匀场装置、梯度线圈及磁共振设备的制作方法

技术特征：
1.一种匀场装置，其特征在于，包括：基体(20),包括第一表面(201)、第二表面(202)和第三表面(204)，所述第一表面(201)位于所述基体(20)的上部或下部，所述第二表面(202)和第三表面(204)位于所述基体(20)的侧部，所述第二表面(202)与所述第三表面(204)相对设置，所述第一表面(201)同时与所述第二表面(202)和所述第三表面(204)相接，所述第一表面(201)开设一个或多个第一通槽(210)，所述第一通槽(210)在所述第二表面(202)和所述第三表面(204)之间延伸，所述基体(20)包括容纳腔(200)，所述容纳腔(200)用于收纳匀场条。2.如权利要求1所述的匀场装置，其特征在于，所述第二表面(202)开设第一孔(220)，所述第一孔(220)形成所述容纳腔(200)的开口。3.如权利要求1所述的匀场装置，其特征在于，所述基体(20)还包括与所述第一表面(201)相对的第四表面(203)，所述第四表面(203)分别与所述第二表面(202)和所述第三表面(204)相接，所述第四表面(203)开设一个或多个第二通槽(230)，所述第二通槽(230)连通所述第二表面(202)和所述第三表面(204)。4.如权利要求2所述的匀场装置，其特征在于，所述第二表面(202)开设第二孔(240)，且所述第二孔(240)与所述第一孔(220)间隔设置，所述第二孔(240)用于流通冷却介质。5.如权利要求4所述的匀场装置，其特征在于，所述第二孔(240)为多个，多个所述第二孔(240)环绕所述第一孔(220)设置。6.如权利要求1所述的匀场装置，其特征在于，所述第二表面(202)为弧形。7.一种梯度线圈，包括匀场装置(10)以及匀场条，所述匀场条设置于所述匀场装置(10)，其特征在于，所述匀场装置(10)包括：基体(20),包括第一表面(201)、第二表面(202)和第三表面(204)，所述第一表面(201)位于所述基体(20)的上部或下部，所述第二表面(202)和第三表面(204)位于所述基体(20)的侧部，所述第二表面(202)与所述第三表面(204)相对设置，所述第一表面(201)同时与所述第二表面(202)和所述第三表面(204)相接，所述基体(20)包括贯通所述第二表面(202)和所述第三表面的容纳腔(200)，所述匀场条收纳于所述容纳腔(200)。8.如权利要求7所述的梯度线圈，其特征在于，还包括：主线圈(110)；屏蔽线圈(120)，套设于所述主线圈(110)的外部，所述匀场装置(10)为多个，多个所述匀场装置(10)设置于所述主线圈(110)的外壁与所述屏蔽线圈(120)的内壁之间，且多个所述匀场装置(10)环形阵列设置。9.一种磁共振设备，其特征在于，包括：梯度线圈，包括主线圈(110)和屏蔽线圈(120)，所述主线圈(110)环绕形成扫描腔，所述屏蔽线圈(120)环绕设置在所述主线圈(110)的外侧；匀场装置(10)，设置在所述主线圈(110)和所述屏蔽线圈(120)之间，所述匀场装置(10)包括基体(20)和设置在所述基体(20)内部的匀场条，所述基体(20)包括第一表面(201)、第二表面(202)和第三表面(204)，所述第一表面(201)位于所述基体(20)的上部或下部，所述第二表面(202)和第三表面(204)位于所述基体(20)的侧部，所述第二表面(202)与所述第三表面(204)相对设置，所述第一表面(201)同时与所述第二表面(202)和所述第三表面(204)相接，所述基体(20)包括容纳腔(200)，所述容纳腔(200)从所述第二表面
(202)延伸至所述第三表面(204)，且所述匀场条收纳于所述容纳腔(200)内。10.如权利要求9所述的磁共振设备，其特征在于，所述基体(20)还包括与所述第一表面(201)相对的第四表面(203)；所述第一表面(201)，设置为外凸的圆弧形表面，以抵接所述屏蔽线圈(120)；所述第四表面(203)设置为内凹的圆弧形表面，以抵接所述主线圈(110)。11.如权利要求9所述的磁共振设备，其特征在于，所述主线圈(110)包括主线圈导体层，所述屏蔽线圈(120)包括屏蔽线圈导体层，所述基体(20)支撑设置在所述主线圈导体层和所述屏蔽线圈导体层之间，且所述基体(20)、所述主线圈导体层和所述屏蔽线圈导体层灌胶形成一体式结构。

技术总结
本申请涉及一种匀场装置、梯度线圈及磁共振设备。匀场装置包括基体。基体包括第一表面、相对的第二表面和第三表面。第一表面分别与第二表面和第三表面相接。第一表面开设连通第二表面和第三表面的第一通槽。基体包括用于收纳匀场条的容纳腔。当匀场装置安装于梯度线圈的同轴设置的主线圈和屏蔽线圈之间时，第二表面或第三表面与梯度线圈的端面平行，第一通槽沿梯度线圈的长度方向延伸。在梯度线圈的灌胶工艺过程中，被填充介质会沿第一通槽流动，提高了被填充介质的流动性，便于被填充介质充分填充于主线圈、匀场装置与屏蔽线圈之间的缝隙，减少空穴或空洞，使得匀场装置的稳定性提高，匀场条更接近设计位置，进而提高了磁场均匀度。度。度。


技术研发人员：王利锋 刘曙光
受保护的技术使用者：上海联影医疗科技股份有限公司
技术研发日：2021.01.26
技术公布日：2021/10/23