实例可具有一组存储器区段110。在一个说明性实例中，存储器装置100可包含32个“存储体”且每个存储体可包含32个区段。因此，根据说明性实例的存储器装置100可包含1,024个存储器区段110。
28.在一些实例中，存储器单元105可存储表示可编程逻辑状态的电荷(例如，将电荷存储在电容器、电容性存储器元件、电容性存储元件中)。在一个实例中，带电荷和不带电荷的电容器可分别表示两个逻辑状态。在另一实例中，带正电荷和带负电荷的电容器可分别表示两个逻辑状态。dram或feram架构可使用此类设计，并且所采用的电容器可包含具有线性或顺电极化特性的介电材料作为绝缘体。在一些实例中，电容器的不同电荷水平可表示不同逻辑状态(例如，在相应存储器单元105中支持超过两个逻辑状态)。在一些实例中，例如feram架构，存储器单元105可包含铁电电容器，其具有铁电材料作为电容器的端子之间的绝缘(例如，不导电)层。铁电电容器的不同极化水平可表示不同逻辑状态(例如，在相应存储器单元105中支持两个或更多个逻辑状态)。铁电材料具有非线性极化特性，包含参考图3进一步详细论述的那些。
29.在一些实例中，存储器单元105可包含可被称作存储器元件、存储器存储元件、自选择存储器元件或自选择存储器存储元件的材料部分。所述材料部分可具有表示不同逻辑状态的可变且可配置电阻。
30.例如，可采取结晶原子配置或非结晶原子配置(例如，能够在存储器装置100的环境操作温度范围内维持结晶状态或非结晶状态)的形式的材料可依据原子配置而具有不同
电阻。材料的更结晶状态(例如，单晶、一系列可为大体上结晶的相对较大晶粒)可具有相对较低电阻，并且可被替代地称作“设置”逻辑状态。材料的更非结晶状态(例如，完全非结晶状态、可为大体上非结晶的相对较小晶粒的某种分布)可具有相对较高电阻，并且可被替代地称作“重置”逻辑状态。因此，施加到此类存储器单元105的电压可依据存储器单元105的材料部分是处于更结晶状态还是处于更非结晶状态而产生不同电流。因此，通过将读取电压施加到存储器单元105产生的电流的量值可用于确定存储器单元105所存储的逻辑状态。
31.在一些实例中，存储器元件可配置有可产生中间电阻的结晶面积与非结晶面积的各种比(例如，不同的原子有序和无序度)，其可表示不同逻辑状态(例如，支持相应存储器单元105中的两个或更多个逻辑状态)。此外，在一些实例中，材料或存储器元件可具有超过两个原子配置，例如非结晶配置和两个不同的结晶配置。虽然本文参考不同原子配置的电阻进行描述，但存储器装置可使用存储器元件的某一其它特征确定对应于原子配置或原子配置的组合的所存储逻辑状态。
32.在一些情况下，处于更非结晶状态的存储器元件可以与阈值电压相关联。在一些实例中，当跨存储器元件施加大于阈值电压的电压时，电流可流动通过处于更非结晶状态的存储器元件。在一些实例中，当跨存储器元件施加小于阈值电压的电压时，电流可能不流动通过处于更非结晶状态的存储器元件。在一些情况下，处于更结晶状态的存储器元件可能不与阈值电压相关联(例如，可与阈值电压零相关联)。在一些实例中，响应于跨存储器元件的非零电压，电流可流动通过处于更结晶状态的存储器元件
33.在一些情况下，处于更非结晶状态和更结晶状态的材料可与阈值电压相关联。例如，ssm可增强存储器单元的阈值电压在不同经编程状态之间的差(例如，借助于不同组成分布)。具有此类存储器元件的存储器单元105的逻辑状态可以通过随时间推移将存储器元件加热到支持形成特定原子配置或原子配置的组合的温度特征曲线来设置。
34.存储器装置100可包含三维(3d)存储器阵列，其中多个二维(2d)存储器阵列(例如，组(deck)、层级)在彼此顶部上形成。在各种实例中，此类阵列可以划分成一组存储器区段110，其中每个存储器区段110可布置在组或层级内、跨多个组或层级分布，或其任何组合。相比于2d阵列，此类布置可以增加可以放置或形成于单个裸片或衬底上的存储器单元105的数目，进而可以减少制造成本或提高存储器装置100的性能，或这两者。组或层级可以由电绝缘材料间隔开。每个组或层级可以排列或定位成使得存储器单元105可以跨每个组彼此大致对齐，从而形成存储器单元105的堆叠。
35.在存储器装置100的实例中，存储器区段110的存储器单元105的每个行可以与一组第一存取线120中的一个(例如，字线(wl)，如wl1到wl
m
中的一个)耦合，并且存储器单元105的每个列可以与一组第二存取线130中的一个(例如，数字线(dl)，如dl1到dl
n
中的一个)耦合。在一些实例中，不同存储器区段110(未示出)的存储器单元105的一个行可以与不同多个第一存取线120中的一个(例如，不同于wl1到wl
m
的字线)耦合，并且不同存储器区段110的存储器单元105的一个列可以与不同多个第二存取线130中的一个(例如，不同于dl1到dl
n
的数字线)耦合。在一些情况下，第一存取线120和第二存取线130可以在存储器装置100中大体上垂直于彼此(例如，当查看存储器装置100的组的平面时，如图1中所示)。对字线和位线或其类似物的提及是可互换的，而不会影响理解或操作。
36.一般来说，一个存储器单元105可位于存取线120与存取线130的相交点处(例如，
与存取线120和存取线130耦合，耦合于存取线120与存取线130之间)。此相交点可被称作存储器单元105的地址。目标或选定存储器单元105可为位于通电或以其它方式选定的存取线120与通电或以其它方式选定的存取线130的相交点处的存储器单元105。换句话说，存取线120和存取线130可通电或以其它方式选定以存取(例如，读取、写入、重写、刷新)其相交点处的存储器单元105。与同一存取线120或130电子连通(例如，连接)的其它存储器单元105可被称作非目标或未选定存储器单元105。
37.在一些架构中，存储器单元105的逻辑存储组件(例如，电容性存储器元件、铁电性存储器元件、电阻性存储器元件、其它存储器元件)可以通过单元选择组件与第二存取线130电隔离，所述单元选择组件在一些实例中可以称为开关组件或选择器装置。第一存取线120可以与单元选择组件耦合(例如，经由单元选择组件的控制节点或端子)，并且可控制存储器单元105的单元选择组件。例如，单元选择组件可以是晶体管，且第一存取线120可以与晶体管的栅极耦合(例如，其中晶体管的栅极节点可以是晶体管的控制节点)。启动存储器单元105的第一存取线120可引起存储器单元105的逻辑存储组件和其对应的第二存取线130之间的电连接或闭路。接着，可以存取第二存取线130以读取或写入存储器单元105。
38.在一些实例中，存储器区段110的存储器单元105还可与多个第三存取线140中的一个(例如，板线(pl)，如pl1到pl
n
中的一个)耦合。尽管示出为单独的线，但是在一些实例中，所述多个第三存取线140可表示或者可以其它方式功能性地等效于存储器区段110的共同板线、共同板或其它共同节点(例如，存储器区段110中的每一个存储器单元105共同的节点)，或存储器装置100的其它共同节点。在一些实例中，所述多个第三存取线140可耦合存储器单元105与一或多个电压源以用于各种感测和/或写入操作，包含本文中所描述的那些。例如，当存储器单元105采用电容器存储逻辑状态时，第二存取线130可提供对电容器的第一端子或第一板的存取，且第三存取线140可提供对电容器的第二端子或第二板(例如，与电容器的相对于电容器的第一端子的相对板相关联的端子、以其它方式在电容器的与电容器的第一端子相对的侧面上的端子)的存取。在一些实例中，另一存储器区段110(未示出)的存储器单元105可以与不同多个第三存取线140中的一个(例如，不同于pl1到pl
n
的一组板线、另一共同板线、另一共同板、另一共同节点)耦合。
39.所述多个第三存取线140可以与板组件145耦合，所述板组件145可控制各种操作，例如启动所述多个第三存取线140中的一或多个或选择性地耦合所述多个第三存取线140中的一或多个与电压源或另一电路元件。尽管存储器装置100的所述多个第三存取线140示出为与所述多个第二存取线130大体上平行，但是在其它实例中，多个第三存取线140可以与所述多个第一存取线120大体上平行，或者呈任何其它配置。
40.虽然参考图1所描述的存取线示出为存储器单元105与所耦合组件之间的直线，但存取线可包含可用于支持包含本文中所描述的存取操作的存取操作的其它电路元件，例如电容器、电阻器、晶体管、放大器、电压源、开关组件、选择组件等。在一些实例中，电极可与存储器单元105和存取线120耦合(例如，耦合于存储器单元105与存取线120之间)，或与存储器单元105和存取线130耦合(例如，耦合于存储器单元105与存取线130之间)。术语电极可以指电导体，或组件之间的其它电接口，并且在一些情况下，可用作到存储器单元105的电接点。电极可包含提供存储器装置100的元件或组件之间的导电路径的迹线、电线、导电线、导电层、导电垫等。
41.可通过启动或选择与存储器单元105耦合的第一存取线120、第二存取线130和/或第三存取线140来对存储器单元105执行例如读取、写入、重写和刷新的存取操作，这可包含向相应存取线施加电压、电荷或电流。存取线120、130和140可以由导电材料制成，例如金属(例如，铜(cu)、银(ag)、铝(al)、金(au)、钨(w)、钛(ti))、金属合金、碳或其它导电或半导电材料、合金或化合物。在选择存储器单元105后，可以使用所得信号来确定存储器单元105所存储的逻辑状态。例如，可以选择其中电容性存储器元件存储逻辑状态的存储器单元105，并且可以检测经由存取线的所得电荷流动和/或存取线的所得电压以确定存储器单元105所存储的经编程逻辑状态。
42.存取存储器单元105可以通过行组件125(例如，行解码器)、列组件135(例如，列解码器)或板组件145(例如，板驱动器)或其组合来控制。例如，行组件125可从存储器控制器170接收行地址并基于接收到的行地址启动适当的第一存取线120。类似地，列组件135可从存储器控制器170接收列地址并启动适当的第二存取线130。因此，在一些实例中，可以通过启动第一存取线120和第二存取线130来存取存储器单元105。在一些实例中，此类存取操作可伴有板组件145偏置第三存取线140中的一或多个(例如，偏置存储器区段110的第三存取线140中的一个、偏置存储器区段的所有第三存取线140、偏置存储器区段110或存储器装置100的共同板线、偏置存储器区段110或存储器装置100的共同节点)，这可以称为“移动存储器单元105、存储器区段110或存储器装置100的板”。
43.在一些实例中，存储器控制器170可通过各种组件(例如，行组件125、列组件135、板组件145、感测组件150)控制存储器单元105的操作(例如，读取操作、写入操作、重写操作、刷新操作、放电操作、电压调整操作、消散操作、均衡操作)。在一些情况下，行组件125、列组件135、板组件145和感测组件150中的一或多个可以与存储器控制器170共址或以其它方式与其一起被包含。存储器控制器170可产生启动所要存取线120和存取线130的行和列地址信号。存储器控制器170还可产生或控制在存储器装置100的操作期间使用的各种电压或电流。例如，存储器控制器170可在存取一或多个存储器单元105之后向存储器区段110的存取线120、存取线130或存取线140中的一或多个施加放电或均衡电压。尽管只示出了单个存储器控制器170，但是存储器装置100的其它实例可具有超过一个存储器控制器170(例如，用于存储器装置的一组存储器区段110中的每一个的存储器控制器170、用于存储器装置100的存储器区段110的数个子集中的每一个的存储器控制器170、用于多芯片存储器装置100的一组芯片中的每一个的存储器控制器170、用于多存储体存储器装置100的一组存储体中的每一个的存储器控制器170、用于多核存储器装置100的每个核的存储器控制器170或其任何组合)，其中不同的存储器控制器170可执行相同功能和/或不同功能。
44.尽管存储器装置100示出为包含单个行组件125、单个列组件135和单个板组件145，但是存储器装置100的其它实例可包含不同配置以适应一组存储器区段110。例如，在各种存储器装置100中，行组件125可以在一组存储器区段110(例如，具有所述一组存储器区段110中所有者共同的子组件、具有专用于所述一组存储器区段110中的相应者的子组件)当中共享，或行组件125可以专用于一组存储器区段110中的一个存储器区段110。同样地，在各种存储器装置100中，列组件135可以在一组存储器区段110(例如，具有所述一组存储器区段110中所有者共同的子组件、具有专用于所述一组存储器区段110中的相应者的子组件)当中共享，或列组件135可以专用于一组存储器区段110中的一个存储器区段110。另
外，在各种存储器装置100中，板组件145可以在一组存储器区段110(例如，具有所述一组存储器区段110中所有者共同的子组件、具有专用于所述一组存储器区段110中的相应者的子组件)当中共享，或板组件145可以专用于一组存储器区段110中的一个存储器区段110。
45.一般来说，所施加的电压、电流或电荷的振幅、形状或持续时间可进行调整或变化，并且对于在操作存储器装置100中论述的各种操作来说可为不同的。此外，可同时存取存储器装置100内的一个、多个或所有存储器单元105。例如，可在其中所有存储器单元105或一组存储器单元105(存储器区段110的存储器单元105)设置为单个逻辑状态的重置操作期间同时存取存储器装置100的多个或所有存储器单元105。
46.当存取存储器单元105时，存储器单元105可以由感测组件150读取(例如，感测)(例如，与存储器控制器170合作)以确定存储器单元105所存储的逻辑状态。例如，感测组件150可配置成响应于读取操作，感测通过存储器单元105的电流或电荷，或由存储器单元105与感测组件150或其它中间组件(例如，存储器单元105和感测组件150之间的信号产生组件)耦合产生的电压。感测组件150可向一个或多个组件(例如，列组件135、输入/输出组件160、存储器控制器170)提供指示存储器单元105所存储的逻辑状态的输出信号。在各种存储器装置100中，感测组件150可以在一组存储器区段110(例如，具有所述一组存储器区段110中所有者共同的子组件、具有专用于所述一组存储器区段110中的相应者的子组件)当中共享，或感测组件150可以专用于一组存储器区段110中的一个存储器区段110。
47.在一些实例中，在存取存储器单元105期间或之后，存储器单元105的逻辑存储部分可放电或以其它方式准许电荷或电流经由其对应的存取线120、130或140流动。此类电荷或电流可通过从存储器装置100的一或多个电压源或供应(未示出)偏置存储器单元105或向其施加电压来产生，其中此类电压源或供应可以是行组件125、列组件135、板组件145、感测组件150、存储器控制器170或某一其它组件(例如，偏置组件)的一部分。在一些实例中，存储器单元105的放电可使存取线130的电压变化，感测组件150可比较所述电压与参考电压以确定存储器单元105的所存储状态。在一些实例中，电压可以施加到存储器单元105(例如，使用对应的存取线120和存取线130)，并且所得电流的存在可取决于所施加电压和存储器单元105的存储器元件的电阻状态，感测组件150可以使用所施加电压和电阻状态来确定存储器单元105的所存储状态。
48.在一些实例中，当跨具有存储第一逻辑状态(例如，设置状态，其与更结晶原子配置相关联)的材料存储器元件的存储器单元105施加读取信号(例如，读取脉冲、读取电流、读取电压)时，由于读取脉冲超过存储器单元105的阈值电压，存储器单元105传导电流。响应于或基于这一点，作为确定存储器单元105所存储的逻辑状态的部分，感测组件150可因此检测到电流穿过存储器单元105。当读取脉冲施加到具有存储第二逻辑状态(例如，重置状态，其与更非结晶原子配置相关联)的存储器元件的存储器单元105(这可在跨具有存储第一逻辑状态的存储器元件的存储器单元105施加读取脉冲之前或之后发生)时，由于读取脉冲不超过存储器单元105的阈值电压，存储器单元105可能不传导电流。作为确定所存储逻辑状态的部分，感测组件150可因此检测到几乎没有电流穿过存储器单元105。
49.在一些实例中，可定义用于感测存储器单元105所存储的逻辑状态的阈值电流。阈值电流可在存储器单元105响应于读取脉冲而没有临界时设置为高于可穿过存储器单元105的电流，但是当存储器单元105响应于读取脉冲而临界时设置为等于或低于穿过存储器
单元105的预期电流。例如，阈值电流可高于相关联的存取线120、130或140的泄漏电流。在一些实例中，存储器单元105所存储的逻辑状态可基于由读取脉冲驱动的电流所产生的电压(例如，跨并联电阻)而确定。例如，所得电压可与参考电压比较，其中所得电压小于参考电压对应于第一逻辑状态，所得电压大于参考电压对应于第二逻辑状态。
50.在一些实例中，当读取存储器单元105时可以施加超过一个电压(例如，作为读取操作的部分，可以施加多个电压)。例如，如果所施加读取电压没有产生电流，那么可以施加一或多个其它读取电压(例如，直到感测组件150检测到电流为止)。基于评定产生电流的读取电压，可以确定存储器单元105的所存储逻辑状态。在一些情况下，读取电压可以斜升(例如，量值平滑地增加到更高)，直到感测组件150检测到电流或其它条件为止。在其它情况下，可以施加预定读取电压(例如，使量值逐步增加到更高的读取电压的预定序列)，直到检测到电流为止。在一些实例中，读取电流可以施加到存储器单元105，且用于产生读取电流的电压的量值可取决于存储器单元105的电阻或总阈值电压。
51.感测组件150可包含各种开关组件、选择组件、晶体管、放大器、电容器、电阻器或电压源，用来检测或放大感测信号的差(例如，读取电压和参考电压之间的差、读取电流和参考电流之间的差、读取电荷和参考电荷之间的差)，其在一些实例中可被称作锁存。在一些实例中，感测组件150可包含一系列组件(例如，电路元件)，这些组件针对连接到感测组件150的一组存取线130中的每一个重复。例如，感测组件150可针对与感测组件150耦合的一组存取线130中的每一个包含单独的感测电路(例如，单独的感测放大器、单独的信号产生组件)，使得可以分别针对与一组存取线130中的相应一个耦合的相应存储器单元105检测逻辑状态。在一些实例中，参考信号源(例如，参考组件)或所产生的参考信号可以在存储器装置100的组件之间共享(例如，在一或多个感测组件150当中共享、在感测组件150的单独感测电路当中共享、在存储器区段110的存取线120、130或140当中共享)。
52.感测组件150可包含在包含存储器装置100的装置中。例如，可与存储器装置100耦合的存储器的其它读取和写入电路、解码电路或寄存器电路可与感测组件150包含在一起。在一些实例中，可通过列组件135输出存储器单元105的所检测逻辑状态作为输出。在一些实例中，感测组件150可以是列组件135或行组件125的部分。在一些实例中，感测组件150可连接到列组件135或行组件125或以其它方式与列组件135或行组件125电子连通。
53.尽管示出了单个感测组件150，但是存储器装置100(例如，存储器装置100的存储器区段110)可包含超过一个感测组件150。例如，第一感测组件150可以与存取线130的第一子集耦合，且第二感测组件150可以与存取线130的第二子集(例如，不同于存取线130的第一子集)耦合。在一些实例中，感测组件150的此类划分可支持多个感测组件150的并行(例如，同时)操作。在一些实例中，感测组件150的此类划分可支持具有不同配置或特征的感测组件150与存储器装置的存储器单元105的特定子集匹配(例如，支持不同类型的存储器单元105、支持存储器单元105的子集的不同特征、支持存取线130的子集的不同特征)。
54.另外地或可替代地，两个或更多个感测组件150可与同一组存取线130耦合(例如，针对组件冗余)。在一些实例中，此类配置可支持保持解决一个冗余感测组件150的故障或者不良操作的功能性。在一些实例中，此类配置可支持针对特定操作特征选择一个冗余感测组件150的能力(例如，与功率消耗特性有关、与特定感测操作的存取速度特性有关、与在易失性模式或非易失性模式下操作存储器单元105有关)。
55.在一些存储器架构中，存取存储器单元105可使所存储的逻辑状态退化或毁坏，且可执行重写或刷新操作以将最初逻辑状态返回到存储器单元105。在dram或feram中，例如，可在感测操作期间使存储器单元105的电容器部分或完全地放电，进而破坏存储于存储器单元105中的逻辑状态。在pcm中，例如，感测操作可引起存储器单元105的原子配置的改变，进而改变存储器单元105的电阻状态。因此，在一些实例中，可在存取操作之后重写存储于存储器单元105中的逻辑状态。此外，启动单个存取线120、130或140可导致与经启动存取线120、130或140耦合的所有存储器单元105放电。因此，可在存取操作之后重写和与存取操作相关联的存取线120、130或140耦合的数个或所有存储器单元105(例如，存取行的所有单元、存取列的所有单元)。
56.在一些实例中，读取存储器单元105可为非破坏性的。即，可能不需要在读取存储器单元105之后重写存储器单元105的逻辑状态。例如，在非易失性存储器(例如pcm)中，存取存储器单元105可能不会毁坏逻辑状态，并且因此，存储器单元105可能不需要在存取之后重写。然而，在一些实例中，在不存在或存在其它存取操作的情况下可能需要也可能不需要刷新存储器单元105的逻辑状态。例如，可通过施加适当的写入、刷新或均衡脉冲或偏置以周期性间隔刷新存储器单元105所存储的逻辑状态来维持所存储的逻辑状态。刷新存储器单元105可减小或消除归因于电荷泄漏或存储器元件随时间的原子配置的改变引起的读取干扰误差或逻辑状态损坏。
57.也可通过启动相关第一存取线120、第二存取线130和/或第三存取线140(例如，经由存储器控制器170)，设置或写入存储器单元105。换句话说，逻辑状态可存储于存储器单元105中。行组件125、列组件135或板组件145可例如通过输入/输出组件160接受待写入到存储器单元105的数据。在一些实例中，写入操作可至少部分地由感测组件150执行，或写入操作可配置成绕过感测组件150。
58.在电容性存储器元件的情况下，可通过将电压施加到电容器并接着隔离电容器(例如，使电容器与用以写入存储器单元105的电压源隔离、使电容器浮动)以将电荷存储于与所要逻辑状态相关联的电容器中来写入存储器单元105。在铁电存储器的情况下，可通过施加具有高到足以用与所要逻辑状态相关联的极化来极化铁电性存储器元件的量值的电压(例如，施加饱和电压)，写入存储器单元105的铁电性存储器元件(例如，铁电电容器)，且可隔离铁电性存储器元件(例如，浮动)，或可跨铁电性存储器元件施加零净电压或偏置(例如，接地、使铁电性存储器元件虚拟接地、跨铁电性存储器元件均衡电压)。在pcm的情况下，可通过使用具有使(例如，借助于加热和冷却)存储器元件形成与所要逻辑状态相关联的原子配置的特征曲线的电流，写入存储器元件。
59.在根据本公开的一些实例中，存储器装置100可包含一组存储器区段110。每一个存储器区段110可包含一组存储器单元105，所述一组存储器单元105与(例如，相应存储器区段110的)一组第二存取线130中的一个和一组第三存取线140中的一个耦合或耦合于它们之间。每一个存储器单元105可包含单元选择组件，所述单元选择组件配置成选择性地耦合存储器单元105与(例如，相应存储器区段110的)相关联的第二存取线130或相关联的第三存取线140。在一些实例中，每一个单元选择组件可以(例如，在相应单元选择组件的控制节点或控制端子处)与(例如，存储器区段110的)第一存取线120中的相应一个耦合，所述相应一个第一存取线可用于使特定单元选择组件启动或撤销启动。
60.可对存储器区段110的选定存储器单元105执行可包含读取操作、写入操作、重写操作、刷新操作或其各种组合的存取操作。在一些实例中，存取操作可以与偏置与选定存储器单元105相关联的第二存取线130或第三存取线140相关联。在存取操作期间，可以启动选定存储器单元105的单元选择组件，使得选定存储器单元105可以选择性地与第二存取线130或第三存取线140耦合。因此，与存取操作相关联的信号(例如，与存取操作相关联的电压、与存取操作相关联的电荷、与存取操作相关联的电流)可由于为存取操作偏置第二存取线130或第三存取线140而传递到、传递自或传递通过选定存储器单元105。
61.尽管存储器区段110的未选定存储器单元105的单元选择组件可能会撤销启动，但是泄漏电荷仍可流动通过存储器区段110的撤销启动的单元选择组件。例如，当存储器区段110的相关联第二存取线130或第三存取线140在与选定存储器单元105上的存取操作相关联的电压下偏置时，未选定存储器单元105和第二存取线130或第三存取线140之间的电压差可使电荷流过撤销启动的单元选择组件，并流到或流自未选定存储器单元105(例如，在选定存储器单元上的存取操作期间)。此类泄漏电荷可在存储器区段110的连续存取操作中在未选定存储器单元105上累积，也可使非零偏置或电压在存储器区段110的未选定存储器单元处累积。在一些实例中，泄漏电荷或偏置的此类累积可导致存储于存储器区段110的存储器单元105中的数据退化或损失。
62.根据本公开的实例，操作可对存储器装置100中存取最频繁的存储器区段110执行，以促进或以其它方式支持在存储器区段110的存储器单元105上累积的泄漏电荷或偏置的消散。例如，以特定间隔(例如，基于定时器的值、基于存储器装置100的存取操作总数)，存储器控制器170可确定执行与经累积泄漏电荷或偏置的消散相关联的操作。在确定执行此类操作后，存储器控制器170可在存储器装置100的一组存储器区段110中选择要执行操作的一个存储器区段。在一些实例中，存储器控制器170可基于所述一组存储器区段110的存取历史来选择存储器区段110，例如选择存取最频繁的存储器区段110(例如，具有自相应存储器区段110的先前电压调整操作以来最高数量的经执行存取操作的存储器区段110、具有自存储器装置100通电以来最高数量的经执行存取操作的存储器区段)。
63.支持经累积泄漏电荷或偏置的消散的所述操作可包含启动选定存储器区段110中的每一个存储器单元105的单元选择组件(例如，通过启动与存储器区段110相关联的每一个第一存取线120)。例如，操作可包含同时或并行启动选定存储器区段110的每一个第一存取线120、在第一时间周期期间启动选定存储器区段110的第一存取线120的第一子集并在第二时间周期期间启动选定存储器区段110的第一存取线120的第二子集，或以顺序次序启动选定存储器区段110的每一个第一存取线120。
64.当存储器单元105的单元选择组件启动时，选定存储器区段110第二存取线130和第三存取线140可以与支持经累积泄漏电荷或电压偏置的消散的电压源耦合。例如，第二存取线130和第三存取线140可以与同一电压源耦合，或与具有相同电压的电压源耦合，或与以其它方式支持在存储器区段110的存储器单元105处累积的泄漏电荷或偏置的消散的具有电压的电压源耦合。
65.在各种实例中，与此类泄漏电荷或偏置消散相关联的所述操作可以称为或者是电压调整操作。通过执行本文中所描述的电压调整操作，在存取最频繁的存储器区段110的存储器单元105处累积的泄漏电荷或电压偏置可以消散，这可以缓解或阻止跨存储器区段110
的连续存取操作累积泄漏电荷，并提高存储器装置100维持所存储数据的能力。此外，通过为此类操作选择存取最频繁的存储器区段110，与例如在不考虑相应存储器区段110上的存取操作的频率的情况下执行此类操作相比，存储器装置可以以更有针对性的方式操作。
66.图2示出根据本公开的各种实施例的支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案的实例电路200。电路200可包含存储器单元105
‑
a，它可以是参考图1所描述的存储器单元105的实例。电路200还可包含感测放大器290，它可以是参考图1所描述的感测组件150的一部分。电路200还可包含字线205、数字线210和板线215，它们在一些实例中可分别对应于参考图1所描述的(例如，存储器区段110的)第一存取线120、第二存取线130和第三存取线140。在一些实例中，板线215可以说明同一存储器区段110的存储器单元105
‑
a和另一存储器单元105(未示出)的共同板线、共同板或另一共同节点。电路200还可包含供感测放大器290用于确定存储器单元105
‑
a的所存储逻辑状态的参考线265。
67.如图2中所示，感测放大器290可包含第一节点291和第二节点292，它们在一些实例中可以与电路的不同存取线(例如，分别为电路200的信号线260和参考线265)或另一电路(未示出)的共同存取线耦合。在一些实例中，第一节点291可以称为信号节点，第二节点292可以称为参考节点。但是，根据本公开的各种实施例，存取线和/或参考线的其它配置是可能的。
68.存储器单元105
‑
a可包含逻辑存储组件(例如，存储器元件、存储元件、存储器存储元件)，例如具有第一板单元板221和第二板单元底部222的电容器220。单元板221和单元底部222可以通过定位在它们之间的介电材料电容耦合(例如，在dram应用中)，或者通过定位在它们之间的铁电材料电容耦合(例如，在feram应用中)。单元板221可以与电压v
plate
相关联，单元底部222可以与电压v
bottom
相关联，如电路200中所示。在不改变存储器单元105
‑
a的操作的情况下，单元板221和单元底部222的定向可以是不同的(例如，翻转)。单元板221可以经由板线215存取，且单元底部222可以经由数字线210存取。如本文所描述，各种逻辑状态可以通过对电容器220进行充电、放电或极化来存储。
69.电容器220可以与数字线210成电子连通，并且电容器220的所存储逻辑状态可以通过操作在电路200中展现的各个元件来读取或感测。例如，存储器单元105
‑
a还可包含单元选择组件230，它在一些实例中可以称为与存取线(例如，数字线210)和电容器220耦合的开关组件或选择器装置。在一些实例中，单元选择组件230可被视为在存储器单元105
‑
a的说明性边界外部，并且单元选择组件230可以称为与存取线(例如，数字线210)和存储器单元105
‑
a耦合或耦合于它们之间的开关组件或选择器装置。
70.当单元选择组件230启动(例如，通过启动逻辑信号)时，电容器220可以选择性地与数字线210耦合，并且当单元选择组件230撤销启动(例如，通过撤销启动逻辑信号)时，电容器220可以选择性地与数字线210隔离。逻辑信号或其它选择信号或电压可以施加到单元选择组件230的控制节点235(例如，控制节点、控制端子、选择节点、选择端子)(例如，经由字线205)。换句话说，单元选择组件230可配置成基于经由字线205施加到控制节点235的逻辑信号或电压而选择性地耦合或解耦电容器220和数字线210。
71.启动单元选择组件230在一些实例中可以称为选择存储器单元105
‑
a，且撤销启动单元选择组件230在一些实例中可以称为撤销选择存储器单元105
‑
a。在一些实例中，单元选择组件230是晶体管，且其操作可以通过向晶体管栅极(例如，控制或选择节点或端子)施
加启动电压来控制。用于启动晶体管的电压(例如，晶体管栅极端子和晶体管源极端子之间的电压)可以是大于晶体管的阈值电压量值的电压。字线205可用于启动单元选择组件230。例如，施加到字线205的选择电压(例如，字线逻辑信号或字线电压)可以施加到可选择性地连接电容器220与数字线210(例如，在电容器220和数字线210之间提供导电路径)的单元选择组件230的晶体管的栅极。在一些实例中，启动单元选择组件230可以称为选择性地耦合存储器单元105
‑
a与数字线210。
72.在其它实例中，存储器单元105
‑
a中的单元选择组件230和电容器220的位置可以切换，使得单元选择组件230可以与板线215和单元板221耦合或耦合于它们之间，且电容器220可以与数字线210和单元选择组件230的另一端子耦合或耦合于它们之间。在此类实施例中，单元选择组件230可保持通过电容器220与数字线210成电子连通。此配置可以与存取操作的替代性定时和偏置相关联。
73.在采用铁电电容器220的实例中，电容器220在连接到数字线210后可以完全也可以不完全地放电。在各种方案中，为了感测铁电电容器220所存储的逻辑状态，可以向板线215和/或数字线210施加电压，并且可以(例如，通过启动字线205)偏置字线205来选择存储器单元105
‑
a。在一些情况下，在启动字线205之前，板线215和/或数字线210可以虚拟接地，然后与虚拟接地隔离，这可以称为浮动条件、空闲条件或待用条件。
74.通过改变到单元板221的电压(例如，经由板线215)进行的存储器单元105
‑
a的操作可以称为“移动单元板”。偏置板线215和/或数字线210可跨电容器220产生电压差(例如，数字线210的电压减去板线215的电压)。电压差可伴随电容器220上所存储电荷的变化，其中所存储电荷的变化量值可取决于电容器220的初始状态(例如，初始逻辑状态存储的是逻辑1还是逻辑0)。在一些方案中，电容器220的所存储电荷的变化可使数字线210的电压发生变化，此变化可供感测组件150
‑
a用于确定存储器单元105
‑
a的所存储逻辑状态。
75.数字线210可以与额外存储器单元105(未示出)耦合，并且数字线210可具有产生本征电容240(例如，约数皮法(pf)，这在一些情况下可能是不可忽略的)的特性，所述本征电容可以耦合数字线210与电压源250
‑
a。电压源250
‑
a可表示共同接地或虚拟接地电压，或电路200(未示出)的邻近存取线的电压。尽管在图2中示出为单独元件，但是本征电容240可以与贯穿数字线210分布的特性相关联。
76.在一些实例中，本征电容240可取决于数字线210的物理特征，包含数字线210的导体尺寸(例如，长度、宽度、厚度)。本征电容240还可取决于邻近存取线或电路组件的特征、对此类邻近存取线或电路组件的接近度或数字线210和此类存取线或电路组件之间的绝缘特征。因此，在选择存储器单元105
‑
a之后数字线210的电压变化可取决于数字线210(例如，与其相关联)的净电容。换句话说，当电荷沿着数字线210流动(例如，流到数字线210、流自数字线210)时，可以沿着数字线210存储一些有限电荷(例如，在本征电容240、与数字线210耦合的其它电容中)，并且数字线210的所得电压可取决于数字线210的净电容。
77.在选择存储器单元105
‑
a之后数字线210的所得电压可以通过感测组件150
‑
a与参考(例如，参考线265的电压)相比较以确定已存储于存储器单元105
‑
a中的逻辑状态。在一些实例中，参考线265的电压可以由参考组件285提供。在其它实例中，参考组件285可省略，且参考电压可以例如通过存取存储器单元105
‑
a以产生参考电压(例如，在自参考存取操作中)来提供。可以使用其它操作来支持选择和/或感测存储器单元105
‑
a，包含支持如本文中
所描述的用于基于活动的数据保护的存取方案的操作。
78.在一些实例中，电路200可包含信号产生组件280，它可以是与存储器单元105
‑
a和感测放大器290耦合或耦合于它们之间的信号产生电路的实例。信号产生组件280可以在感测操作之前放大或以其它方式转换数字线210的信号。信号产生组件280可包含例如晶体管、放大器、共源共栅或任何其它电荷或电压转换器或放大器组件。在一些实例中，信号产生组件280可包含电荷转移感测放大器(ctsa)。在一些实例中，在信号产生组件280的情况下，感测放大器290和信号产生组件280之间的线可以称为信号线(例如，信号线260)。在一些实例(例如，具有或不具有信号产生组件280的实例)中，数字线210可直接与感测放大器290连接。
79.在一些实例中，电路200可包含旁路线270，它可准许选择性地绕过信号产生组件280或存储器单元105
‑
a和感测放大器290之间的某一其它信号产生电路。在一些实例中，旁路线270可以通过开关组件275选择性地启用。换句话说，当开关组件275启动时，数字线210可以经由旁路线270与信号线260耦合(例如，耦合存储器单元105
‑
a与感测组件150
‑
a)。
80.在一些实例中，当开关组件275启动时，信号产生组件280可以选择性地与数字线210或信号线260中的一个或两个隔离(例如，通过另一开关组件或选择组件，未示出)。当开关组件275撤销启动时，数字线210可以经由信号产生组件280选择性地与信号线260耦合。在其它实例中，选择组件可用于选择性地耦合存储器单元105
‑
a(例如，数字线210)与信号产生组件280或旁路线270中的一个。另外或替代地，在一些实例中，选择组件可用于选择性地耦合感测放大器290与信号产生组件280或旁路线270中的一个。在一些实例中，可选旁路线270可通过使用信号产生组件280支持产生用于检测存储器单元105
‑
a的逻辑状态的感测信号，以及产生向存储器单元105
‑
a写入逻辑状态的绕过信号产生组件280的写入信号。
81.支持所描述的用于基于活动的数据保护的存取方案的存储器装置的一些实例可共享存储器单元105和感测放大器290之间的共同存取线(未示出)以支持从相同存储器单元105产生感测信号和参考信号。在一个实例中，信号产生组件280和感测放大器290之间的共同存取线可以称为“共同线”、“ampcap线”或“ampcap节点”，且共同存取线可以取代电路200中所示的信号线260和参考线265。在这些实例中，共同存取线可以在两个不同的节点(例如，第一节点291和第二节点292，如本文中所描述)处连接到感测放大器290。在一些实例中，共同存取线可准许在信号产生操作和参考产生操作中共享可存在于感测放大器290和正存取的存储器单元105之间的组件的自参考读取操作。此配置可降低感测放大器290对存储器装置中的各种组件的操作变化的敏感度，例如存储器单元105、存取线(例如，字线205、数字线210、板线215)、信号产生电路(例如，信号产生组件280)、晶体管、电压源250等。
82.尽管数字线210和信号线260被标识为单独的线，但是根据本公开，数字线210、信号线260和连接存储器单元105与感测组件150的任何其它线可以称为单个存取线。出于在各种实例配置中示出中间组件和中间信号的目的，可以分开标识此类存取线的组成部分。
83.感测放大器290可包含用于检测、转换或放大信号差的各种晶体管或放大器，这可以称为锁存。例如，感测放大器290可包含接收和比较第一节点291处的感测信号电压(例如，v
sig
)与第二节点292处的参考信号电压(例如，v
ref
)的电路元件。感测放大器的输出可基于感测放大器290处的比较而被驱动到较高(例如，正)或较低电压(例如，负电压、接地电压)。
84.例如，如果第一节点291具有比第二节点292低的电压，那么感测放大器290的输出可被驱动到第一感测放大器电压源250
‑
b的相对较低电压(例如，电压v
l
，它可以是大体上等于v0或负电压的接地电压)。包含感测放大器290的感测组件150可以锁存感测放大器290的输出以确定存储于存储器单元105
‑
a中的逻辑状态(例如，当第一节点291具有比第二节点292低的电压时检测到逻辑0)。
85.如果第一节点291具有比第二节点292高的电压，那么感测放大器290的输出可被驱动到第二感测放大器电压源250
‑
c的电压(例如，电压v
h
)。包含感测放大器290的感测组件150可以锁存感测放大器290的输出以确定存储于存储器单元105
‑
a中的逻辑状态(例如，当第一节点291具有比第二节点292高的电压时检测到逻辑1)。接着，可以经由一或多个输入/输出(i/o)线(例如，i/o线295)输出感测放大器290的对应于存储器单元105
‑
a的经检测逻辑状态的经锁存输出，其可包含经由参考图1所描述的输入/输出组件160通过列组件135的输出。
86.为了对存储器单元105
‑
a执行写入操作，可以跨电容器220施加电压。可以使用各种方法。在一个实例中，单元选择组件230可以通过字线205启动(例如，通过启动字线205)以将电容器220电连接到数字线210。可以通过控制单元板221的电压(例如，通过板线215)和单元底部222的电压(例如，通过数字线210)来跨电容器220施加电压。
87.例如，为了写入逻辑0，单元板221可为高(例如，向板线215施加正电压)，并且单元底部222可为低(例如，使数字线210接地、使数字线210虚拟接地、向数字线210施加负电压)。可执行相反过程来写入逻辑1，其中单元板221为低且单元底部222为高。在一些情况下，在写入操作期间跨电容器220施加的电压可具有等于或大于电容器220中的铁电材料的饱和电压的量值，使得电容器220极化，并且因此维持电荷，即使在所施加电压的量值减小或跨电容器220施加零净电压时也如此。在一些实例中，感测放大器290可用于执行写入操作，这可包含耦合第一感测放大器电压源250
‑
b或第二感测组件电压源250
‑
c与数字线。当使用感测放大器290执行写入操作时，可以绕过也可以不绕过信号产生组件280(例如，通过经由旁路线270施加写入信号)。
88.包含感测放大器290、单元选择组件230、信号产生组件280或参考组件285的电路200可包含各种类型的晶体管。例如，电路200可包含n型晶体管，其中向n型晶体管的栅极施加高于n型晶体管的阈值电压的相对正电压(例如，所施加电压相对于源极端子具有大于阈值电压的正量值)能够在n型晶体管的其它端子(例如，源极端子和漏极端子)之间产生导电路径。
89.在一些实例中，n型晶体管可充当开关组件，其中所施加电压是用于以下操作的逻辑信号：通过施加相对较高逻辑信号电压(例如，对应于逻辑1状态的电压，其可与正逻辑信号电压供应相关联)启用通过晶体管的导电性，或通过施加相对较低逻辑信号电压(例如，对应于逻辑0状态的电压，其可与接地或虚拟接地电压相关联)停用通过晶体管的导电性。在其中采用n型晶体管作为开关组件的一些实例中，可选择施加到栅极端子的逻辑信号的电压以在特定工作点(例如，在饱和区中或在作用区中)操作晶体管。
90.在一些实例中，n型晶体管的行为可比逻辑开关更复杂，且跨晶体管的选择性导电性也可随变化的源极和漏极电压而变。例如，当源极端子电压低于特定电平(例如，低于栅极端子电压减阈值电压)时，栅极端子处的所施加电压可具有用于启用源极端子与漏极端
子之间的导电性的特定电压电平(例如，箝位电压)。当源极端子电压或漏极端子电压的电压上升到高于特定电平时，可撤销启动n型晶体管，使得源极端子与漏极端子之间的导电路径断开。
91.另外或替代地，电路200可包含p型晶体管，其中向p型晶体管的栅极施加高于p型晶体管的阈值电压(例如，相对于源极端子具有大于阈值电压的负量值的所施加电压)相对负电压启用p型晶体管的其它端子(例如，源极端子和漏极端子)之间的导电路径。
92.在一些实例中，p型晶体管可充当开关组件，其中所施加电压是用于以下操作的逻辑信号：通过施加相对较低逻辑信号电压(例如，对应于逻辑“1”状态的电压，其可与负逻辑信号电压供应相关联)启用导电性，或通过施加相对较高逻辑信号电压(例如，对应于逻辑“0”状态的电压，其可与接地或虚拟接地电压相关联)停用导电性。在其中采用p型晶体管作为开关组件的一些实例中，可选择施加到栅极端子的逻辑信号的电压以在特定工作点(例如，在饱和区中或在作用区中)操作晶体管。
93.在一些实例中，p型晶体管的行为可比通过栅极电压的逻辑开关更复杂，且跨晶体管的选择性导电性也可随变化的源极和漏极电压而变。例如，只要源极端子电压高于特定电平(例如，高于栅极端子电压加阈值电压)，栅极端子处的所施加电压就可具用于启用源极端子与漏极端子之间的导电性的特定电压电平。当源极端子电压的电压下降到低于特定电平时，可撤销启动p型晶体管，使得源极端子和漏极端子之间的导电路径断开。
94.电路200的晶体管一种场效应晶体管(fet)，包含金属氧化物半导体fet，这可以称为mosfet。这些和其它类型的晶体管可以由衬底上的材料掺杂区形成。在一些实例中，晶体管可以在专用于电路200的特定组件的衬底(例如，用于感测放大器290的衬底、用于信号产生组件280的衬底、用于存储器单元105
‑
a的衬底)上形成，或晶体管可以在电路200的特定组件所共用的衬底(例如，感测放大器290、信号产生组件280和存储器单元105
‑
a所共用的衬底)上形成。一些fet可具有包含铝或其它金属的金属部分，但是一些fet可实施其它非金属材料，例如多晶硅，包含可以称为mosfet的那些fet。此外，尽管可以使用氧化物部分作为fet的介电部分，但是在fet中的介电材料中可以使用其它非氧化物材料，包含可以称为mosfet的那些fet。
95.在根据本公开的一些实例中，可以对与数字线210耦合的除存储器单元105
‑
a以外的选定存储器单元105执行存取操作。在此实例中，存储器单元105
‑
a可以称为未选定存储器单元。存取操作可以与偏置数字线210和板线215相关联。尽管未选定存储器单元105
‑
a的单元选择组件230可能会撤销启动，但是泄漏电荷仍可流动通过单元选择组件230(例如，经由数字线210)。此类泄漏电荷可在未选定存储器单元105
‑
a上(例如，在存储器单元105
‑
a的中间节点处、在电容器220的单元底部222处)累积，或流自未选定存储器单元105
‑
a，或者可引起偏置(例如，非零电压)跨未选定存储器单元105
‑
a中的至少一些累积，这在一些实例中可导致存储在未选定存储器单元105中的至少一些中的数据损失。
96.根据本公开的实例，可以对包含存储器单元105
‑
a的存储器区段110执行操作，以促进或以其它方式支持来自未选定存储器单元105
‑
a及存储器区段110中可能已累积泄漏电荷或偏置的其它存储器单元105的经累积泄漏电荷或偏置的消散。例如，根据周期性间隔(例如，周期性区段选择间隔、周期性消散间隔、周期性均衡间隔、周期性电压调整间隔)，存储器控制器170可选择包含存储器单元105
‑
a的存储器区段110用于电压调整操作(例如，当
包含存储器单元105
‑
a的存储器区段110是存储器装置100中存取最频繁的存储器区段110或存储器装置100的存储器存储体中存取最频繁的存储器区段110时)，并且作为电压调整操作的部分，可以启动(例如，通过启动字线205)单元选择组件230。当单元选择组件230启动时，数字线210和板线215可以与支持经累积泄漏电荷或偏置消散的电压源耦合。例如，数字线210和板线215可以与同一电压源耦合，或者与具有相同电压的电压源耦合，或者与以其它方式支持在未选定存储器单元105
‑
a处累积的泄漏电荷或偏置的消散的具有电压的电压源耦合。
97.在一些实例中，与此类泄漏电荷或偏置消散相关联的所述操作可以称为电压调整操作。通过执行本文中所描述的操作，在存取最频繁的存储器区段110的存储器单元105处累积的泄漏电荷或偏置可以消散，这可以缓解或阻止跨存储器区段110的连续存取操作累积泄漏电荷或偏置，并且提高了存储器装置100维持所存储的数据的能力。此外，通过根据周期性间隔为此类操作选择(例如，存储器装置100中、存储器装置100的一组存储体中的一个存储体中)存取最频繁的存储器区段110，与例如在不考虑相应存储器区段110上的存取操作的频率的情况下执行此类操作相比，存储器装置可以以更有针对性的方式操作。
98.图3示出根据本公开的各种实施例的支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案的存储器单元105的具有迟滞曲线300
‑
a和300
‑
b的非线性电特性的实例。迟滞曲线300
‑
a和300
‑
b可分别示出采用参考图2所描述的铁电电容器220的存储器单元105的实例写入过程和读取过程。迟滞曲线300
‑
a和300
‑
b描绘了存储在铁电电容器220上的电荷q随铁电电容器220的端子之间的电压差v
cap
而变(例如，在根据电压差v
cap
准许电荷流入或流出铁电电容器220时)。例如，电压差v
cap
可表示电容器220的数字线侧和电容器220的板线侧之间的电压差(例如，v
bottom
‑
v
plate
)。
99.铁电材料的特征在于自发电极化，其中材料可在不存在电场的情况下保持非零电荷。铁电材料的实例包含钛酸钡(batio3)、钛酸铅(pbtio3)、锆钛酸铅(pzt)和钽酸锶铋(sbt)。本文中所描述的铁电电容器220可包含这些或其它铁电材料。铁电电容器220内的电极化在铁电材料的表面处产生净电荷，并通过铁电电容器220的端子吸引相反电荷。因此，电荷存储在铁电材料和电容器端子的接口处。因为电极化可以在不存在外部施加的电场的情况下维持相对较长的时间，甚至是维持无限长时间，所以相比于例如不具有铁电特性(例如，用于常规dram阵列的那些)的电容器，电荷泄漏可以显著减少。采用铁电材料可减小执行上文针对一些dram架构所描述的刷新操作的需要，使得相比于保持dram架构的逻辑状态，保持feram架构的逻辑状态可与低得多的电力消耗相关联。
100.可从铁电电容器220的单个端子的角度理解迟滞曲线300
‑
a和300
‑
b。举例来说，如果铁电材料具有负极化，那么正电荷在铁电电容器220的相关联端子累积。同样地，如果铁电材料具有正极化，那么负电荷在铁电电容器220的相关联端子累积。
101.另外，应理解，迟滞曲线300
‑
a和300
‑
b中的电压表示跨电容器(例如，铁电电容器220的各端子之间的电位)的电压差且是方向性的。例如，正电压可以通过向相应端子(例如，单元底部222)施加正电压并将参考端子(例如，单元板221)保持在接地或虚拟接地(或大致零伏(0v))来实现。在一些实例中，负电压可以通过将相应端子保持在接地并向参考端子(例如，单元板221)施加正电压来施加。换句话说，正电压可以跨铁电电容器220施加以达到负电压差v
cap
，并由此使所讨论的端子负极化。类似地，可以向适当的电容器端子施加两
个正电压、两个负电压或正和负电压的任何组合，以产生迟滞曲线300
‑
a和300
‑
b中所示的电压差v
cap
。
102.如迟滞曲线300
‑
a所描绘，当铁电电容器220的各端子之间不存在净电压差时，用于铁电电容器220的铁电材料可保持正或负极化。例如，迟滞曲线300
‑
a示出两个可能的极化状态：电荷状态305
‑
a和电荷状态310
‑
b，它们可分别表示正饱和极化状态和负饱和极化状态。电荷状态305
‑
a和310
‑
a可以处于示出剩余极化(pr)值的物理状态，所述剩余极化值可以指在去除外部偏压(例如，电压)后残余的极化(或电荷)。矫顽电压是电荷或极化为零时的电压。根据迟滞曲线300
‑
a的实例，电荷状态305
‑
a可表示当不跨铁电电容器220施加电压差时的逻辑1，且电荷状态310
‑
a可表示当不跨铁电电容器220施加电压差时的逻辑0。在一些实例中，相应电荷状态的逻辑值可以颠倒，以适应操作存储器单元105的其它方案。
103.可通过跨铁电电容器220施加净电压差来控制铁电材料的电极化并由此控制电容器端子上的电荷，从而将逻辑0或1写入到存储器单元。例如，电压315可为等于或大于正饱和电压的电压，且跨铁电电容器220施加电压315可引起电荷累积，直到达到电荷状态305
‑
b(例如，写入逻辑1)为止。在从铁电电容器220去除电压315(例如，跨铁电电容器220的各端子施加零净电压)后，铁电电容器220的电荷状态可在跨电容器的零电压下沿循在电荷状态305
‑
b和电荷状态305
‑
a之间示出的路径320。换句话说，电荷状态305
‑
a可表示跨已正饱和的铁电电容器220的均衡电压下的逻辑1状态。
104.类似地，电压325可以是等于或小于负饱和电压的电压，且跨铁电电容器220施加电压325可引起电荷累积，直到达到电荷状态310
‑
b(例如，写入逻辑0)为止。在从铁电电容器220去除电压325(例如，跨铁电电容器220的各端子施加零净电压)后，铁电电容器220的电荷状态可在跨电容器的零电压下沿循在电荷状态310
‑
b和电荷状态310
‑
a之间示出的路径330。换句话说，电荷状态310
‑
a可表示跨已负饱和的铁电电容器220的均衡电压下的逻辑0状态。在一些实例中，表示饱和电压的电压315和电压325跨铁电电容器220可具有相同量值，但是极性相反。
105.为读取或感测铁电电容器220的所存储状态，也可跨铁电电容器220施加电压。响应于所施加电压，铁电电容器存储的后续电荷q改变，且改变程度可取决于初始极化状态、所施加电压、存取线上的本征或其它电容和其它因素。换句话说，由读取操作产生的电荷状态可取决于初始存储的是电荷状态305
‑
a还是电荷状态310
‑
a还是某一其它电荷状态，以及其它因素。
106.迟滞曲线300
‑
b示出用于读取所存储电荷状态305
‑
a和310
‑
a的存取操作的实例。例如，可通过参考图2所描述的数字线210和板线215施加读取电压335作为电压差。迟滞曲线300
‑
b可示出读取操作，其中读取电压335是负电压差v
cap
(例如，其中v
bottom
‑
v
plate
为负)。跨铁电电容器220的负读取电压可被称为“板高”读取操作，其中板线215初始为高电压，且数字线210初始处于低电压(例如，接地电压)。虽然读取电压335示出为跨铁电电容器220的负电压，但在替代存取操作中，读取电压可为跨铁电电容器220的正电压，这可被称为“板低”读取操作。
107.当选择存储器单元105时(例如，通过经由字线205启动单元选择组件230，如参考图2所描述)，可跨铁电电容器220施加读取电压335。在将读取电压335施加到铁电电容器220后，电荷可通过相关联的数字线210和板线215流入或流出铁电电容器220，且可依据铁
电电容器220是处于电荷状态305
‑
a(例如，逻辑1)还是处于电荷状态310
‑
a(例如，逻辑0)还是处于某一其它电荷状态而产生不同电荷状态。
108.当对处于电荷状态310
‑
a(例如，逻辑0)的铁电电容器220执行读取操作时，可跨铁电电容器220累积额外负电荷，且电荷状态可沿循路径340，直到达到电荷状态310
‑
c的电荷和电压为止。流过穿过电容器220的电荷量可与数字线210的本征或其它电容(例如，参考图2所描述的本征电容240)有关。
109.因此，如电荷状态310
‑
a与电荷状态310
‑
c之间的转变所示，归因于针对给定电荷改变的相对较大电压改变，跨铁电电容器220的所得电压350可为相对较大的负值。因此，在“板高”读取操作中读取逻辑0后，在电荷状态310
‑
c下等于v
pl
与值(v
bottom
‑
v
plate
)之和的数字线电压可为相对较低的电压。此类读取操作可能不改变存储电荷状态310
‑
a的铁电电容器220的剩余极化，且因此在执行读取操作之后，当去除读取电压335(例如，通过跨铁电电容器220施加零净电压、通过跨铁电电容器220均衡电压)时，铁电电容器220可通过路径340返回到电荷状态310
‑
a。因此，对具有电荷状态310
‑
a的铁电电容器220利用负读取电压执行读取操作可被视为非破坏性读取过程。
110.当对处于电荷状态305
‑
a(例如，逻辑1)的铁电电容器220执行读取操作时，随着跨铁电电容器220的净负电荷累积，所存储电荷可反转极性，且电荷状态可沿循路径360，直到达到电荷状态305
‑
c的电荷和电压为止。流动通过铁电电容器220的电荷量同样可与数字线210的本征或其它电容(例如，参考图2所描述的本征电容240)有关。相应地，如由电荷状态305
‑
a与电荷状态305
‑
c之间的转变所示，在一些情况下，归因于针对给定电荷改变的相对较小电压改变，所得电压355可为相对较小的负值。因此，在“板高”读取操作中读取逻辑1后，在电荷状态305
‑
c下等于v
pl
与值(v
bottom
‑
v
plate
)之和的数字线电压可为相对较高的电压。
111.在一些实例中，利用负读取电压(例如，读取电压335)进行的读取操作可引起存储电荷状态305
‑
a的电容器220的剩余极化的减小或反转。换句话说，根据铁电材料的特性，在执行读取操作之后，当去除读取电压335(例如，通过跨铁电电容器220施加零净电压、通过跨铁电电容器220均衡电压)时铁电电容器220可能不返回到电荷状态305
‑
a。确切地说，当在利用读取电压335进行的读取操作之后跨铁电电容器220施加零净电压时，电荷状态可沿循从电荷状态305
‑
c到电荷状态305
‑
d的路径365，示出了极化量值的减小(例如，相比于初始电荷状态305
‑
a更不正极化的电荷状态，如由电荷状态305
‑
a和电荷状态305
‑
d之间的电荷差所示)。因此，对具有电荷状态305
‑
a的铁电电容器220利用负读取电压执行读取操作可被描述为破坏性读取过程。然而，在一些感测方案中，减小的剩余极化仍可读取为与饱和剩余极化状态相同的所存储逻辑状态(例如，支持检测电荷状态305
‑
a和电荷状态305
‑
d的逻辑1)，从而相对于读取操作为存储器单元105提供一定程度的非易失性。
112.从电荷状态305
‑
a到电荷状态305
‑
d的转变可说明与存储器单元105的铁电电容器220的极化的部分减小和/或部分反转(例如，从电荷状态305
‑
a到电荷状态305
‑
d，电荷q的量值的减小)相关联的感测操作。在一些实例中，可根据特定感测方案选择由感测操作引起的存储器单元105的铁电电容器220的极化的改变量。在一些实例中，具有存储器单元105的铁电电容器220的极化的更大改变的感测操作可与检测存储器单元105的逻辑状态时的相对更大稳健性相关联。在一些感测方案中，感测电荷状态305
‑
a下的铁电电容器220的逻辑0
可引起极化的完全反转，其中在感测操作之后，铁电电容器220从电荷状态305
‑
a转变到电荷状态310
‑
a。
113.在发起读取操作之后电荷状态305
‑
c和电荷状态310
‑
c的位置可取决于数个因素，包含特定感测方案和电路系统。在一些情况下，最终电荷可取决于与存储器单元105耦合的数字线210的净电容，其可包含本征电容240、积分器电容器等。例如，如果铁电电容器220在0v下与数字线210电耦合且读取电压335被施加到板线，那么当选择存储器单元105时，数字线210的电压可上升，因为电荷从铁电电容器220流动到数字线210的净电容。因此，在感测组件150处测量的电压可能并不等于读取电压335或所得电压350或355，实际上它可取决于在一段时间的电荷共享之后数字线210的电压。
114.在发起读取操作后，迟滞曲线300
‑
b上的电荷状态305
‑
c和电荷状态310
‑
c的位置可取决于数字线210的净电容并且可通过负载线分析进行确定。换句话说，可相对于数字线210的净电容定义电荷状态305
‑
c和310
‑
c。因此，发起始读取操作之后铁电电容器220的电压(例如，当读取存储电荷状态310
‑
a的铁电电容器220时的电压350、当读取存储电荷状态305
‑
a的铁电电容器220时的电压355)可为不同的并且可取决于铁电电容器220的初始状态。
115.可通过将由读取操作产生的数字线210(或信号线260，在适用时)的电压与参考电压(例如，通过参考图2所描述的参考线265，或通过共同存取线)进行比较来确定铁电电容器220的初始状态(例如，电荷状态、逻辑状态)。在一些实例中，数字线电压可为板线电压与跨铁电电容器220的最终电压(例如，当读取具有所存储的电荷状态310
‑
a的铁电电容器220时的电压350，或当读取具有所存储的电荷状态305
‑
a的铁电电容器220时的电压355)的总和。在一些实例中，数字线电压可为读取电压335与跨电容器220的最终电压之间的差(例如，当读取具有所存储的电荷状态310
‑
a的铁电电容器220时为(读取电压335
‑
电压350)，当读取具有所存储的电荷状态305
‑
a的铁电电容器220时为(读取电压335
‑
电压355))。
116.在一些感测方案中，可产生参考电压，使得参考电压处于可由读取不同逻辑状态引起的可能电压之间。例如，参考电压可选择为当读取逻辑1时低于所得数字线电压，且当读取逻辑0时高于所得数字线电压。在其它实例中，可在感测组件150的不同于其中耦合数字线的部分的部分处做出比较，且因此参考电压可选择为当读取逻辑1时低于感测组件150的比较部分处的所得电压，且当读取逻辑0时高于感测组件150的比较部分处的所得电压。在感测组件150进行比较期间，基于感测的电压可确定为高于或低于参考电压，且因此可确定存储器单元105的所存储逻辑状态(例如，逻辑0、逻辑1)。
117.在感测操作期间，从读取各种存储器单元105得到的信号可以随着各种存储器单元105之间的制造或操作偏差而变。例如，各种存储器单元105的电容器220可具有不同水平的电容或饱和极化，使得逻辑1可与不同存储器单元的不同电荷电平相关联，且逻辑0可与不同存储器单元的不同电荷电平相关联。此外，本征或其它电容(例如，参考图2所描述的本征电容240)对于存储器装置中的不同数字线210可为不同的，并且从相同数字线上的不同存储器单元105的角度来说还可在数字线210内变化。因此，出于这些和其它原因，读取逻辑1可与不同存储器单元的不同数字线电压电平相关联(例如，所得电压350对于读取不同存储器单元105来说可为不同的)，并且读取逻辑0可与不同存储器单元的不同数字线电压电平相关联(例如，所得电压355对于读取不同存储器单元105来说可为不同的)。
118.在一些实例中，参考电压可设置于与读取逻辑1相关联的电压的统计平均值和与读取逻辑0相关联的电压的统计平均值之间，但参考电压可相对更接近于读取任何给定存储器单元105的逻辑状态中的一个的所得电压。读取特定逻辑状态的所得电压(例如，用于读取存储器装置的多个存储器单元105的统计值)与相关联的参考电压电平之间的最小差可以被称作“最小读取电压差”，且具有较低的最小读取电压差可与可靠地感测给定存储器装置中的存储器单元的逻辑状态的困难相关联。
119.在一些实例中，感测组件150可以设计成采用自参考技术，其中存储器单元105自身涉及在读取存储器单元105时提供参考信号。但是，当使用相同存储器单元105来提供感测信号和参考信号时，如果执行的存取操作不改变存储器单元105所存储的状态，那么感测信号和参考信号可以是大体上相同的。例如，当对存储逻辑1的存储器单元105(例如，存储电荷状态310
‑
a)执行自参考读取操作时，可包含施加读取电压335的第一存取操作可遵循路径340，且同样可包含施加读取电压335的第二操作也可遵循路径340，并且第一和第二存取操作可产生大体上相同的存取信号(例如，从存储器单元105的角度来说)。在这些情况下，当采用依赖于感测信号和参考信号之间的差检测存储器单元105所存储的逻辑状态的感测组件150时，在存取操作可以提供大体上相等的感测和参考信号的情况下，存储器装置的某一其它部分可以提供此类差。
120.在根据本公开的一些实例中，存储器区段110的未选定存储器单元105的单元选择组件230可以撤销启动，但是泄漏电荷在与存储器区段110的另一选定存储器单元105相关联的存取操作期间仍可流动通过存储器区段110的撤销启动的单元选择组件230。在铁电存储器单元105的实例中，泄漏电荷或偏置可在存储器区段110的未选定存储器单元105的铁电电容器220(例如，单元底部222)处累积，这可能会更改铁电电容器220的极化。
121.例如，当存储器区段110的未选定存储器单元105的铁电电容器220处于电荷状态305
‑
a(例如，存储逻辑1)时，与存储器区段的选定存储器单元105上的存取操作(例如，选定存储器单元105的板高读取操作、与在选定存储器单元105上写入逻辑0相关联的写入操作)相关联的泄漏电荷可使未选定存储器单元105的电荷状态遵循路径360的至少一部分。在一些实例中，选定存储器单元105上的第一存取操作可使未选定存储器单元的铁电电容器220到达电荷状态305
‑
e(例如，累积由电荷q从电荷状态305
‑
a到电荷状态305
‑
e的变化示出的泄漏电荷、累积由电压v
cap
从电荷状态305
‑
a到电荷状态305
‑
e的变化示出的偏置)。但是，在未选定存储器单元105保持未被选定用于相同存储器区段110的选定存储器单元105(例如，同一选定存储器单元105、一或多个不同的选定存储器单元105)的后续存取操作的情况下，当泄漏电荷或偏置继续累积时，未选定存储器单元105可继续沿着路径360，例如直到到达电荷状态305
‑
c为止。
122.电荷状态305
‑
c可表示极化的显著损失，这可以由电荷状态305
‑
a和电荷状态305
‑
d之间的所存储电荷差表示。换句话说，如果跨未选定存储器单元105的电压在除未选定存储器单元105以外的选定存储器单元的一组存取操作之后均衡，那么未选定存储器单元105可遵循从电荷状态305
‑
c到电荷状态305
‑
d的路径365，这说明了比电荷状态305
‑
a显著更低的极化或电荷。在一些实例中，此电荷或极化损失可以与就哪一逻辑状态而言不确定的电荷状态相关联。在一些实例中，如果极化已从饱和极化状态减小超过30％(例如，小于与电荷状态305
‑
a相关联的电荷q的70％)，那么电荷状态可变为不确定的。因此，在一些实例中，
由泄漏电荷或偏置的累积造成的电荷状态305
‑
a和电荷状态305
‑
d之间(例如，经由电荷状态305
‑
c)的转变可表示来自此类泄漏电荷的数据的损失。
123.根据本公开的实例，可以对存储器区段110执行操作以促进或以其它方式支持来自存储器区段110的存储器单元105的泄漏电荷或偏置的消散，这可减少或消除原本会因泄漏电荷或偏置的累积而产生的数据损失。例如，在存储器区段110的选定存储器单元105上的存取操作之后，由于存取操作所造成的泄漏电荷，未选定存储器单元105的电荷状态可遵循路径360的至少一部分。存储器控制器170可至少部分地基于存储器装置的一组存储器区段110的经确定存取历史而选择用于电压调整操作的存储器区段110(例如，选择具有自相应存储器区段110的先前电压调整操作(例如，均衡操作、消散操作)以来最高数量的经执行存取操作的存储器区段110、具有自存储器装置100通电以来最高数量的经执行存取操作的存储器区段)。作为电压调整操作的部分，存储器区段110中的每一个存储器单元105的单元选择组件230可以启动(例如，通过启动与存储器区段110相关联的每一个字线205)。
124.当单元选择组件230启动时，存储器区段110的相关联数字线210和板线215可以与支持经累积泄漏电荷或偏置的消散的电压源耦合。例如，存储器区段110的相关联数字线210和板线215可以与同一电压源耦合，或者与具有相同电压(例如，接地电压、零电压、非零电压)的电压源耦合，或者与以其它方式支持在存储器区段110的存储器单元105处累积的泄漏电荷或偏置的消散的电压电压的电压源耦合。换句话说，在一些实例中，可以跨存储器单元105施加零电压或经均衡电压，这可以使存储器单元105从与非零偏置相关联的电荷状态305(例如，电荷状态305
‑
e)转变到与零偏置相关联的电荷状态305(例如，电荷状态305
‑
f)，零偏置可以称为零电容器电压v
cap
。
125.在一些实例中，可根据间隔(例如，周期性区段选择间隔、周期性电压调整间隔、周期性消散间隔、周期性均衡间隔)执行为所述电压调整操作选择存储器区段110，其中此类间隔对应于与存储器区段110的未选定存储器单元105中相对较小的极化损失(例如，电荷状态305
‑
a和电荷状态305
‑
f之间的所存储电荷差)相关联的存取操作数量或时间周期。在一些实例中，相对较小的电荷或极化损失可以与就相关联存储器单元存储哪一逻辑状态而言仍然不确定的电荷状态相关联。换句话说，在一些实例中，在电荷状态305
‑
a或305
‑
f下，可以针对铁电电容器220检测到逻辑1。因此，在一些实例中，由存取操作中泄漏电荷或偏置的累积造成的电荷状态305
‑
a和电荷状态305
‑
f之间的转变可表示数据被维持，即使存在此类泄漏电荷或偏置也如此。在一些实例中，只要极化在饱和极化状态的30％内，电荷状态就可为确定的(例如，仍然可表示对于特定逻辑状态来说可以发觉的状态)。
126.在一些实例中，可执行后续存取操作，其中存储器区段110的未选定存储器单元105存储电荷状态305
‑
f。在此类实例中，由于存储器区段110上的后续存取操作以及后续均衡、放电操作或电压调整操作，存储器区段110的未选定存储器单元105可在电荷状态305
‑
f和305
‑
e之间交替。因此，通过执行本文中所描述的基于活动的电压调整操作，在存储器区段110的存储器单元105处累积的泄漏电荷或偏置可以在存储器区段110上的各种存取操作之后消散。此类消散或均衡可以缓解或阻止泄漏电荷或偏置跨连续存取操作累积，并且提高了存储器装置100维持所存储数据的能力。此外，通过根据周期性间隔选择特定存储器区段110用于此类操作，存储器装置100的操作可以比例如在每个存取操作之后执行此类操作更有效。
127.图4示出根据本公开的各种实施例的支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案的存储器装置的电路400的实例。电路400的组件可以是参考图1到3描述的对应组件的实例。
128.电路400可包含第一存储器区段110
‑
b，其包含第一组存储器单元105
‑
b(例如，存储器单元105
‑
b
‑
11到105
‑
b
‑
mn)，它可以说明具有m列和n行的存储器单元105的阵列。存储器单元105
‑
b中的每一个可以与第一存储器区段110
‑
b的字线205
‑
a(例如，字线205
‑
a
‑
1到通过205
‑
a
‑
n中的一个)、第一存储器区段110
‑
b的数字线210
‑
a(例如，数字线210
‑
a
‑
1到210
‑
a
‑
m中的一个)和第一存储器区段110
‑
b的板线215
‑
a耦合。根据由电路400示出的实例，存储器单元105
‑
b
‑
11到105
‑
b
‑
1n可表示与第一存储器区段110
‑
b的数字线(例如，数字线210
‑
a
‑
1)和第一存储器区段110
‑
b的板线(例如，板线215
‑
a)耦合或耦合于它们之间的第一存储器区段110
‑
b的一组(例如，一列)存储器单元105。根据由电路400示出的另一实例，存储器单元105
‑
b
‑
m1到105
‑
b
‑
mn可表示与第一存储器区段110
‑
b的另一数字线(例如，数字线210
‑
a
‑
m)和第一存储器区段110
‑
b的板线(例如，板线215
‑
a)耦合或耦合于它们之间的第一存储器区段110
‑
b的一组存储器单元105。
129.电路400还可包含第二存储器区段110
‑
c，其中出于说明性且使本公开清晰的目的，简化了第二存储器区段的组件。第二存储器区段110
‑
c可包含一组存储器单元105
‑
c(例如，存储器单元105
‑
c
‑
11到105
‑
c
‑
mn)，它们还可说明具有m列和n行的存储器单元105的阵列。每一个存储器单元105
‑
c可以与第二存储器区段110
‑
c的字线205
‑
b(例如，字线205
‑
b
‑
1到205
‑
b
‑
n中的一个)、第二存储器区段110
‑
c的数字线210
‑
b(例如，数字线210
‑
b
‑
1到210
‑
b
‑
m中的一个)和第二存储器区段110
‑
c的板线215
‑
b耦合。根据由电路400示出的实例，存储器单元105
‑
c
‑
11到105
‑
c
‑
1n可表示与存储器区段110
‑
c的数字线(例如，数字线210
‑
b
‑
1)和第二存储器区段110
‑
c的板线(例如，板线215
‑
b)耦合或耦合于它们之间的第二存储器区段110
‑
c的一组(例如，一列)存储器单元105。根据由电路400示出的另一实例，存储器单元105
‑
c
‑
m1到105
‑
c
‑
mn可表示与第二存储器区段110
‑
c的另一数字线(例如，数字线210
‑
b
‑
m)和第二存储器区段110
‑
c的板线(例如，板线215
‑
b)耦合或耦合于它们之间的第二存储器区段110
‑
c的一组存储器单元105。
130.在电路400的实例中，存储器单元105
‑
b和105
‑
c中的每一个可包含相应电容器220和相应单元选择组件230。相应电容器220和相应单元选择组件230之间某一点(例如，节点、中间节点、端子)处的电压可以标识为相应v
bottom
，如贯穿第一存储器区段110
‑
b所示。在一些实例中，电容器220中的一或多个可以是铁电电容器，如本文中所描述。存储器区段110
‑
b和110
‑
c中的每一个可以是包含与区段的多个字线205中的一个相关联的存储器单元105的存储器区段110的实例，所述一个字线配置成选择性地耦合存储器单元105与区段的多个数字线210中的一个。电路400可以是具有各自包含存储器单元105、数字线210和字线205的存储器区段110的设备的实例，所述字线配置成选择性地耦合存储器单元105与数字线210中的一个。电路400还可以是具有可用于执行本公开的各种操作的存储器控制器170的设备的实例。
131.尽管第一存储器区段110
‑
b和第二存储器区段110
‑
c均示出为分别包含共同板线215
‑
a和215
‑
b(例如，每个存储器区段110的共同板、存储器区段110中的每一个存储器单元105的共同节点)，但是电路400的一些实例可包含用于每一行存储器单元105
‑
b或105
‑
c的
单独板线215
‑
a或215
‑
b(例如，与每一个字线205相关联的可独立存取的板线215)或用于每一列存储器单元105
‑
b或105
‑
c的单独板线215
‑
a或215
‑
b(例如，与每一个数字线210相关联的可独立存取的板线215)。
132.字线205
‑
a和205
‑
b中的每一个(例如，字线wl
11
到wl
1n
和wl
21
到wl
2n
中的每一个)可以与相应字线电压v
wl
相关联，如所示，并且可以与相应行组件(例如，用于第一存储器区段110
‑
b的行组件125
‑
b、用于第二存储器区段110
‑
c的行组件125
‑
c)耦合。行组件125
‑
b和125
‑
c可以耦合字线205
‑
a或205
‑
b中的一或多个与各种电压源(未示出)。例如，行组件125
‑
b可以选择性地耦合字线205
‑
a中的一或多个与具有相对较高电压(例如，选择电压，其可以是大于0v的电压)的电压源或具有相对较低电压(例如，撤销选择电压，其可以是接地电压0v或负电压)的电压源。在另一实例中，行组件125
‑
b可选择性地耦合字线205
‑
a中的一或多个与三个电压源中的一个。在一些实例中，第一电压源可具有空闲或待机电压(例如，接地电压、相对较小的正电压)，第二电压源可具有选择电压(例如，大于接地电压的正电压、相对较大的正电压)，且第三电压源可具有撤销选择电压(例如，接地电压、负电压)。一些实例可进一步包含支持各种操作的字线均衡电压源，其可以是第四电压源。根据本公开，其它实例是可能的。行组件125
‑
c可按照类似于行组件125
‑
b的方式或不同于行组件125
‑
b的方式耦合字线205
‑
b与电压源。
133.数字线210
‑
a和210
‑
b中的每一个(例如，数字线dl
11
到dl
1m
和dl
21
到dl
2m
中的每一个)可以与相应数字线电压v
dl
相关联，如所示，并且可以与相应感测组件150(例如，感测组件150
‑
b、感测组件150
‑
c)耦合。在电路400的实例中，数字线210
‑
a和210
‑
b中的每一个示出为在相应存储器区段110和相应感测组件150之间直接连接(例如，直接耦合存储器区段110
‑
b与感测组件150
‑
b、直接耦合存储器区段110
‑
c与感测组件150
‑
c)。在支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的所述存取方案的电路的其它实例中，额外组件或元件可以与存储器区段110和感测组件150耦合或耦合于它们之间，包含本征电容240、一或多个信号产生组件280或一或多个旁路线270，如参考图2所描述的。在一些实例中，电路400还可包含一组信号线sl
11
到sl
1m
或sl
21
到sl
2m
，例如参考图2所描述的信号线260。
134.所述一或多个板线215
‑
a或215
‑
b(例如，板线pl1、板线pl2)中的每一个可与相应板线电压v
pl
相关联，如所示，并且可以与相应板组件145(例如，用于第一存储器区段110
‑
b的板组件145
‑
b、用于第二存储器区段110
‑
c的板组件145
‑
c)耦合。板组件145
‑
b或145
‑
c可耦合一或多个板线215
‑
a或215
‑
b与各种电压源(未示出)。例如，板组件145
‑
b可选择性地耦合一或多个板线215
‑
a与具有相对较高电压(例如，板高电压，其可以是大于0v的电压)的电压源或具有相对较低电压(例如，板低电压，其可以是接地电压0v或负电压)的电压源。
135.行组件125
‑
b、感测组件150
‑
b和板组件145
‑
b可配置成支持第一存储器区段110
‑
b的各种存取操作(例如，读取操作、写入操作、重写操作、刷新操作、电压调整操作、消散操作、均衡操作)。例如，行组件125
‑
b可配置成启动或以其它方式施加电压到特定字线205
‑
a。在一些实例中，启动字线205
‑
a可启动与相应字线205
‑
a耦合的存储器单元105
‑
b中的一或多个的单元选择组件230
‑
a。例如，启动字线205
‑
a
‑
1可启动与存储器单元105
‑
b
‑
11到105
‑
b
‑
m1(例如，第一存储器区段110
‑
b的一行存储器单元105
‑
b)相关联的所有单元选择组件230
‑
a
‑
11到230
‑
a
‑
m1。
136.感测组件150
‑
b可包含配置成检测存储器单元105
‑
b中的相应者所存储的逻辑状
态的一组感测放大器290
‑
a。在一些实例中，感测放大器290
‑
a可通过比较相应数字线电压v
dl
与参考线电压v
rl
来检测所存储的逻辑状态，参考线电压可以由参考组件285
‑
a提供给感测组件150
‑
b(例如，经由参考线265
‑
a)。板组件145
‑
b可配置成启动或以其它方式施加电压到板线215
‑
a中的特定一或多个。在一些实例中，与行组件125
‑
b、感测组件150
‑
b、板组件145
‑
b或参考组件285
‑
a相关联的操作可以至少部分地由存储器控制器170
‑
b控制。
137.类似地，行组件125
‑
c、感测组件150
‑
c和板组件145
‑
c可配置成支持第二存储器区段110
‑
c的各种存取操作(例如，读取操作、写入操作、重写操作、刷新操作、电压调整操作、消散操作、均衡操作)。在一些实例中，与行组件125
‑
c、感测组件150
‑
c、板组件145
‑
c或参考组件285
‑
b相关联的操作也可至少部分地由存储器控制器170
‑
b控制。
138.在电路400的实例中，感测组件150
‑
b和150
‑
c可各自包含与相应数字线210
‑
a或210
‑
b中的每一个相关联的单独的感测放大器290(例如，用于第一存储器区段110
‑
b的感测放大器290
‑
a、用于第二存储器区段110
‑
c的感测放大器290
‑
b)(例如，用于每一列存储器单元105的单独感测放大器290)。感测放大器290
‑
a和290
‑
b中的每一个可以与存储器装置的其它部分耦合，例如列组件135、输入/输出组件160或存储器控制器170
‑
b(例如，经由一或多个i/o线295，未示出)。感测放大器290
‑
a和290
‑
b中的每一个可以与相应信号电压v
sig
和相应参考电压v
ref
相关联，例如参考图2所描述的相关联电压。感测放大器290
‑
a和290
‑
b中的每一个可以与第一感测放大器电压源(例如，具有电压v
l
，其可以是大体上等于v0的接地电压或负电压)耦合，并且与第二感测放大器电压源(例如，具有电压v
h
，其可以大于电压v
l
)耦合，例如参考图2所描述的那些。
139.在一些实例中，当检测存储器单元105
‑
b或150
‑
c所存储的逻辑状态时，感测组件150
‑
b和150
‑
c可用于锁存与读取操作相关联的信号。例如，与此类锁存相关联的电信号可以在感测组件150
‑
a(例如，感测放大器290
‑
a)和输入/输出组件160之间例如经由i/o线295(未示出)传达。在一些实例中，感测组件150
‑
a和150
‑
b可以与存储器控制器170
‑
b成电子连通，存储器控制器170
‑
b可控制感测组件150
‑
a和150
‑
b的各种操作。在一些实例中，启动提供给感测组件150的逻辑信号可以称为“启用”或“启动”感测组件150。在一些实例中，启动提供给感测组件150的逻辑信号可以称为或者成为被称作“锁存”存取存储器单元105的结果的操作的部分。
140.在电路400的实例中，感测放大器290
‑
a和290
‑
b中的每一个可以通过各种开关组件选择性地与电路400的各部分耦合或解耦。在一些实例中，感测放大器290
‑
a和290
‑
b中的每一个可包含配置成选择性地耦合或解耦相应感测放大器290
‑
a或290
‑
b和相应数字线210
‑
a或210
‑
b(例如，通过启动或撤销启动逻辑信号)的开关组件。在一些实例中，感测放大器290
‑
a和290
‑
b中的每一个可包含配置成选择性地耦合或解耦相应感测放大器290
‑
a或290
‑
b和参考源的开关组件(例如，通过启动或撤销启动逻辑信号)，参考源例如是参考组件285
‑
a或285
‑
b。
141.在一些实例中，感测放大器290
‑
a和290
‑
b中的每一个可包含配置成选择性地耦合或解耦相应感测放大器290
‑
a或290
‑
b和相应均衡电压源(例如，通过启动或撤销启动逻辑信号)的开关组件。在一些实例中，均衡电压源可表示共同接地点(例如，底盘接地、中性点)，它可以与具有电压v0的共同参考电压相关联，根据所述共同参考电压限定其它电压。
142.参考电路400描述的逻辑信号中的任何一或多个可以由存储器控制器170
‑
b提供，
它可以是多个存储器区段110当中共享的存储器控制器170的实例。尽管某些开关组件可以共享共同逻辑信号，但是开关组件中的任一个可以由特定于给定开关组件的逻辑信号(例如，特定于数字线210
‑
a或210
‑
b中的特定一个的逻辑信号、特定于存储器单元105的特定行的逻辑信号、特定于数字线210
‑
a或210
‑
b中的特定一个的逻辑信号、特定于存储器单元105的特定列的逻辑信号)来启动或撤销启动。
143.尽管电路400示出有单独的参考电压源(例如，参考组件285
‑
a、参考组件285
‑
b)，但是支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的所述存取方案的其它实施例或配置可采用自参考存取方案，其中用于读取相应存储器单元105
‑
b或105
‑
c的参考电压可以至少部分地通过存取相应存储器单元105
‑
b或105
‑
c(例如，在后续操作中)提供。在此类实例中，存储器单元105
‑
b或150
‑
c可以与相应感测放大器290
‑
a或290
‑
b的参考节点耦合。
144.尽管存储器区段110
‑
a和110
‑
b及感测组件150
‑
a和150
‑
b用相应的虚线反映特定界限来示出，但是此类界限只出于说明性目的而示出。换句话说，根据本公开的存储器区段110
‑
a和110
‑
b及感测组件150
‑
a和150
‑
b中的一或多个可具有与电路400中所示的虚线界限不同的界限，并且因此可包含比图4的实例中所示的更多或更少的组件。
145.在一个实例中，存储器装置可具有与感测组件150
‑
b耦合的超过一组数字线210，它可以经由列选择组件或层级选择组件来选择。例如，电路400的数字线210
‑
a
‑
1到210
‑
a
‑
m可示出与感测组件150
‑
b耦合的第一组数字线(例如，第一组列、第一层级列)。另一组数字线(例如，数字线210
‑
c
‑
1到210
‑
c
‑
m，未示出)可以指与感测组件150
‑
b耦合的第二组数字线(例如，第二组列、第二层级列)，其可具有与第一组数字线类似的布置(例如，与另一组存储器单元105耦合，未示出)。
146.在一些实例中，存储器装置100的电路可包含感测组件150
‑
b及第一组和第二组数字线之间的列选择组件或层级选择组件，以选择第一组数字线中的数字线210与感测组件150
‑
b耦合或选择第二组数字线中的数字线210与感测组件150
‑
b耦合。在一些实例中，不同组的数字线210或列可共享共同字线205。换句话说，在一些实例中，字线205可启动不同组的数字线210或列中的存储器单元105(例如，行)的单元选择组件230。在一些实例中，不同组的数字线210或列还可共享存储器区段110和感测组件150之间(例如，感测组件150和列选择组件或层级选择组件之间)的信号线。因此，特定存储器单元105可以利用特定字线地址、数字线或信号线地址和列选择或层级选择地址(例如，“y地址”)的组合来存取。
147.在根据本公开的各种实例中，与第一组数字线和第二组数字线相关联的存储器单元105可被视为相同存储器区段110的部分(例如，数字线210
‑
a
‑
1到210
‑
a
‑
m和数字线210
‑
c
‑
1到210
‑
c
‑
m被包含在第一存储器区段110
‑
b中、数字线210
‑
a
‑
1到210
‑
a
‑
m和数字线210
‑
c
‑
1到210
‑
c
‑
m共享共同板线215
‑
a)，或与第一组数字线和第二组数字线相关联的存储器单元105可被视为不同存储器区段的部分(例如，数字线210
‑
a
‑
1到210
‑
a
‑
m被包含在第一存储器区段110
‑
b中且与板线215
‑
a耦合，数字线210
‑
c
‑
1到210
‑
c
‑
m被包含在另一存储器区段110
‑
d中且与另一板线215
‑
c耦合，未示出)。
148.在一些情况下，尽管电压源可以与共同电压供应和/或接地点耦合，与共同电压供应或共同接地点耦合的每一个电压源处的电压可能会因为电路400中相应电压源和相关联共同电压供应或共同接地点之间的各种差(例如，导体长度、导体宽度、导体电阻、导体或其它电容)而不同。
149.在一些实例中，第一存储器区段110
‑
b可以与第二存储器区段110
‑
c隔离或以其它方式分开。例如，数字线210
‑
a可以与数字线210
‑
b隔离，板线215
‑
a可以与板线215
‑
b隔离，且字线205
‑
a可以与字线205
‑
b隔离。在各种实例中，行组件125
‑
b可以与行组件125
‑
c分开，板组件145
‑
b可以与板组件145
‑
c分开，参考组件285
‑
a可以与参考组件285
‑
b分开，或感测组件150
‑
b可以与感测组件150
‑
c分开。在一些实例中(例如，当第一存储器区段110
‑
b与第二存储器区段110
‑
c隔离或以其它方式分开时)，对第一存储器区段110
‑
b执行的存取操作可能不会影响第二存储器区段110
‑
c。换句话说，施加到第一存储器区段110
‑
b(例如，在存取操作期间)的电压或其它信号可以不转换成施加到第二存储器区段110
‑
c的电压或其它信号，且反之亦然。因此，泄漏电荷或偏置可针对不同存储器区段110以不同速率累积，且对一个存储器区段110执行的电压调整操作可能不会对另一存储器区段110产生类似影响。根据本公开的方面，可以使用一组存储器区段110的存取历史来选择用于电压调整操作的特定存储器区段110，以缓解泄漏电荷或偏置在存储器装置中存取最频繁的存储器区段110上的累积。
150.图5示出根据本公开的方面的时序图500，其示出了用于保护存储器装置中所存储的数据的实例存取方案的操作。时序图500是参考图4的实例电路400的组件描述的，但是也可以说明可用不同电路布置执行的操作。
151.在时序图500的实例中，存储器单元105
‑
b
‑
11可以是选定存储器单元105(例如，第一存储器区段110
‑
b的选定存储器单元105
‑
b)。换句话说，在时序图500的操作之前或期间，存储器单元105
‑
b
‑
11可以被选定或以其它方式识别(例如，通过存储器控制器170
‑
b)用于第一存储器区段110
‑
b的存取操作(例如，读取操作，其在一些实例中可包含或者可后跟着重写操作)。在时序图500的实例中，第一存储器区段110
‑
b的其它存储器单元105
‑
b(例如，存储器单元105
‑
b
‑
12(未示出)到105
‑
b
‑
1n)可以是未选定存储器单元105(例如，一列存储器单元中的未选定存储器单元105
‑
b)。在时序图500的实例中，存储器单元105
‑
b
‑
11可一开始存储逻辑1状态，如本文中所描述(例如，参考图3)。在时序图500的实例中，未选定存储器单元105
‑
b
‑
1n也可一开始存储逻辑1状态，如本文中所描述(例如，参考图3)。关于由存取操作产生的所述泄漏，未选定存储器单元105可以称为“受害者单元”，选定存储器单元105可以称为“侵略者单元”。
152.在一些实例中，在发起时序图500的操作之前(例如，在空闲周期、空闲间隔、待机周期、待机间隔期间)，第一存储器区段110
‑
b的数字线210
‑
a和板线215
‑
a可以在相同电压下偏置。匹配数字线210
‑
a和板线215
‑
a的电压可使第一存储器区段110
‑
a中的电荷泄漏最小化。例如，在时序图500的实例中，第一存储器区段110
‑
b的数字线210
‑
a和板线215
‑
a可具有初始电压0v(例如，接地电压、底盘接地电压、均衡电压)，它可以由各种电压源(例如，经由感测组件150
‑
b、经由板组件145
‑
b、经由列组件135、经由信号产生组件280)提供。在其它实例中，数字线210
‑
a和板线215
‑
a可以在不同电压下偏置，所述电压在数字线210
‑
a和板线215
‑
a之间可以相等也可以不相等。
153.时序图500可示出其中行组件125
‑
b配置成向第一存储器区段110
‑
b中的每一个字线205
‑
a施加电压(例如，偏置)三个电压中的一个以支持本文中所描述的各种操作(例如，启动、撤销启动、均衡特定字线205
‑
a或第一存储器区段110
‑
b的行)的存取方案。为了支持时序图500的操作，行组件125
‑
b可包含电压源、电压供应、开关组件、选择组件、放大器或电
压转换组件的各种配置，以向字线205
‑
a中的特定字线施加特定电压，此特定电压在一些实例中可以响应于来自存储器控制器170
‑
b的信号或命令。
154.第一电压v1可表示字线空闲或待机电压。根据时序图500的实例，在一些情况下，第一电压可以是接地或虚拟接地电压，并且例如可以与和感测组件150
‑
b或板组件145
‑
b的电压源相同的电压供应或底盘接地耦合。第一电压可具有与在某些条件下撤销启动第一存储器区段110
‑
b的单元选择组件230
‑
a相关联的值。在一些实例中，第一电压可具有值0v，并且可以称为vss。在其它实例中，第一电压可具有用于撤销启动单元选择组件230的负值，并且可以称为vnwl。
155.第二电压v2可表示单元存取字线电压。根据时序图500的实例，在一些情况下，第三电压可以是相对较大的正电压，并且可具有大到足以在某些条件下启动第一存储器区段110
‑
b的单元选择组件230
‑
a(例如，用于读取操作、用于写入操作、用于重写操作、用于刷新操作)的量值。在一些实例中，第二电压可以选定具有相对较大的量值以便支持相对快速的存取操作(例如，相比于使用较低电压来选择用于读取操作、写入操作、重写操作、刷新操作的存储器单元105
‑
b)。在一些实例中，第二电压可具有值3.1v，并且可以称为vccp。
156.第三电压v3可表示单元均衡或消散字线电压。根据时序图500的实例，在一些情况下，第三电压可以是相对较小的正电压，并且可具有大到足以在某些条件下启动第一存储器区段110
‑
b的单元选择组件230
‑
a(例如，用于电压调整操作)的量值。在一些实例中，第三电压可以选定具有相对较小的量值，以便以相对较低的功率消耗(例如，相比于使用较高电压来进行电压调整操作)支持电压调整操作或其它状态。在一些实例中，第三电压可以选定在所描述的操作期间支持相对较低的转换速率(例如，电压变化速率)。在一些实例中，第三电压可具有1.0v到1.2v的值，并且可以称为vpwl或vperi。
157.在501处，存取操作可包含第一存储器区段110
‑
b的或以其它方式与第一存储器区段110
‑
b相关联的各种初始化操作。例如，在501处，存取操作可包含选择性地解耦感测组件150
‑
b的感测放大器290
‑
a与相应的均衡电压源(例如，撤销启动感测放大器290
‑
a和接地电压源之间的开关组件，这可包含撤销启动与感测组件150
‑
b相关联的逻辑信号)。因此，在501处，感测放大器290
‑
a的相应信号电压v
sig
(例如，感测组件150
‑
b的阵列侧上的电压)和参考电压v
ref
(例如，感测组件150
‑
b的参考侧上的电压)可以处于零伏。
158.在502处，存取操作可包含升高第一存储器区段110
‑
b的板线215
‑
a(例如，存储器单元105
‑
b的共同板、共同节点)的电压。例如，在502处，板组件145
‑
b可耦合板线215
‑
a与具有相对较高电压(例如，板高电压)的电压源。在一些实例中，在502处，板组件145
‑
b可在耦合板线215
‑
a与具有相对较高电压的电压源之前解耦板线215
‑
a与板低电压源(例如，接地电压源、空闲板线电压源、待机板线电压源)。因此，在502处，第一存储器区段110
‑
b的板线电压v
pl,1
可从502之前的电压增加。
159.在一些实例中，502的操作可以与将泄漏电荷驱动到第一存储器区段110
‑
b的未选定存储器单元105
‑
b之中或之外相关联。例如，由于第一存储器区段110
‑
b的板线215
‑
a和数字线210
‑
a
‑
1的电压差(例如，v
pl,1
‑
v
dl,11
)，泄漏电荷可流过与存储器单元105
‑
b
‑
12到105
‑
b
‑
1n相关联的单元选择组件230
‑
a
‑
12(未示出)到230
‑
a
‑
1n中的一或多个。因此，泄漏电荷可流到电容器220
‑
a
‑
12(未示出)到220
‑
a
‑
1n中的一或多个之中或之外，这可能会更改未选定存储器单元105
‑
b
‑
12到105
‑
b
‑
1n中的一或多个(例如，与选定存储器单元105
‑
b同一列的
存储器单元105
‑
b)所存储的电荷状态或逻辑状态。例如，相比于参考图3所描述的电荷状态305
‑
a，502的操作可使未选定存储器单元(例如，存储器单元105
‑
b
‑
12到105
‑
b
‑
1n中的一或多个)的铁电电容器220
‑
a沿着路径360(例如，朝向电荷状态305
‑
e)移动，这可表示未选定存储器单元105
‑
b
‑
12到105
‑
b
‑
1n中的一或多个的部分极化损失。
160.在一些实例中，由于板线215
‑
a的电压升高，泄漏电荷可以被驱动到第一存储器区段110
‑
b的其它未选定存储器单元105
‑
b之中或之外(例如，第一存储器区段110的其它列的存储器单元105、存储器单元105
‑
b
‑
m1到105
‑
b
‑
mn中的一或多个)。在一些实例中，升高存储器区段110的板线215的电压可以与将泄漏电荷驱动到存储器区段110的所有存储器单元105之中或之外相关联，不管特定存储器单元105是否被选定。例如，在为所确定的存取操作(例如，503处的字线选择操作)启动单元选择组件230
‑
a
‑
11之前，由于在502处将板线215
‑
a的电压从第一电压升高到较高的第二电压，所以可以将某一数量的泄漏电荷驱动到选定存储器单元105
‑
b
‑
11之中或之外。
161.与此类操作相关联的泄漏电荷可以由第一存储器区段110
‑
b的未选定存储器单元105
‑
b(例如，与数字线210
‑
a
‑
1耦合的存储器单元105
‑
b
‑
12到105
‑
b
‑
1n中的任何一或多个)的电压行为示出。例如，在不存在电荷泄漏的情况下，与数字线210
‑
a
‑
1耦合的未选定存储器单元105
‑
b
‑
12到105
‑
b
‑
1n的单元底部电压v
bottom,1
将大体上遵循板线电压v
pl,1
。但是，在时序图500的实例中，与存储器单元105
‑
b
‑
1n(例如，存储逻辑1)相关联的单元底部电压v
bottom,1n
可能会由于从铁电电容器220
‑
a
‑
1n到单元选择组件230
‑
a
‑
1n的单元底部到数字线210
‑
a
‑
1的电荷泄漏而不上升到高达所施加电压v
pl
。因此，铁电电容器220
‑
a
‑
1n(或其它未选定存储器单元105
‑
b
‑
12到105
‑
b
‑
1n中的任一个的电容器220
‑
a)可经受由δvcap,1n示出的电压变化(例如，经累积非零偏置)，它可与铁电电容器220
‑
a
‑
1n的电荷状态变化(例如，从电荷状态305
‑
a朝向电荷状态305
‑
e转变)相关联。
162.在一些实例中，泄漏电荷可在502之后继续在第一存储器区段110
‑
b中流动(例如，直到板线215
‑
a和数字线210
‑
a
‑
1的电压在508之后均衡为止、直到板线215
‑
a和数字线210
‑
a
‑
1的电压差等于相应存储器单元105
‑
b的铁电电容器220
‑
a的电容器电压v
cap
为止)。贯穿时序图500的操作，铁电电容器220
‑
a
‑
1n的电压变化可继续由电压δvcap,1n示出。尽管泄漏电荷是参考跨单元选择组件230的泄漏描述的，但是泄漏也可能是邻近存储器单元105的中间节点或单元底部222之间的耦合的结果(例如，由v
bottom,11
和v
bottom,12
之间的差导致的泄漏、由v
bottom,11
和v
bottom,21
之间的差导致的泄漏)。
163.在503处，操作可包含第一存储器区段110
‑
b的字线选择操作。例如，在503处，行组件125
‑
b可将与选定存储器单元105
‑
b
‑
11相关联的字线205
‑
a
‑
1(例如，第一存储器区段110
‑
b的选定字线205
‑
a、第一存储器区段110
‑
b的选定行)从在第一电压(例如，字线空闲或待机电压v1)下偏置变成在第二电压(例如，单元存取字线电压v2)下偏置。换句话说，503的操作可以与启动或选择(例如，第一存储器区段110
‑
b的)字线205
‑
a
‑
1相关联，这可包含引起或发起施加到字线205
‑
a
‑
1的偏置(例如，v
wl,11
)的转变。在一些实例中，503的操作可伴随着确定存取存储器区段110
‑
b的存储器单元105
‑
b
‑
11(例如，由存储器控制器170
‑
b进行的确定)或以其它方式识别用于执行存取操作的存储器单元105
‑
b
‑
11。在一些实例中，503的操作可以与选择性地耦合铁电电容器220
‑
a
‑
11与数字线210
‑
a
‑
1相关联。在一些实例中，503的操作可以称为选择存储器单元105
‑
b
‑
11。
164.因为字线205
‑
a
‑
1与单元选择组件230
‑
a
‑
11耦合，所以可以因503的操作而启动单元选择组件230
‑
a
‑
11。换句话说，由于503的操作，电容器220
‑
a
‑
11可以选择性地与数字线210
‑
a
‑
1耦合。因此，电荷可基于存储器单元105
‑
b
‑
11所存储的逻辑状态(例如，基于电容器220
‑
a
‑
11的极化状态)而在存储器单元105
‑
b
‑
11和数字线210
‑
a
‑
1之间流动。因此，在时序图500的实例中，数字线210
‑
a
‑
1的电压(例如，v
dl,1
)可在与数字线210
‑
a
‑
1共享电荷时上升。在一些实例中(例如，当第一存储器区段110
‑
b与感测组件150
‑
b耦合时)，感测放大器290
‑
a
‑
1处的信号电压(例如，v
sig,1
)也可上升，并且在503之后可以等于v
dl,1
。因此，503的操作可以是通过使行组件125
‑
b(例如，行解码器)启动字线205
‑
a
‑
1来对选定存储器单元105
‑
b
‑
11执行存取操作的实例。在一些实例中，503的操作还可与对一行存储器单元105中的其它存储器单元105(例如，存储器单元105
‑
b
‑
21到105
‑
b
‑
m1)执行存取操作相关联。
165.在504处，操作可包含向感测组件150
‑
b提供参考电压。例如，在504处，参考组件285
‑
a可耦合第一存储器区段110
‑
b的参考线265
‑
a与提供参考电压的电压源。在一些情况下，参考电压可被选定为在读取存储逻辑0的存储器单元105
‑
b时产生的信号电压(例如，读取逻辑0时的v
sig
)和在读取存储逻辑1的存储器单元105
‑
b时产生的信号电压(例如，读取逻辑1时的v
sig
)之间的值(例如，平均值)。在一些实例中，在504处，存取操作可包含参考组件285
‑
a在耦合参考线265
‑
a与提供参考电压的电压源之前解耦参考线265
‑
a与接地电压源。因此，在504处，参考线265
‑
a的电压(例如，v
rl,1
)可从504之前的电压(例如，空闲或待机参考线电压)增加。在一些实例中，感测放大器290
‑
a
‑
1处的参考电压(例如，v
ref,1
)也可上升，并且在504之后可以等于v
rl,1
。在支持自参考读取操作(未示出)的存取方案的其它实例中，在504处所示的操作可以替代为使用存储器单元105
‑
b
‑
11(例如，使用选定存储器单元105
‑
b)产生参考信号的一或多个操作。
166.在505处，操作可包含锁存检测存储器单元105
‑
b
‑
11所存储的逻辑状态的结果。例如，在505处，感测放大器290
‑
a可以启动(例如，通过启动到感测组件150
‑
b的逻辑信号)，它可耦合感测放大器290
‑
a
‑
1与高感测放大器电压源(例如，处于电压v
h
下的电压源)，并且可耦合感测放大器290
‑
a
‑
1与低感测放大器电压源(例如，处于电压v
l
下的电压源)。在一些实例中，505处的操作可包含隔离(例如，解耦)感测放大器290
‑
a与第一存储器区段110
‑
b(例如，通过撤销启动感测放大器290
‑
a和第一存储器区段110
‑
b之间的开关组件)，这可隔离感测放大器290
‑
a
‑
1的信号节点291与存储器单元105
‑
b
‑
11。在一些实例中，505处的操作可包含隔离(例如，解耦)感测放大器290
‑
a与参考组件285
‑
a(例如，通过撤销启动感测放大器290
‑
a和参考组件285
‑
a之间的开关组件)，这可隔离感测放大器290
‑
a
‑
1的参考节点292与参考组件285
‑
a。在一些实例中，隔离感测放大器290
‑
a与第一存储器区段110
‑
b或参考组件285
‑
b或它们两者可在启动感测放大器290
‑
a之前执行。
167.在时序图500的实例中，其中在505处，v
sig,1
大于v
ref,1
，由于505的操作，v
sig,1
可上升到电压v
h
且v
ref,1
可下降到电压v
l
。v
sig,1
或v
ref,1
(例如，v
h
或v
l
)的电压可以(例如，向列组件135、向输入/输出组件160、向存储器控制器170
‑
b)提供作为感测组件150
‑
b的输出。在一些实例中，501到505的操作中的任何一或多个可以称为读取操作。
168.在506处，操作可包含耦合感测放大器290
‑
a
‑
1与第一存储器区段110
‑
b。例如，在506处，操作可包含启动感测放大器290
‑
a
‑
1和第一存储器区段110
‑
b之间的开关组件，这可耦合感测放大器290
‑
a
‑
1的信号节点291与存储器单元105
‑
b
‑
11。因此，数字线210
‑
a
‑
1的电
压(例如，v
dl,11
)可上升到高感测放大器电压源的电压(例如，v
h
)，此电压在一些实例中还可以是板线高电压源(例如，在502处启动)的电压。
169.在507处，操作可包含降低第一存储器区段110
‑
b的板线215
‑
a的电压。例如，在507处，板组件145
‑
b可耦合板线215
‑
a与具有相对较低电压(例如，板线低电压、接地电压、虚拟接地电压)的电压源。在一些实例中，在507处，板组件145
‑
b可在耦合板线215
‑
a与具有相对较低电压的电压源之前解耦板线215
‑
a与具有相对较高电压的电压源。因此，在507处，板线电压可从507之前的电压降低(例如，返回到空闲或待机板线电压)。
170.在一些实例中，506或507中的一个或两个的操作可以称为重写操作或以其它方式包含在存储器单元105
‑
b
‑
11的重写操作中。例如，在507处，跨铁电电容器220
‑
a
‑
11施加的电压(例如，v
cap
)可等于第一存储器区段110
‑
b的数字线210
‑
a
‑
1的电压(例如，v
dl,11
)和板线215
‑
a的电压(例如，v
pl,1
)之间的差。在一些实例中，跨铁电电容器220
‑
a
‑
11施加的电压可对应于参考图3所描述的电压315，它可对应于正饱和电压。换句话说，506和507中的一个或两个的操作可以与利用逻辑1状态重写存储器单元105
‑
b
‑
11(例如，将存储器单元105
‑
b
‑
11返回到在时序图500的操作之前存储的逻辑状态)相关联。因此，在507的操作之后，铁电电容器220
‑
a
‑
11可以是正饱和的。在其它实例中，501到507中的任何一或多个的操作，包含重写操作，可以称为单个存取操作(例如，“读取加重写”操作)。在一些实例中，506或507中的一个或两个的操作可与读取操作分开执行，并且可替代地称为“写入”操作。
171.在一些实例中，507的操作还可与将泄漏电荷驱动到未选定存储器单元105之中相关联。例如，由于第一存储器区段110
‑
b的数字线210
‑
a
‑
1和板线215
‑
a的电压差(例如，v
dl,11
‑
v
pl,1
)，泄漏电荷可流过(例如，第一存储器区段110
‑
b的一列存储器单元105
‑
b中的)存储器单元105
‑
b
‑
12到105
‑
b
‑
1n的单元选择组件230
‑
a
‑
12到230
‑
a
‑
1n中的一或多个。因此，泄漏电荷可流入电容器220
‑
a
‑
12到220
‑
a
‑
1n中的一或多个中，这可更改第一存储器区段110
‑
b的未选定存储器单元105
‑
b
‑
12到105
‑
b
‑
1n中的一或多个所存储的逻辑状态。
172.在一些实例中，与507的操作相关联的泄漏电荷的流动方向可同与502的操作相关联的泄漏电荷的流动相反。换句话说，相比于参考图3所描述的电荷状态305
‑
e，507的操作可使未选定存储器单元(例如，存储器单元105
‑
b
‑
12到105
‑
b
‑
1n中的一或多个)的铁电电容器220
‑
1朝向电荷状态305
‑
f移动。在一些实例中，泄漏电荷或偏置可在507之后继续累积(例如，直到板线215
‑
a和数字线210
‑
a
‑
1的电压在508之后均衡为止、直到第一存储器区段110
‑
b的板线215
‑
a和数字线210
‑
a
‑
1的电压差等于相应存储器单元105
‑
b的电容器电压v
cap
为止)。
173.在508处，操作可包含均衡感测放大器290
‑
a的输入节点。例如，在508处，操作可包含启动感测放大器290
‑
a和相应均衡电压源之间的开关组件，这可选择性地耦合感测放大器290
‑
a与相应的均衡电压源。在一些实例中，508处的操作可包含撤销启动感测组件150
‑
a(例如，在均衡感测放大器290
‑
a的输入节点之前撤销启动感测放大器290
‑
a)。例如，在508处撤销启动感测组件150
‑
b可包含解耦感测放大器290
‑
a与高感测放大器电压源(例如，处于电压v
h
下的电压源)并解耦感测放大器290
‑
a与低感测放大器电压源(例如，处于电压v
l
下的电压源)。因此，在508处，感测放大器290
‑
a的信号电压v
sig
和参考电压v
ref
可以在零伏下偏置。在一些实例中(例如，当感测组件150
‑
b与第一存储器区段110
‑
b耦合时)，每一个数字线210
‑
a由于508的操作也可在零伏下偏置。
174.在一些实例中，508处的操作可包含耦合感测放大器290
‑
a与参考组件285
‑
a。例如，508处的操作可包含启动感测放大器290
‑
a和参考组件285
‑
a之间的开关组件，这可选择性地耦合感测放大器290
‑
a的参考节点292与参考组件285
‑
a。在一些实例中，参考组件285
‑
a可在耦合感测放大器290
‑
a与参考组件285
‑
a之前或之后耦合参考线265
‑
a与接地电压源。
175.在509处，操作可包含撤销启动选定字线205
‑
a
‑
1。例如，在509处，行组件125
‑
b可将选定字线205
‑
a
‑
1从在第二电压(例如，单元存取字线电压v2)下偏置变成在第一电压(例如，字线空闲或待机电压v1)下偏置。在一些实例中，509的操作可以与选择性地解耦铁电电容器220
‑
a
‑
11与相应数字线210
‑
a
‑
1相关联。
176.尽管示出为发生在不同时间的独立操作，但某些操作可同时、并行或以不同次序发生。
177.在一些实例中，各种操作可以有利地同时发起，以减少感测存储器单元105
‑
b的逻辑状态的时间量。例如，在502处升高板线215
‑
a的电压、在503处启动字线205
‑
a
‑
1或在504处向感测组件150
‑
a提供参考电压中的任何两个或更多个可以不同的相对次序进行、在重叠的持续时间期间进行，或同时进行。
178.另外或替代地，隔离感测放大器290
‑
a
‑
1与第一存储器区段110
‑
b及隔离感测放大器290
‑
a与参考组件285
‑
a可以不同次序进行、在重叠的持续时间期间进行或同时进行。另外或替代地，耦合感测放大器290
‑
a
‑
1与第一存储器区段110
‑
b及在507处降低板线215
‑
a的电压可以不同次序进行、在重叠的持续时间期间进行或同时进行。另外或替代地，均衡感测放大器290
‑
a的输入节点、耦合感测放大器290
‑
a与参考组件285
‑
a或在509处撤销选择字线205
‑
a
‑
1中的任何两个或更多个可以不同的相对次序进行、在重叠的持续时间期间进行或同时进行。
179.如由509之后未选定存储器单元105
‑
b的单元底部电压(例如，v
bottom,1n
)所示，未选定存储器单元105
‑
a(例如，存储器单元105
‑
b
‑
12到105
‑
b
‑
1n中的一或多个、其它列的其它存储器单元105)的单元选择组件230
‑
a可以撤销启动，但是泄漏电荷在与选定存储器单元105
‑
b
‑
11相关联的存取操作期间(例如，在501到509中的任何一或多个的操作期间)仍可流动通过相应的撤销启动的单元选择组件230
‑
a。在铁电存储器单元105
‑
b的实例中，泄漏电荷或偏置可在未选定存储器单元105
‑
b的铁电电容器220
‑
a处累积，这可更改铁电电容器220
‑
a的极化(例如，如由509之后δv
cap,1n
的非零值所示)。
180.例如，当未选定存储器单元105
‑
b
‑
1n的铁电电容器220
‑
a
‑
1n处于电荷状态305
‑
a(例如，存储逻辑1)时，与选定存储器单元105
‑
b
‑
11上的存取操作相关联的泄漏电荷或偏置可使未选定存储器单元105
‑
b
‑
1n的电荷状态遵循参考图3所描述的路径360的至少一部分。在一些实例中，选定存储器单元105
‑
b
‑
11上的第一存取操作(例如，501到509的操作中的一或多个)可使存储器单元105
‑
b
‑
1n的铁电电容器220
‑
a
‑
1n接近或到达参考图3所描述的电荷状态305
‑
e，这可对应于电压δv
cap,1n
的电平。
181.在未选定存储器单元105
‑
b
‑
1n保持未被选定用于第一存储器区段110
‑
b的其它选定存储器单元105
‑
b的后续存取操作(例如，在509的操作之后，未示出)的情况下，存储器单元105
‑
b
‑
1n的电荷状态可在泄漏电荷或偏置继续累积时继续沿着路径360，例如直到到达参考图3所描述的电荷状态305
‑
c为止(例如，累积较大的δv
cap
)。电荷状态305
‑
c可示出显著极化损失，这可示出由此类经累积泄漏电荷或偏置导致的存储器单元105
‑
b
‑
1n处的数据
损失。在说明性实例中，对于每150纳秒执行一次存取操作的存储器装置100而言，100微秒可等同于大约667次存取操作。
182.在一些实例中，跨连续存取操作累积的泄漏在数十或数百微秒的时间周期内可约为数百毫伏，这取决于电路400的泄漏特征。但是，操作可在选定存储器单元105
‑
b上的存取操作之后(例如，在501到509中的一或多个的操作之后)执行以促进或以其它方式支持来自未选定存储器单元105
‑
b的泄漏电荷或偏置的消散，这可减少或消除原本会因泄漏电荷或偏置的累积而产生的数据损失。
183.例如，在510处，操作可包含启动第一存储器区段110
‑
b的字线205
‑
a
‑
1到205
‑
a
‑
n中的每一个(例如，用于电压调整操作)。例如，在510处，行组件125
‑
b可将字线205
‑
a中的每一个从在第一电压(例如，字线空闲或待机电压v1)下偏置变成在第三电压(例如，单元均衡或消散字线电压v3)下偏置。在一些实例中，510的操作可以与选择性地耦合铁电电容器220
‑
a中的每一个与相应数字线210
‑
a(例如，利用量值相对较低的选择电压)相关联。
184.在一些实例中，数字线210
‑
a和板线215
‑
a中的每一个可以在相同电压(例如，接地电压)下偏置。因此，由于510的操作，铁电电容器220
‑
a中的每一个可以均衡(例如，因为相应单元选择组件230
‑
a已由字线空闲或待机电压启动)。因此，510的操作可以是通过使行组件125
‑
b(例如，行解码器)启动字线205
‑
a中的一或多个来对存储器单元105
‑
b
‑
11到105
‑
b
‑
mn中的一或多个执行电压调整操作的实例(例如，消散存储器单元105
‑
b上的任何经累积泄漏电荷或偏置)。因此，在510的操作之后，铁电电容器220
‑
a中的每一个可以返回到均衡状态(例如，具有相应的电容器电压v
cap
＝0v)。
185.在511处，操作可包含使字线205
‑
a
‑
1到205
‑
a
‑
n中的每一个空闲。例如，在511处，行组件125
‑
b可将字线205
‑
a中的每一个从在第三电压(例如，单元均衡或消散字线电压v3)下偏置变成在第一电压(例如，字线空闲或待机电压v1)下偏置。在一些实例中，511的操作可以与选择性地解耦铁电电容器220
‑
a中的每一个与相应数字线210
‑
a(例如，利用量值相对较低的选择电压)相关联。在一些实例中，510和511的操作可以统称为电压调整操作。
186.如由511之后存储器单元105
‑
b的单元底部电压所示，经累积泄漏电荷或偏置(例如，在未选定存储器单元105
‑
b
‑
1n处)可以消散(例如，如由时序图500末尾处的δv
cap,1
‑
n
的零值所示)。因此，如时序图500的实例所示，操作在选定存储器单元105上的存取操作(例如，操作501到509中的任何一或多个)之后可执行，以促进或以其它方式支持来自未选定存储器单元105的泄漏电荷的消散，这可减少或消除原本会因泄漏电荷或偏置的累积而产生的数据损失。
187.时序图500中所示的操作次序仅用于说明，并且可以根据本公开执行各种其它步骤次序和步骤组合。此外，时序图500中操作的时序也仅用于说明目的，并不意味着指示一个操作和另一操作之间的特定相对持续时间。各种操作可在持续时间或时间间隔内进行，所述持续时间或时间间隔相对短于或相对长于根据本公开的存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案的各种实施例中所示的。
188.时序图500的逻辑信号的转变是从一个状态到另一状态的转变的说明，并且通常反映与特定编号操作相关联的停用或撤销启动状态(例如，状态“0”)与启用或启动状态(例如，状态“1”)之间的转变。在一些实例中，这些状态可以与逻辑信号的特定电压(例如，施加到用作开关的晶体管的栅极的逻辑输入电压)相关联，并且电压从一种状态到另一种状态
的变化可能不是瞬时的。相反，在一些实例中，与逻辑信号相关联的电压可以随时间从一个逻辑状态到另一逻辑状态遵循斜坡行为或时间常数(例如，对数或指数)行为。
189.在一些实例中，组件从一个状态到另一状态的转变可基于相关联逻辑信号的特征，包含逻辑信号的电压电平或逻辑信号本身的转变特征。因此，时序图500中示出的转变不一定指示瞬时转变。此外，在仍支持所述转变和相关联操作的同时，可在经编号操作之前的各个时间期间已到达与经编号操作处的转变相关联的逻辑信号的初始状态。虽然逻辑信号被描述为逻辑状态之间的转变，但可选择逻辑信号的电压以使组件在特定工作点处(例如，在作用区中或在饱和区中)操作，且可与其它逻辑信号的电压相同或不同。
190.行组件125可以各种方式配置以支持时序图500的操作。例如，行组件125可以设计成使得在存取操作期间向字线205中的选定字线施加正选择电压可以伴随着在存取操作期间向未选定字线205中的每一个施加负撤销选择电压(例如，不管在施加选择或撤销选择电压之前有没有施加中间接地电压)。在另一实例中，行组件125可以设计成使得在存取操作期间向字线205中的选定字线施加正选择电压可以伴随着在存取操作期间向未选定字线205中的每一个施加接地或0v撤销选择电压。在另一实例中，行组件125可以设计成在存取操作期间向字线205中的单个选定字线施加正选择电压，而不用在存取操作期间向未选定字线205中的每一个施加撤销选择电压。在一些实例中，行组件可以分开向字线205中的每一个施加选择或其它启动电压，以对字线205中的每一个执行电压调整操作。
191.尽管所描述的用于均衡或消散经累积电荷或偏置的操作(例如，510和511的操作)在时序图500中示出为在特定存取操作之后(例如，基于执行至少一个存取操作)进行，但是根据本公开的实例的存储器装置可基于一组存储器区段110(例如，存储器装置100的一组存储器区段110、存储器装置100的一组存储体中的一个中的一组存储器区段110)的存取历史针对每一区段执行此类操作(例如，电压调整操作)。通过根据存储器区段存取历史为此类操作选择特定存储器区段110，存储器装置100的操作可以比例如在不考虑一组存储器区段110的存取历史的情况下执行此类操作更有效。
192.图6a和6b示出根据本公开的各种实施例的流程图，其示出了可支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案的方法600
‑
a和方法600
‑
b。方法600
‑
a和600
‑
b的操作可根据参考图1到5描述的方法和设备执行。在一些实例中，方法600
‑
a或600
‑
b的操作可由存储器装置100、电路200或电路400中所示的一或多个组件实施。例如，方法600
‑
a或600
‑
b的操作可至少部分地由存储器控制器170、一或多个行组件125、存储器装置100的其它组件或其各种组合执行，如参考图1到5所描述。在一些实例中，存储器装置100或其一或多个子组件(例如，存储器控制器170)可执行一组指令以控制装置的功能元件(例如，电压供应、逻辑信号、晶体管、放大器、开关组件、选择组件)执行下文描述的功能。另外或替代地，存储器装置100或其一或多个子组件可使用专用硬件执行下文描述的一些或全部功能。在一些实例中，方法600
‑
a或方法600
‑
b可由具有包含铁电电容器220的存储器单元105的存储器装置100执行。方法600
‑
a或方法600
‑
b可以称为实施仅字线刷新(wor)。
193.方法600
‑
a可以是根据本公开的实例的执行电压调整操作(例如，消散操作、均衡操作)的实例。
194.在605处，方法600
‑
a可包含确定对存储器装置100的多个存储器区段110中的每一个执行的存取操作数量。例如，一或多个存储器控制器170可具有针对一组存储器区段110
中的每一个跟踪对相应存储器区段110执行的存取操作数目的存储组件。在一个实例中，每个存储器区段110可以与11位计数器相关联，所述计数器可对溢出或锁存到最大值之前的存取操作数目进行计数(例如，高达2048个存取操作)。如本文中所使用，一组存储器区段110可以指存储器装置100的所有存储器区段110、存储器装置100的存储器区段110的特定子集中的所有存储器区段110、存储器装置100的一堆特定存储器区段110中的所有存储器区段110或其它组的存储器区段110(例如，可支持执行方法600
‑
a或600
‑
b的单独实例的各组存储器区段110)。
195.在各种实例中，在605处确定存取操作数量可包含累积每一个存储器区段110的某些类型的存取操作(例如，只读取操作、只写入操作、只写入和重写操作、只预充电操作)的计数，或者可包含累积一组存取操作中的任一个(例如，读取操作、写入操作、重写操作或预充电操作或其组合中的任一个)的计数。每个存储器区段110的经累积计数可开始于值零(例如，在对存储器装置100供电后、当初始化存储器装置100时)，并且可以在每次对相应存储器区段110执行存取操作时递增到更高值(例如，下一个更大的整数)。
196.在一些实例中，存取操作计数可以累积并存储于存储器装置的第一存储器控制器170(例如，共同存储器控制器170、共享存储器控制器170)处，并变得可用于一或多个其它存储器控制器170(例如，经由存储器控制器170之间的总线)。在一些实例中，在605处确定存取操作数量可包含第二存储器控制器170(例如，负责执行基于活动的电压调整操作的存储器控制器170)接收对第一存储器控制器170中的一组存储器区段110中的每一个(例如，经由总线)或一组存储器控制器170执行的存取操作数量(例如，其中存储器控制器170维持单个存储器区段110的存取操作计数)。
197.在610处，方法600
‑
a可包含基于所确定的对每一个存储器区段110执行的存取操作数量来为电压调整操作(例如，均衡操作、消散操作)选择区段中的一个(例如，存储器装置100的存储器区段110中的一个)。例如，参考电路400的组件，在610处，存储器控制器170
‑
b可基于哪一存储器区段110是存取最频繁的(例如，与存取操作的递增计数器的最高值相关联的存储器区段110、自相应存储器区段110上的先前电压调整操作以来存取最频繁的存储器区段110)来确定对第一存储器区段110
‑
b或第二存储器区段110
‑
c执行(例如，包含电路400的存储器装置100的)电压调整操作。
198.在一些实例中，610的操作可基于定时器、计数器或周期性或非周期性间隔的某一其它确定或指示，或由其触发。例如，存储器控制器170可包含存储器装置100的定时器。在一些实例中，定时器可专用于电压调整操作。在其它实例中，定时器可以指存储器控制器170的通用时钟或定时器、存储器装置100的某一其它组件的通用时钟或定时器或包含存储器装置100的装置的定时器或时钟(例如，包含存储器装置的计算机的处理器时钟)。在一些实例中，存储器控制器170可经由存储器装置100的总线与通用定时器或时钟建立连接，或以其它方式接收或识别与通用定时器或时钟相关联的信号，例如接收定时器或时钟信息或通用时钟的循环。在各种实例中，定时器可以秒为单位、以时钟循环为单位或以任何其它时间单位对时间计数。在一些实例中，定时器可以称为计数器，并且可用于大体上跟踪周期性间隔。
199.在一些实例中，610的操作可基于不同类型的计数器，例如跟踪对存储器装置100或存储器装置100的存储体执行的存取操作总数的计数器，或由其触发。此类计数器可累积
由存储器装置(例如，对存储器装置的所有存储器区段110、存储器装置的存储器区段110的特定子集中的所有存储器区段110)执行的任何存取操作的计数，或此类计数器可累积某些类型的存取操作(例如，只读取操作、只写入操作、只写入和重写操作、只预充电操作)的计数。因此，在各种实例中，方法600
‑
a可根据时间间隔或非时间电压调整间隔来执行。
200.在一些实例中，触发610的操作的定时器或计数器的值可以表示或基于自存储器装置100通电以来(例如，当确定第一电压调整操作时、在对存储器装置100供电之后)的持续时间或其它间隔。另外或替代地，触发610的操作的定时器或计数器的值可以表示或基于自(例如，对存储器装置100中的任一个存储器区段110、对一堆存储器区段110中的另一存储器区段110)执行先前电压调整操作以来的持续时间或其它间隔。此类定时器的持续时间可以是固定的(例如，预先确定的、预先配置的、静态的)，或者此类定时器的持续时间可以是可变的(例如，动态的、基于操作条件计算的、基于操作模式或操作状态确定的)。
201.在一些实例中，610处的操作可包含确定基于对存储器装置执行的存取操作总数(例如，自执行先前电压调整操作以来)为电压调整操作选择存储器区段110中的一个。换句话说，在一些实例中，610的区段选择操作可基于所确定的存储器装置100的存取操作数量(例如，跨存储器装置100的所有存储器区段110的特定类型的存取操作的数量、跨存储器装置100的所有存储器区段110的一组特定存取操作类型的数量)或由其触发，例如在存储器装置100的每十个存取操作、存储器装置100的每一百个存取操作、存储器装置100的每一千个存取操作等等之后。
202.在各种实例中，基于所确定的存储器装置100的存取操作数量触发610的操作可以替代基于与定时器相关联的周期性间隔的触发，或者可以与基于与定时器相关联的周期性间隔的触发组合。例如，610处的操作可包含确定基于自先前电压调整操作以来经过的持续时间或自先前电压调整操作以来由存储器装置100执行的存取操作总数超过阈值中的更早者为电压调整操作选择存储器区段110。610处的操作可以称为或者可包含确定为执行电压调整操作、消散操作或均衡操作选择存储器区段110(例如，基于定时器的值、基于计数器的值、基于对存储器装置100的所有存储器区段110执行的存取操作数目、基于对存储器装置100的存储体中的所有存储器区段110执行的存取操作数目)。
203.在一些实例中，触发610的操作的定时器或计数器(例如，电压调整间隔、电压调整操作之间的持续时间)的值可基于存储器装置100的操作模式，其中一些操作模式可以与电压调整操作之间的不同于其它操作模式(例如，更短或更长)的持续时间相关联。在各种实例中电压调整操作之间的间隔可以基于一或多个操作条件来选择或计算，例如存取速率、电压状态、逻辑状态、操作温度、功率消耗或其它，或其某一组合。
204.例如，在相对多数的存取操作在给定时间量中由存储器装置100或存储器装置的存储体执行的高速存取模式中，与所述电压调整操作相关联的所确定的定时器或计数器(例如，电压调整操作间隔)的值可以缩短(例如，动态地、响应于操作模式的可能性)，以缓解由可能的泄漏电荷或偏置造成的数据损失。在可与相对较少的存取操作在给定时间量中由存储器装置100执行相关联的低功率存取模式中，电压调整操作之间的间隔可以延长(例如，动态地、响应于操作模式的可能性)，以减小功率消耗(例如，与启动字线205或跨存储器单元105均衡偏置相关联的功率消耗)。
205.在另一实例中，存储器装置100可检测其中存储器单元105可对泄漏电荷或偏置更
敏感的状况。此类状况可包含其中未选定单元选择组件230可准许更多泄漏的状况、其中跨未选定存储器单元105的偏置可能较高的状况、其中存储器单元105的存储器存储元件可能更易受极化损失影响的状况，等等。存储器装置100可相应地在与对泄漏电荷或偏置的经升高敏感度相关联的模式中操作。在此类模式中，存储器装置100可使用缩短的电压调整间隔来触发610的操作，以缓解由可能的泄漏电荷或偏置造成的数据损失。
206.根据本公开的各种实例，对存取最频繁的存储器区段110的选择可配置成容纳从包含在存储器装置100中的多个存储器区段110中进行的选择或从包含在存储器装置100的经限定部分(例如，存储器装置100的存储体、存储器装置的存储器区段110的子集)中的数个存储器区段110中进行的选择。根据此类选择的电压调整操作之间的间隔可以设置或限定成使得对相应存储器区段110执行的电压调整操作快到足以处理特定存储器区段110上的存取操作重突发，即使在存储器装置100的恶意攻击中经历的状况下也是如此。
207.在一个实例中，存储器装置100(例如，存储器装置100的存储体)可包含32个存储器区段110，并且存储器装置可每n个(例如，存储器装置100的存储体上的)存取操作执行一次电压调整操作。在与泄漏电荷或偏置累积(例如，由于恶意攻击)有关的最坏情况分析中，在特定状况(例如，时间点)下，这32个存储器区段110中的每一个可以被视为自相应存储器区段110上的先前电压调整操作以来已经通过n
‑
1个存取操作存取。换句话说，因为每次存储器区段110的计数器清零(例如，在存储器区段110上的电压调整操作之后)时，在下一电压调整操作之前存在n个另外存取，所以可以使用高达n
‑
1个存取操作来恢复清零的计数器，并且再多一个存取操作可使计数器中的另一个被选定用于电压调整操作(例如，存取最频繁的存储器区段110)，随后重置。
208.从其中这32个存储器区段110中的每一个具有计数值n
‑
1的特定时间点开始，具有经执行电压调整操作的存储器区段110可以舍弃(例如，将其丢弃到最坏情况分析之外)，并且存储器区段110上的后续一组n个存取操作可以在尚未调整(例如，在下一电压调整操作之前)的存储器区段110之间划分。此类操作可一直继续到所述32个存储器区段110中的最后一个被选定用于电压调整操作为止。在这种状况下，存储器区段110中的最后一个自最后一个存储器区段110上的最后一个电压调整操作以来所累积的存取操作数目等于(n
‑
1) (n/31) (n/30)
……
(n/2) (n/1)的总和。换句话说，在基于活动的电压调整方法的所述实例的最差情况分析中，存储器区段110可在执行电压调整操作之前在32个电压调整间隔内进行大致5*n个存取操作。
209.因此，基于活动的电压调整操作的所述操作可比以特定次序(例如，不基于存取操作历史的存储器区段110的预定义次序)循环通过存储器区段110的有序选择有效得多。例如，对于具有32个存储器区段110的相同存储器装置100，最差情况分析可能需要考虑其中选择特定存储器区段110用于电压调整操作的实例之间的相同存储器区段110的连续存取。换句话说，特定存储器区段可在32个电压调整间隔内进行大致32*n个存取操作，这大大超过了在使用基于活动的方法为电压调整操作选择存储器区段时的5*n个存取操作。因此，用于电压调整操作的存储器区段110的所述基于活动的选择可针对给定电压调整间隔(例如，电压调整操作之间的持续时间或其它周期)在电压调整操作之间在存储器区段110中累积更少的存取操作，或者可以在电压调整操作之间使用更长电压调整间隔来容纳特定存储器区段110上的最大数目的存取操作。
210.在一些实例中，对存取最频繁的存储器区段110的选择可以应用于存储器装置100的存储器区段110的不同子集，这可包含第一存储器控制器170根据从存储器区段110的第一子集(例如，第一存储体)中进行的选择执行电压调整操作的方面，及第二存储器控制器170根据从存储器区段110的第二子集(例如，第二存储体)中进行的选择执行电压调整操作的方面。在一些实例中，根据从存储器区段110的不同子集中进行的选择执行电压调整操作的方面可由同一存储器控制器170(例如，跨多个存储体共享的存储器控制器170)执行。
211.在615处，方法600
‑
a可包含对选定区段(例如，存取最频繁的存储器区段110)执行电压调整操作(例如，均衡操作、消散操作)。例如，在615处，存储器装置100可执行参考图5的时序图500和图4的电路400描述的510和511的操作的各方面。(例如，选择或启动选定存储器区段110的字线、跨存储器区段110的存储器单元105均衡偏置)。换句话说，在一些实例中，参考方法600
‑
a描述的610的操作(例如，为电压调整操作选择存储器区段110)可在参考时序图500描述的509和510的操作之间(例如，在对存储器区段110的存储器单元105执行一或多个存取操作之后、在执行电压调整操作之前)进行。因此，在一些实例中，610的操作可以指执行时序图500的509和510的操作的决策或触发。
212.在一些实例中，在615处执行电压调整操作可包含启动所述多个字线205中的每一个或选定存储器区段110中的每一个单元选择组件230。在一些实例中，电压调整操作可包含存储器控制器(例如，存储器控制器170)启动与选定存储器区段110的存储器单元105中的相应者相关联的开关组件(例如，单元选择组件230)以耦合选定存储器区段110中的每一个存储器单元105的存储元件(例如，电容器220)与选定存储器区段110的存取线(例如，数字线210)。
213.在一些实例中，在615处启动字线205或单元选择组件230包含施加具有小于与存取操作相关联的选择偏置的量值的选择偏置(例如，经由字线205)。例如，如读取或写入操作的存取操作可以与量值相对较高的字线电压或单元选择电压(例如，第二电压v2、vccp、3.1v)相关联。相比而言，在615处为电压调整操作启动字线205或单元选择组件230可以与量值相对较低的字线电压或单元选择电压(例如，第三电压v3、vpwl、vperi、1.0v到1.2v)相关联。因此，615的电压调整操作可包含施加具有小于与存取操作相关联的选择电压的量值的选择电压。
214.在一些实例中，615处的操作可以与通过跨选定存储器区段110中的每一个存储器单元105的存储元件(例如，电容器220)均衡偏置或电压来对选定存储器区段110执行均衡操作相关联。执行均衡操作可包含通过启动与选定存储器区段110的存储器单元105中的相应者相关联的单元选择组件230选择性地耦合选定存储器区段110中的每一个存储器单元105与选定存储器区段110的存取线(例如，数字线210)。
215.在一些实例中，跨存储器单元105中的相应一个均衡偏置可包含将与相应存储器单元105耦合的数字线210偏置到接地电压并将与相应存储器单元105耦合的共同节点(例如，板线215、板组件145)偏置到接地电压。在一些实例中，跨存储器单元105中的相应一个均衡偏置可包含将与相应存储器单元105耦合的数字线210偏置到非零电压并将与相应存储器单元105耦合的共同节点(例如，板线215、板组件145)偏置到非零电压。在一些实例中，跨存储器单元105中的相应一个均衡偏置可包含将与相应存储器单元105耦合的数字线210和与相应存储器单元105耦合的共同节点(例如，板线215、板组件145)耦合到同一电压源
(例如，底盘接地、接地电压源、均衡电压源)。
216.参考图5的时序图500描述的510和511的操作可示出电压调整操作的实例，其中第一存储器区段110
‑
b中的每一个字线205
‑
a同时启动(例如，在510处)并同时撤销启动(例如，在511处)。但是，在其它实例中，在存储器区段110的电压调整操作中启动或撤销启动字线205可以不同次序或布置进行。例如，各种电压调整操作可包含并行或同时启动或撤销启动选定存储器区段110中的每一个字线205或单元选择组件230，或者根据连续字线次序启动或撤销启动选定存储器区段110的一组字线205中的每一个。在另一实例中，电压调整操作可包含在第一时间周期期间启动字线205的第一子集并在不同于第一时间周期的第二时间周期(例如，在不同时间开始、具有不同持续时间、不重叠、重叠)期间启动字线205的第二子集。
217.例如，参考图4的电路400，为了以顺序次序启动第一存储器区段110
‑
b中的每一个字线205
‑
a，启动可包含启动字线205
‑
a
‑
1，接着启动字线205
‑
a
‑
2，以此类推，直到启动字线205
‑
a
‑
n为止。这种连续次序的启动可在重叠(例如，其中字线205
‑
a
‑
2在字线205
‑
a
‑
1的启动完成之前开始启动)或不重叠(例如，其中字线205
‑
a
‑
2在字线205
‑
a
‑
1的启动完成之后开始启动)的时间间隔中进行。为了撤销启动第一存储器区段110
‑
b的所有字线205
‑
a，此类撤销启动也可以顺序次序进行，所述顺序次序可与启动次序相同或不同。类似于上文所论述的启动，这种连续次序的撤销启动也可在重叠(例如，其中字线205
‑
a
‑
2在字线205
‑
a
‑
1的撤销启动完成之前开始撤销启动)或不重叠(例如，其中字线205
‑
a
‑
2在字线205
‑
a
‑
1的撤销启动完成之后开始撤销启动)的时间间隔中进行。
218.在根据本公开的一些实例中，电压调整操作可组合字线205的启动或选择与数字线210的启动或选择。例如，当存储器装置100具有可以利用层级选择组件或列选择组件选定的存储器区段110的数字线210的多个层级或其它子集时，作为电压调整操作的部分，还可选择或启动存储器区段110的数字线210的层级或其它子集。在一些实例中，存储器区段110的数字线210的层级或其它子集可各种根据顺序次序选定或启动，并且可以按照与操作的字线205的启动相同或不同的速率选定或启动(例如，迭代通过这两种速率、在这两种速率之间切换)。
219.在一个实例中，电压调整操作可根据“wl快dl慢”启动配置执行。换句话说，所描述的操作可循环通过相对快速地启动字线205及相对缓慢地启动数字线210或各组数字线210。在一个实例中，电压调整操作可包含启动每一个字线205或第一层级的行(例如，数字线210的子集、列的子集)，接着启动每一个字线205或第二层级的行，以此类推。在其中数字线210的不同子集或列的不同子集共享共同字线的实例中，电压调整操作可包含循环通过在数字线210的第一子集或列的子集启动时启动每一个共同字线205，接着重复循环通过在数字线210的第二子集或列的子集启动时启动每一个共同字线205，以此类推，直到在数字线210的最后一个子集或列的子集启动时启动每一个共同字线205为止。其它实例是可能的，例如根据“dl快wl慢”启动配置执行的电压调整操作。
220.在615的操作之后，方法600
‑
a可返回到610，确定执行后续电压调整操作，及后续的为电压调整操作选择存储器区段110。换句话说，存储器装置100可以迭代方式在610和615的操作之间循环，以贯穿存储器装置100的操作执行电压调整操作。在615的操作之后或者作为615的操作的部分，可以重置电压调整定时器或计数器，使得定时器或计数器可在重
复610的操作之前在新的电压调整间隔内累积时间或计数。换句话说，在执行615的操作之后，返回到610可基于电压调整操作定时器或计数器的值或由其触发。
221.在每次迭代时，选定存储器区段110(例如，已在615处对其执行电压调整操作的存储器区段110)的存取操作计数器可以重置到零，而其它存储器区段110的存取操作计数器可继续累积存取操作计数。换句话说，当在615处对存取最频繁的存储器区段110执行电压调整操作时，另一存储器区段110可变为紧接在615的操作之后存取最频繁的存储器区段。
222.方法600
‑
b可以是根据本公开的实例执行电压调整操作(例如，消散操作、均衡操作)的另一实例。方法600
‑
b示出可以包含在电压调整操作中的变化的实例，并且可包含参考方法600
‑
a描述的电压调整操作的其它变化，下文不再重复这些变化。
223.在655处，方法600
‑
b可包含确定对存储器装置100的多个存储器区段110中的每一个执行的存取操作数量。例如，一或多个存储器控制器170可具有针对一组存储器区段110中的每一个跟踪对相应存储器区段110执行的存取操作数目的存储组件。如本文中所使用，一组存储器区段110可以指存储器装置100的所有存储器区段110、存储器装置100的存储器区段110的特定子集中的所有存储器区段110、存储器装置100的一堆特定存储器区段110中的所有存储器区段110或其它组的存储器区段110(例如，可支持执行方法600
‑
a或600
‑
b的单独实例的各组存储器区段110)。
224.在660处，方法600
‑
b可包含基于所确定的对每一个存储器区段110执行的存取操作数量为均衡操作选择区段中的一个(例如，存储器装置100的存储器区段110中的一个)。例如，参考电路400的组件，在660处，存储器控制器170
‑
b可基于哪一存储器区段110是存取最频繁的(例如，与存取操作的递增计数器的最高值相关联的存储器区段110、自相应存储器区段110上的先前均衡操作以来存取最频繁的存储器区段110)来确定对第一存储器区段110
‑
b或第二存储器区段110
‑
c执行(例如，包含电路400的存储器装置100的)均衡操作。
225.在一些实例中，660的操作可基于定时器、计数器或周期性或非周期性间隔的某一其它确定或指示，或由其触发。在一些实例中，660的操作可基于不同类型的计数器，例如跟踪对存储器装置100或存储器装置100的存储体执行的存取操作总数的计数器，或由其触发。在一些实例中，610处的操作可包含确定基于对存储器装置执行的存取操作总数(例如，自执行先前均衡操作以来)为均衡操作选择存储器区段110中的一个。换句话说，在一些实例中，660的区段选择操作可基于所确定的存储器装置100的存取操作数量或由其触发。
226.在665处，方法600
‑
b可包含对选定区段(例如，存取最频繁的存储器区段110)执行均衡操作。例如，在665处，存储器装置100可执行参考图5的时序图500和图4的电路400描述的510和511的操作的各方面。(例如，选择或启动选定存储器区段110的字线、跨存储器区段110的存储器单元105均衡偏置)。换句话说，在一些实例中，参考方法600
‑
b描述的660的操作(例如，为均衡操作选择存储器区段110)可在参考时序图500描述的509和510的操作之间(例如，在对存储器区段110的存储器单元105执行一或多个存取操作之后、在执行均衡操作之前)进行。因此，在一些实例中，660的操作可以指执行时序图500的509和510的操作的决策或触发。
227.在665的操作之后，方法600
‑
b可返回到660，确定执行后续均衡操作，及后续的为均衡操作选择存储器区段110。换句话说，存储器装置100可以迭代方式在660和665的操作之间循环，以贯穿存储器装置100的操作执行均衡操作。在665的操作之后或者作为665的操
作的部分，可以重置均衡定时器或计数器，使得定时器或计数器可在重复660的操作之前在新的均衡间隔内累积时间或计数。换句话说，在执行665的操作之后，返回到660可基于均衡操作定时器或计数器的值或由其触发。
228.在每次迭代时，选定存储器区段110(例如，已在665处对其执行均衡操作的存储器区段110)的存取操作计数器可以重置到零，而其它存储器区段110的存取操作计数器可继续累积存取操作计数。换句话说，当在665处对存取最频繁的存储器区段110执行均衡操作时，另一存储器区段110可变为紧接在665的操作之后存取最频繁的存储器区段。
229.在一些实例中，存储器装置100可为第一组存储器区段110(例如，存储器装置100的第一存储体)执行方法600
‑
a或600
‑
b的第一实例，同时也为第二组存储器区段110(例如，存储器装置100的第二存储体)执行方法600
‑
a或600
‑
b的第二实例，其中第一和第二实例可根据相同方法或配置或不同方法或配置执行。在此类实例中，不同电压调整循环或间隔的相应电压调整操作的执行可根据相同但交错的电压调整间隔同时进行，使得相应电压调整操作不同时进行，或者根据不同电压调整间隔同时进行。在一些实例中，存储器控制器170可基于选择存取最频繁的存储器区段110来执行第一电压调整循环，以便限制频繁存取的存储器区段的泄漏电荷累积，并根据连续存储器区段次序执行第二电压调整循环，以便在给定最高电压调整间隔中至少一次对相应存储器区段110执行电压调整操作(例如，以设置或限定给定存储器区段110上的电压调整操作之间的最大时间)。
230.在一些实例中，电压调整操作可以调度成以一定间隔(例如，周期性区段选择间隔、非周期性区段选择间隔)进行，但是在正对识别用于电压调整操作的存储器区段110执行存取操作(例如，使用与电压调整操作相关联的字线205进行的一或多个存取操作)时可以取消或撤销。
231.应注意，上文所描述的方法和变化示出了可能实施方案，这些操作和步骤可以重排或以其它方式修改，并且根据本公开，其它实施方案是可能的。此外，所述方法的不同实例可(例如，由同一存储器装置)同时执行、在重叠的时间周期期间执行或在不重叠的时间周期期间执行。在一些实例中，由同一存储器装置执行的所述方法的不同实例可包含执行大体上相同的方法(例如，在不同的存储器区段110上、在不同组的存储器区段110上)或执行大体上不同的方法(例如，在不同的存储器区段110上、在不同组的存储器区段110上)。
232.图7示出根据本公开的各种实施例的可与状态机700有关的状态图750的实例，其中状态图和/或状态机可支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案。状态机700和状态图750可以是支持确定对多个存储器区段110中的每一个执行的存取操作数量及基于所确定的存取操作数量为电压调整操作选择存储器区段110的实例。
233.状态机700可以是存储器控制器170的实例，或者可以包含在存储器控制器170中或由其实施。状态机700可接收信号或指示作为输入(例如，act_pulse、pch_pulse、rfsh_pulse、resetf、sec_add<4:0>)，并传输或以其它方式传送信号或指示作为输出(例如，sec_ref<4:0>)。信号或指示可以从同一存储器控制器170的不同部分接收或从不同存储器控制器170接收。信号或指示可以提供或以其它方式传送到同一存储器控制器170的不同部分或传输到不同存储器控制器170。在一些实例中，状态机700可包含一组计数器或寄存器(例如，区段计数器、用于一组存储器区段110中的每一个的计数器、用于一堆存储器区段110中的每一个的计数器)，所述一组计数器或寄存器跟踪对给定存储器区段110执行的存取操作
数目(例如，自给定存储器区段上的最近电压调整操作以来)。
234.输入信号或指示act_pulse可表示或指示(例如，一组存储器区段110中的、一堆存储器区段110中的)存储器区段110是否正被启动或存取。在一些实例中，输入信号或指示act_pulse可以是一组存储器区段110中的任一个正被存取或一堆特定存储器区段110正被存取的一般信号或指示(例如，存储体范围或存储体特定的信号或指示)。
235.输入信号或指示pch_pulse可表示或指示(例如，一组存储器区段110中的、一堆存储器区段110中的)存储器区段110正被预充电(例如，板线215或共同板正升高、存储器区段110的另一存取线正被偏置)。在一些实例中输入信号或指示pch_pulse可以是一组存储器区段110中的任一个正被预充电或一堆特定存储器区段110正被预充电的一般信号或指示(例如，存储体范围或存储体特定的信号或指示)。
236.输入信号或指示rfsh_pulse可表示或指示将(例如，对一组存储器区段中的存储器区段110、一堆存储器区段110中的存储器区段110)执行电压调整操作(例如，消散操作、均衡操作)。在一些实例中，输入信号或指示rfsh_pulse可基于电压调整间隔(例如，周期性间隔、所确定的定时器的持续时间、所确定的跨一组存储器区段110的存取操作总量)或由其触发。
237.输入信号或指示resetf可表示或指示将重置状态机700。例如，输入信号resetf可指示将重置与对各种存储器区段110执行的存取操作数目相关联的计数器或寄存器。
238.输入信号或指示sec_add<4:0>可表示或指示与经执行存取操作(例如，伴随信号或指示act_pulse、指示与关于输入信号或指示act_pulse的存取操作相关联的特定存储器区段110)或经执行预充电操作(例如，伴随信号或指示pch_pulse、指示与关于输入信号或指示pch_pulse的预充电操作相关联的特定存储器区段110)相关联的存储器区段110。在一些实例中，输入信号或指示sec_add<4:0>可以是指示(例如，与存取操作或预充电操作相关联的一堆存储器区段110中的)32个存储器区段110中的一个的多位值(例如，5位值)。
239.输出信号或指示sec_ref<4:0>可表示或指示存取最频繁的存储器区段110(例如，具有自相应存储器区段110上的先前电压调整操作以来最高数目的经执行存取操作的存储器区段110)。在一些实例中，输出信号或指示sec_ref<4:0>可以是指示(例如，具有自先前电压调整操作以来的最高存取操作数目的存储器存储体的存储器区段110、存储器存储体中将与存储器存储体的下一电压调整操作相关联的存储器区段110)32个存储器区段110中的一个的多位值(例如，5位值)。
240.状态图750可示出一组状态(例如，状态760、状态770、状态780、状态790)以及所述一组状态之间的转变，它们可受状态机700控制或由其执行。状态图750还可表示所存储变量的值或与状态图750相关联的(例如，状态机700的)值的确定或转变。
241.状态机700可以在状态760中初始化，状态760可表示空闲状态。状态760的空闲状态可示出其中状态机700不执行与电压调整操作有关的功能或确定的操作状态。在各种实例中，状态机700可在接收或处理“act”信号或指示(例如，与输入信号或指示act_pulse的启动值相关联)后转变到状态770，或者状态机700可在接收或处理“rfsh”信号或指示(例如，与输入信号或指示rfsh_pulse的启动值相关联)后转变到状态790。
242.在状态770，(例如，在接收或处理“act”信号或指示之后)状态机可(例如，至少部分地基于输入信号或指示sec_add<4:0>)使存储器区段110中的一个的计数器或寄存器递
增。换句话说，在770，状态机700可使待存取存储器区段110的计数器或寄存器递增(例如，增加r(sx)，其中r是对可具有与信号或指示sec_add<4:0>提供的相同的区段地址的区段“sx”执行的存取数目)。
243.在状态770，状态机700还可执行第一比较以重新确定具有自先前电压调整操作以来最高存取操作数目的存储器区段110(例如，重新确定输出信号或指示sec_ref的所存储值)。换句话说，在770，状态机700可将具有最高存取操作数目的存储器区段110(例如，最新确定或将要确定的sec_ref)的新地址确定为先前确定的具有最高存取操作数目的存储器区段110(例如，当前或先前确定的sec_ref)或先前具有第二高存取操作数目的存储器区段110，其可以被称作“challenger”。相比于在状态770下对每一个存储器区段110进行分级或比较，以此方式执行比较所需要的比较操作或电路的比较器元件可能更少。状态机700可在接收或处理“pch”信号或指示(例如，与输入信号或指示pch_pulse的启动值相关联)后从状态770转变到状态780。
244.在状态780下，(例如，在接收或处理“pch”信号或指示之后)状态机可执行第二比较以重新确定具有自先前电压调整操作以来最高存取操作数目的存储器区段110(例如，重新确定输出信号或指示sec_ref的所存储值)。换句话说，在780，状态机700可将具有最高存取操作数目的存储器区段110(例如，最新确定或将要确定的sec_ref)的新地址确定为先前确定的具有最高存取操作数目的存储器区段110(例如，当前或先前确定的sec_ref)或刚被存取过的存储器区段110(例如，至少部分地基于输入信号或指示sec_add<4:0>)。相比于在状态780下对每一个存储器区段110进行分级或比较，以此方式执行比较所需要的比较操作或电路的比较器元件可能更少。
245.在状态780下，状态机700还可更新具有自电压调整操作以来第二高数目的经执行存取操作的存储器区段110的所存储区段地址(例如，更新challenger的所存储区段地址)。状态机700可在确定具有最高存取操作数目的存储器区段110(例如，sec_ref)的地址并更新具有第二高存取操作数目的存储器区段110(例如，challenger)的地址后从状态780转变到状态760(例如，返回到空闲状态)。
246.在状态790下，(例如，在接收或处理“rfsh”信号或指示之后)状态机可将具有最高存取操作数目的存储器区段110(例如，先前确定的sec_ref、已执行电压调整操作的存储器区段110)的计数器或寄存器清零。换句话说，在790，状态机700可在对存取最频繁的存储器区段110执行电压调整操作之后或以此为基础重置存取最频繁的存储器区段110的计数器或寄存器(例如，清零r(sec_ref)，其中r是对区段“sec_ref”执行的存取数目)。这些操作可以是至少部分地基于执行电压调整操作将对选定存储器区段110执行的存取操作数量重置为零的实例。
247.在状态790下，状态机700还可促使存取第二频繁的存储器区段110成为存取最频繁的存储器区段。换句话说，与具有最高存取操作数目的存储器区段110相关联的区段地址sec_ref可以用challenger的区段地址代替，因为先前确定的sec_ref的计数器或寄存器刚重置过(例如，在对所述区段执行电压调整操作之后或以此为基础)。换句话说，在状态790下，状态机700可用可变challenger的所存储区段地址代替可变sec_ref的所存储区段地址。
248.状态机700可在将具有最高存取操作数目的存储器区段110的地址清零(例如，将r
(sec_ref)清零)并用先前具有第二高存取操作数目的存储器区段110(例如，challenger)的区段地址代替具有最高存取操作数目的存储器区段110(例如，sec_ref)的地址后从状态790转变到状态760(例如，返回到空闲状态)。
249.因此，状态机700和状态图750可示出累积或确定对存储器装置100的(例如，一组存储器区段110中的、一堆存储器区段110中的)存储器区段110执行的存取操作数量并基于所确定的对每一个区段执行的存取操作数量为电压调整操作(例如，消散操作、均衡操作)选择存储器区段110中的一个(例如，选择具有自在相应存储器区段110上执行先前电压调整操作以来最高存取操作数目的存储器区段110)的实例。例如，状态机700和状态图750可支持为电压调整操作选择具有最高确定数量的经执行存取操作(例如，自相应存储器区段110上的先前电压调整操作以来)的存储器区段110。
250.图8示出根据本公开的各种实施例的可支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案的存储器装置805的框图800。存储器装置805可以称为电子存储器设备，并且可以是参考图1所描述的存储器装置100的组件的实例。
251.存储器装置805可包含一或多个存储器单元810，它们可以是参考图1到7描述的(例如，存储器区段110的)存储器单元105的实例。存储器装置805还可包含存储器控制器815、字线820、板线825、感测组件835和数字线840。这些组件可以彼此成电子连通，并且可以执行本文中根据本公开的方面描述的功能中的一或多个。在一些情况下，存储器控制器815可包含偏置组件850和定时组件855。
252.存储器控制器815可以与字线820、板线825、数字线840和感测组件835成电子连通，它们可以是参考图1到7描述的字线205、板线215、数字线210和感测组件150的实例。在一些实例中，存储器装置805还可包含锁存器845，它可以是如本文中所描述的i/o组件160的实例。存储器装置805的组件可以彼此成电子连通，并且可以执行参考图1到7描述的功能的实施例。在一些情况下，感测组件835或锁存器845可以是存储器控制器815的组件。
253.在一些实例中，数字线840可以与感测组件835成电子连通(例如，经由信号产生组件280、经由旁路线270，如本文中所描述)，并与存储器单元810的铁电电容器成电子连通。存储器单元810可写入逻辑状态(例如，第一或第二逻辑状态)。字线820可以与存储器控制器815(例如，存储器控制器815的行解码器)和存储器单元810的单元选择组件(例如，开关组件、晶体管)成电子连通。板线825可以与存储器控制器815和存储器单元810的铁电电容器的板成电子连通。感测组件835可以与存储器控制器815、数字线840和锁存器845成电子连通。在一些实例中，共同存取线可提供信号线和参考线的功能。感测控制线865可以与感测组件835和存储器控制器815成电子连通。除了上文未列出的组件之外，这些组件还可经由其它组件、连接或总线与其它组件、存储器装置805的内部或外部或这两者成电子连通。
254.存储器控制器815可以是本文所描述的存储器控制器170的实例，并且可配置成通过向各个节点施加电压来启动字线820、板线825或数字线840。例如，偏置组件850可配置成施加电压以操作存储器单元810，从而读取或写入存储器单元810，如上文所描述。在一些实例中，存储器控制器815可包含行组件125、列组件135或板组件145中的一或多个，或者可以其它方式执行参考行组件125、列组件135或板组件145描述的一或多个操作，或者可以其它方式与行组件125、列组件135、板组件145或其组合连通，如参考图1到7所描述，这可使存储器控制器815存取一或多个存储器单元810。偏置组件850可提供电压(例如，电压源)以用于
与存储器单元810耦合。另外或替代地，偏置组件850可提供电压(例如，电压源)以用于操作感测组件835或参考组件830。
255.在一些情况下，存储器控制器815可使用定时组件855执行其操作中的一或多个。例如，定时组件855可控制各个字线选择或板偏置的定时，包含切换和电压施加以执行本文所论述的存储器功能(例如读取和写入)的定时(例如，根据参考图5的时序图500描述的操作)。在一些情况下，定时组件855可控制偏置组件850的操作。在一些情况下，定时组件855可包含与存储器装置805的存储器区段110相关联的定时器。
256.感测组件835可比较来自存储器单元810(例如，经由数字线840)的感测信号与参考信号(例如，来自参考组件830经由参考线860、来自存储器单元810)。在确定逻辑状态后，感测组件835可以接着在锁存器845中存储输出，在所述锁存器中它可根据可包含存储器装置805的电子装置的操作来使用。感测组件835可包含与锁存器和铁电存储器单元成电子连通的一或多个放大器。
257.存储器控制器815或其子组件可实施为硬件、由处理器执行的代码(例如，软件、固件)或其任何组合。如果实施为由处理器执行的代码，那么存储器控制器815或其子组件的功能可以由以下执行：通用处理器、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件、或其设计成执行本公开中描述的功能的任何组合。
258.存储器控制器815或其子组件可以物理地位于各种位置，包含分布成使得功能的部分在不同物理位置处由一或多个物理装置实施。在一些实例中，存储器控制器815或其子组件可以是根据本公开的各种实施例的单独且相异组件。在其它实例中，存储器控制器815或其子组件可以与一或多个其它硬件组件组合，包含但不限于i/o组件、收发器、网络服务器、另一计算装置、本公开中描述的一或多个其它组件，或其根据本公开的各种实施例的组合。存储器控制器815可以是参考图10所描述的存储器控制器1015的实例。
259.在一些实例中，存储器控制器815，包含其任何子组件，可支持所描述的存储器装置805中用于基于活动的数据保护的存取方案的实例。例如，存储器装置805可包含与数字线840和板线825耦合的多个存储器单元810。在一些实例中，所述多个存储器单元810中的每一个可包含配置成选择性地耦合所述多个存储器单元中的相应一个与数字线840的单元选择组件。存储器装置可包含多个字线820，每个字线与所述多个存储器单元中的所述相应一个的单元选择组件耦合。存储器装置805还可包含与所述多个字线中的每一个耦合的行解码器，其可以包含在存储器控制器815中，或者可以是与存储器控制器815连通的独立组件。
260.根据本公开的实施例，存储器控制器815可用于对存储器装置805的存储器区段110执行电压调整操作(例如，消散操作、均衡操作)。在一些实例中，存储器控制器815可通过使行解码器启动选定存储器区段110中的每一个字线820来执行此类操作。在一些实例中，存储器控制器815可通过跨选定存储器区段110中的每一个存储器单元810的存储元件(例如，铁电电容器)均衡偏置来执行此类操作。
261.图9示出根据本公开的各种实施例的可支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案的存储器控制器915的框图900。存储器控制器915可以是参考图1所描述的存储器控制器170或参考图8所描述的存储器控制器815的实例。存储器控制器915可包含偏置
组件920和定时组件925，它们可以是参考图8所描述的偏置组件850和定时组件855的实例。存储器控制器915还可包含电压选择器930、存储器单元选择器935、感测控制器940和存取操作计数器945。这些模块中的每一个可与彼此直接或间接地连通(例如，经由一或多个总线)。
262.电压选择器930可发起支持存储器装置的各种存取操作的电压源的选择。例如，电压选择器930可产生或触发用于启动或撤销启动各种开关组件或电压源的控制信号，例如提供给参考图1到5所描述的行组件125、板组件145、感测组件150或参考组件285
‑
a的控制信号。例如，电压选择器930可产生用于选择(例如，启用、停用)如图5的时序图500中所示的字线205、数字线210或板线215的电压的逻辑信号中的一或多个。
263.存储器单元选择器935可选择用于存取操作(例如，读取操作、写入操作、重写操作、刷新操作、电压调整操作、均衡操作、消散操作)的存储器单元。在一些实例中，存储器单元选择器935可产生用于启动或撤销启动存储器装置的存储器区段110的逻辑信号。在一些实例中，存储器单元选择器935可产生用于启动或撤销启动单元选择组件(例如，参考图2到5描述的单元选择组件230)的逻辑信号。在一些实例中，存储器单元选择器935可发起或以其它方式控制图5的时序图500中所示的字线电压v
wl
。
264.感测控制器940可控制感测组件的各种操作，例如参考图1到5描述的感测组件150。例如，感测控制器940可产生用于启动或撤销启动感测组件隔离组件(例如，参考图4和5描述的感测组件150和存储器区段110或参考组件285之间的开关组件)的逻辑信号(例如，隔离信号)。在一些实例中，感测控制器940可产生用于均衡感测组件150或存取线的节点的逻辑信号(例如，均衡信号)。在一些实例中，感测控制器940可产生用于耦合或解耦感测组件与感测电压源或耦合或解耦感测组件与输入/输出组件160或锁存器845的逻辑信号。因此，在一些实例中，感测控制器940可产生参考图5的时序图500描述的逻辑信号。
265.在一些实施例中，感测控制器940可比较感测放大器的第一节点的电压与感测放大器的第二节点的电压，其中所述电压是基于利用读取操作的一或多个存取操作存取存储器单元(例如，由其产生)。感测控制器940可基于比较所得电压而确定与存储器单元相关联的逻辑值。在一些实例中，感测控制器940可向另一组件提供信号以确定与存储器单元相关联的逻辑值。
266.存取操作计数器945可累积或以其它方式确定存储器装置的一组存储器区段110中的每一个的存取操作数量。在一些实例中，存取操作计数器945可至少部分地基于执行电压调整操作而将对选定区段执行的存取操作数量重置为零。
267.图10示出根据本公开的各种实施例的包含可支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案的装置1005的系统1000的图式。装置1005可以是上文例如参考图1所描述的存储器装置100的实例或者包含存储器装置100的组件。装置1005可包含用于双向通信的组件，包含用于传输和接收通信的组件，包含存储器控制器1015、存储器单元1020、基本输入/输出系统(bios)组件1025、处理器1030、i/o组件1035和外围组件1040。这些组件可以经由一或多个总线(例如，总线1010)成电子连通。
268.存储器控制器1015可操作一或多个存储器单元，如本文中所描述。确切地说，存储器控制器1015可配置成支持所描述的用于存取存储器单元或执行电压调整操作的感测方案。在一些情况下，存储器控制器1015可包含行组件、列组件、板组件或其组合，如参考图1
到5所描述。
269.存储器单元1020可以是参考图1到8描述的存储器单元105或810的实例，并且可以存储信息(例如，呈逻辑状态形式)，如本文中所描述。
270.bios组件1025是包含用作固件的bios的软件组件，它可以初始化并运行各种硬件组件。bios组件1025还可管理处理器和例如外围组件、i/o控制组件等的各种其它组件之间的数据流。bios组件1025可包含存储在只读存储器(rom)、快闪存储器或任何其它非易失性存储器中的程序或软件。
271.处理器1030可包含智能硬件装置(例如，通用处理器、dsp、中央处理单元(cpu)、微控制器、asic、fpga、可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑组件、离散硬件组件)。在一些情况下，处理器1030可配置成使用存储器控制器操作存储器阵列。在其它情况下，存储器控制器可以集成到处理器1030中。处理器1030可配置成执行存储于存储器中的计算机可读指令以执行各种功能(例如，支持存储器装置中用于基于活动的数据保护的存取方案的功能或任务)。
272.i/o组件1035可管理装置1005的输入和输出信号。i/o组件1035还可管理未集成到装置1005中的外围设备。在一些情况下，i/o组件1035可表示到外部外围设备的物理连接或端口。在一些情况下，i/o组件1035可利用操作系统，例如端口。在一些情况下，i/o组件1035可利用操作系统，例如或另一已知操作系统。在其它情况下，i/o组件1035可表示调制解调器、键盘、鼠标、触摸屏或类似装置，或与其交互。在一些情况下，i/o组件1035可以实施为处理器的部分。在一些情况下，用户可经由i/o组件1035或经由受i/o组件1035控制的硬件组件与装置1005交互。i/o组件1035可支持存取存储器单元1020，包含接收与存储器单元1020中的一或多个的经感测逻辑状态相关联的信息或提供与写入存储器单元1020中的一或多个的逻辑状态相关联的信息。
273.外围组件1040可包含任何输入或输出装置，或用于此类装置的接口。实例可包含磁盘控制器、声音控制器、图形控制器、以太网控制器、调制解调器、通用串行总线(usb)控制器、串行或并行端口，或外围设备卡槽，例如外围组件互连(pci)或加速图形端口(agp)槽。
274.输入1045可表示装置1005外部的向装置1005或其组件提供输入的装置或信号。这可包含用户界面或与其它装置或在其它装置之间的接口。在一些情况下，输入1045可受i/o组件1035管理，并且可经由外围组件1040与装置1005交互。
275.输出1050可表示装置1005外部的配置成从装置1005或其任一组件接收输出的装置或信号。输出1050的实例可包含显示器、音频扬声器、打印装置、另一处理器或印刷电路板，或其它装置。在一些情况下，输出1050可以是经由外围组件1040与装置1005介接的外围元件。在一些情况下，输出1050可受i/o组件1035管理。
276.装置1005的组件可包含设计成实施其功能的电路系统。这可包含配置成实施本文中所描述的功能的各种电路元件，例如导电线、晶体管、电容器、电感器、电阻器、放大器或其它活动或非活动元件。装置1005可以是计算机、服务器、手提电脑、笔记本电脑、平板电脑、移动电话、可穿戴电子装置、个人电子装置等等。或者，装置1005可以是此类装置的一部分或元件。
277.本文中的描述提供实例，并且对权利要求书中阐述的范围、适用性或实例不具限
制性。在不脱离本公开的范围的情况下，可以对所论述的元件的功能和布置进行更改。一些实例可视需要省略、替代或添加各种操作、程序或组件。并且，关于一些实例描述的特征可以在其它实例中组合。
278.可使用多种不同技术和技艺中的任何者来表示本文中所描述的信息和信号。例如，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可将信号说明为单个信号；然而，所属领域的一般技术人员将理解，所述信号可表示信号总线，其中所述总线可具有多种位宽度。
279.如本文中所使用，术语“虚拟接地”是指保持处于大致零伏(0v)的电压的电路的节点，或更一般来说，表示电路或包含所述电路的装置的参考电压，此装置可以直接也可以不直接与地耦合。因此，在稳定状态下，虚拟接地的电压可暂时波动并返回到大致0v或虚拟0v。虚拟接地可以使用各种电子电路元件实施，例如由运算放大器和电阻器组成的分压器。其它实施方案也是可能的。“虚拟接地(virtual grounding/virtually grounded)”意指连接到大致0v或装置的某一其它参考电压。
280.术语“电子连通”和“耦合”是指组件之间的支持组件之间的电子流动的关系。这可包含组件之间的直接连接或耦合，也可包含中间组件。换句话说，“连接”或“耦合”的组件与彼此成电子连通。成电子连通的组件可以主动地交换电子或信号(例如，在通电电路中)，也可以不主动地交换电子或信号(例如，在断电电路中)，但是可以经配置且可用于在电路通电后交换电子或信号。举例来说，物理连接或经由开关(例如，晶体管)耦合的两个组件成电子连通，而不管开关的状态如何(例如，断开、闭合)。
281.短语“耦合在
……
之间”可以指组件相对于彼此的次序，并且可以指电耦合。在一个实例中，电耦合于组件“a”和组件“c”之间的组件“b”可以指在电气意义上的“a
‑
b
‑
c”或“c
‑
b
‑
a”的组件次序。换句话说，电信号(例如，电压、电荷、电流)可以通过组件b从组件a传递到组件c。
282.组件b“耦合在组件a和组件c之间”的描述并不一定解释为在所描述的次序中排除其它中间组件。例如，组件“d”可以耦合在所描述的组件a和组件b之间(例如，参考“a
‑
d
‑
b
‑
c”或“c
‑
b
‑
d
‑
a”的组件次序作为实例)，同时仍然支持组件b电耦合于组件a和组件c之间。换句话说，短语“耦合在
……
之间”的使用不应被理解为一定是指排他性的顺序次序。
283.此外，组件b“耦合在组件a和组件c之间”的描述并不排除组件a和组件c之间存在第二个不同的耦合。例如，组件a和组件c可以在电平行于经由组件b的耦合的单独耦合中彼此耦合。在另一实例中，组件a和组件c可以经由另一组件“e”耦合(例如，组件b耦合在组件a和组件c之间，且组件e耦合在组件a和组件c之间)。换句话说，短语“耦合在
……
之间”的使用不应被理解为组件之间的排他性耦合。
284.术语“隔离”是指其中电子当前不能在其间流动的组件之间的关系；如果组件之间存在断路，则组件彼此隔离。例如，当开关断开时，通过开关物理耦合的两个组件可彼此隔离。
285.如本文中所使用，术语“短接”是指组件之间的关系，其中通过启动相关的两个组件之间的单个中间组件来在组件之间建立导电路径。例如，当两个组件之间的开关闭合时，短接到第二组件的第一组件可与第二组件交换电子。因此，短接可为动态操作，使得在成电
子连通的组件(或线)之间能够进行电压施加和/或电荷流动。
286.如本文中所使用，术语“电极”可以指电导体，并且在一些情况下，可以用作对存储器阵列的存储器单元或另一组件的电触点。电极可包含在存储器装置100的元件或组件之间提供导电路径的迹线、导线、导电线、导电层等等。
287.如本文中所使用，术语“端子”并不一定表示电路元件的物理边界或连接点。相反，“端子”可以指与电路元件相关的电路的参考点，其也可称为“节点”或“参考点”。
288.如本文中所使用，术语“层”可以指几何结构的层或薄片。每一层可以有三个维度(例如，高度、宽度和深度)，并且可以覆盖一个表面的部分或全部。例如，层可以是两个维度大于第三个维度的三维结构，例如薄膜。层可包含不同的元件、组件和/或材料。在一些情况下，一个层可能由两个或更多个子层组成。在一些附图中，为了说明的目的，描绘了三维层中的两个维度。然而，所属领域的技术人员将认识到这些层本质上是三维的。
289.硫属化物材料可以是包含元素s、se和te中的至少一种的材料或合金。本文所论述的相变材料可以是硫属化物材料。硫属化物材料可包含s、se、te、ge、as、al、sb、au、铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、铋(bi)、钯(pd)、钴(co)、氧(o)、银(ag)、镍(ni)、铂(pt)的合金。实例硫属化物材料和合金可包含但不限于ge
‑
te、in
‑
se、sb
‑
te、ga
‑
sb、in
‑
sb、as
‑
te、al
‑
te、ge
‑
sb
‑
te、te
‑
ge
‑
as、in
‑
sb
‑
te、te
‑
sn
‑
se、ge
‑
se
‑
ga、bi
‑
se
‑
sb、ga
‑
se
‑
te、sn
‑
sb
‑
te、in
‑
sb
‑
ge、te
‑
ge
‑
sb
‑
s、te
‑
ge
‑
sn
‑
o、te
‑
ge
‑
sn
‑
au、pd
‑
te
‑
ge
‑
sn、in
‑
se
‑
ti
‑
co、ge
‑
sb
‑
te
‑
pd、ge
‑
sb
‑
te
‑
co、sb
‑
te
‑
bi
‑
se、ag
‑
in
‑
sb
‑
te、ge
‑
sb
‑
se
‑
te、ge
‑
sn
‑
sb
‑
te、ge
‑
te
‑
sn
‑
ni、ge
‑
te
‑
sn
‑
pd或ge
‑
te
‑
sn
‑
pt。如本文中所使用，加连字符的化学组合物符号指示包含在特定化合物或合金中的元素，并且意在表示涉及所指示元素的所有化学计量。例如，ge
‑
te可包含ge
x
te
y
，其中x和y可以是任何正整数。可变电阻材料的其它实例可包含二元金属氧化物材料或包含两个或更多个金属的混合价氧化物，例如过渡金属、碱土金属和/或稀土金属。实例不限于特定可变电阻材料或与存储器单元的存储器元件相关联的材料。例如，可以使用可变电阻材料的其它实例来形成存储器元件，并且可包含硫属化物材料、庞磁阻材料或基于聚合物的材料，等等。
290.本文中所论述的包含参考图1、2和4描述的存储器装置100、电路200和电路400的装置可形成于半导体衬底上，例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等。在一些情况下，衬底是半导体晶片。在其它情况下，衬底可为绝缘体上硅(soi)衬底，例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用包含(但不限于)磷、硼或砷的各种化学物质的掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂方法执行掺杂。
291.本文中所论述的一或多个晶体管可表示场效应晶体管(fet)，且包括包含源极、漏极和栅极的三端装置。所述端子可通过导电材料例如金属连接到其它电子元件。源极和漏极可为导电的，且可包括经重掺杂或简并半导体区。源极与漏极可通过经轻掺杂半导体区或沟道分隔开。如果沟道是n型(例如，大部分载体为电子)，那么fet可以被称作n型fet。如果沟道是p型(例如，大部分载体为电洞)，那么fet可以被称作p型fet。沟道可被绝缘栅极氧化物端封。可通过将电压施加到栅极，控制沟道导电性。例如，将正电压或负电压分别施加到n型fet或p型fet可导致沟道变得导电。当大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“接通”或“启动”。当小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅
极时，晶体管可“断开”或“撤销启动”。
292.本文结合附图阐述的描述内容描述实例配置，且并不表示可实施或在权利要求书的范围的所有实例。本文中所使用术语“示范性”意指“充当实例、例子或说明”且并不意谓“优选的”或“优于其它实例”。详细描述包含用于提供对所描述技术的理解的具体细节。然而，可在没有这些具体细节的情况下实践这些技术。在一些情况下，以框图形式示出熟知结构和装置，以免混淆所描述实例的概念。
293.在附图中，类似组件或特征可以具有相同参考标记。此外，通过遵循虚线和第二标记的参考标记可以区分相同类型的各种组件，这些虚线和第二标记在相似组件当中予以区分。如果在说明书中仅使用第一参考标记，那么描述适用于具有相同第一参考标记而与第二参考标记无关的类似组件中的任一个。
294.结合本文中的公开内容所描述的各种说明性块与模块可使用通用处理器、dsp、asic、fpga或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件、或经设计以执行本文所描述的功能的其任何组合来实施或执行。通用处理器可为微处理器，但在替代方案中，处理器可为任何常规处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可实施为计算装置的组合(例如，数字信号处理器(dsp)与微处理器的组合、多个微处理器的组合、一或多个微处理器与dsp核心结合，或任何其它此类配置)。
295.本文中所描述的功能可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合来实施。如果以由处理器执行的软件实施，那么可将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或通过计算机可读媒体发射。其它实例和实施方案在本公开和所附权利要求书的范围内。例如，归因于软件的性质，上文所描述的功能可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或任何这些的组合实施。实施功能的特征也可物理上位于各个位置处，包含经分布以使得功能的各部分在不同物理位置处实施。此外，如本文中(包含在权利要求书中)所使用，如在项列表(例如，前加例如“中的至少一个”或“中的一或多个”的短语的项列表)中所使用的“或”指示包含端点的列表，使得例如a、b或c中的至少一个的列表意指a或b或c或ab或ac或bc或abc(例如，a和b和c)。
296.如本文中所使用，术语“大体上”意指被修饰的特征(例如，被术语“大体上”修饰的动词或形容词)无需是绝对的，而是足够接近到达成特征的优点，或足够接近到所提及的特征在本公开的相关方面的上下文中是真实的。
297.如本文中所使用，短语“基于”不应被理解为提及一组封闭条件。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件a”的示范性步骤可基于条件a和条件b两者。换句话说，如本文中所使用，短语“基于”应同样地解释为短语“至少部分地基于”。
298.提供本文中的描述以使所属领域的技术人员能够进行或使用本公开。所属领域的技术人员将很容易清楚对本公开的各种修改，且本文中所定义的一般原理可应用于其它变化形式而不会脱离本公开的精神或范围。因此，本公开不限于本文所述的实例和设计，而是被赋予与本文所公开的原理和新颖特征一致的最宽范围。