一种阵列基板及显示面板的制作方法

技术特征：
1.一种阵列基板，包括源漏极金属层和平坦层，其特征在于，所述源漏极金属层中未被所述平坦层包覆的区域设置有预设图案，以增加所述源漏极金属层的裸露面积；所述源漏极金属层中未被所述平坦层包覆的区域，包括第一区域；所述第一区域位于ic侧的相邻的vdd走线与vss走线之间且未被所述平坦层所包覆。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏极金属层中未被所述平坦层包覆的区域，还包括第二区域，所述第二区域包括未被所述平坦层所包覆的ic侧的相邻的vdd走线与vss走线。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一区域设置的预设图案包括镂空图案或者条状图案；所述第一区域设置的预设图案包括条状图案时，所述条状图案为一块或者多块。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述条状图案为多块时，多块条状图案横向或者纵向平行设置于所述第一区域。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，至少一块所述条状图案的宽度范围是1μm～5μm，相邻两块所述条状图案之间的间隔范围是1μm～30μm。6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，距离vdd走线最近的条状图案与vdd走线之间的间距是
△
b，距离vss走线最近的条状图案与vss走线之间的间距是
△
c，
△
b＝
△
c＝1μm～30μm。7.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述条状图案的宽度范围是20μm～70μm，相邻两块所述条状图案之间的间隔范围是10μm～50μm。8.根据权利要求3至7中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述条状图案的沿长度方向两侧还设置有多块第一凸起形状图案。9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凸起形状图案包括：圆形图案以及所述圆形图案与所述条状图案的连接部分图案，所述第一凸起形状图案与所述条状图案连接形成圆弧，所述圆形图案的直径范围、所述圆弧所在圆的直径范围是1μm～30μm。10.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二区域设置的预设图案包括镂空图案。11.根据权利要求3或10所述的阵列基板，其特征在于，所述镂空图案包括若干方形，所述若干方形使所述第一区域或所述第二区域形成多块条状图案互相垂直的网格状图案；所述条状图案的宽度范围是1μm～30μm，平行的相邻两块条状图案之间的间隔范围是1μm～10μm。12.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一区域设置的预设图案包括多块第二凸起形状图案；所述多块第二凸起形状图案中，一部分与vdd走线连接，另一部分与vss走线连接；或者所述多块第二凸起形状图案与vdd走线连接；或者所述多块第二凸起形状图案与vss走线连接。13.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至12中任一项所述的阵列基板。

技术总结
本发明提供一种阵列基板及显示面板，所述阵列基板包括源漏极金属层和平坦层，源漏极金属层中未被平坦层包覆的区域设置有预设图案，以增加源漏极金属层的裸露面积；所述源漏极金属层中未被所述平坦层包覆的区域，包括第一区域；所述第一区域位于IC侧的相邻的VDD走线与VSS走线之间且未被所述平坦层所包覆。通过源漏极金属层中未被平坦层包覆的区域增加预设图案，能够增加源漏极金属层金属的侧露面积，达到分摊显影液以减小显影负载效应的效果，减少显影工艺对金属的侧蚀作用，减小Undercut深度，改善封装效果，降低CVD封装失效风险，从而解决水氧入侵AA区带来的GDSX问题，保证OLED器件信赖性。件信赖性。件信赖性。


技术研发人员：杨剑波 张波 熊黎 张毅 赵吾阳 张旭东 唐成 唐霞 魏悦 邓雷 杨国强 郭洪伟
受保护的技术使用者：成都京东方光电科技有限公司
技术研发日：2021.05.25
技术公布日：2021/10/18