匀场装置、梯度线圈及磁共振设备的制作方法

1.本技术涉及医疗技术领域，特别是涉及一种匀场装置、梯度线圈及磁共振设备。


背景技术：

2.磁共振扫描成像技术不仅要求较高的恒定磁场，还要求恒定磁场有较高的均匀性。所谓的磁场均匀性是指在一定的容积范围内磁场强度的均一性，也就是单位面积内通过的磁力线数目的一致性，磁场的均匀性采用磁场均匀度来衡量。
3.高均匀度的场强有助于提高图像信噪比。场强均匀是保证磁共振成像信号空间定位准确性的前提。场强均匀可减少伪影，特别是磁化率伪影。高度均匀的磁场有利于进行大视野的扣描，尤其肩关节等偏中心部位的磁共振成像检查。怎样才能提高磁场均匀度是亟待解决的问题。


技术实现要素：

4.基于此，有必要针对怎样提高磁场均匀度的问题，提供一种匀场装置、梯度线圈及磁共振设备。
5.一种匀场装置，所述匀场装置基体,包括第一表面、第二表面和第三表面，所述第二表面与所述第三表面相对设置，所述第一表面分别与所述第二表面和所述第三表面相接，所述第一表面开设第一通槽，所述第一通槽连通所述第二表面和所述第三表面，所述基体包括容纳腔，所述容纳腔用于收纳匀场条。
6.在一个实施例中，所述第二表面开设第一孔。所述第一孔形成所述容纳腔的开口。
7.在一个实施例中，所述基体还包括与所述第一表面相对的第四表面，所述第四表面分别与所述第二表面和所述第三表面相接，所述第四表面开设第二通槽，所述第二通槽连通所述第二表面和所述第三表面。
8.在一个实施例中，所述第一通槽的个数大于所述第二通槽的个数。
9.在一个实施例中，所述第二表面开设第二孔，且所述第二孔与所述第一孔间隔设置。所述第二孔用于流通冷却介质。
10.在一个实施例中，所述第二孔为多个。多个所述第二孔环绕所述第一孔设置。
11.在一个实施例中，所述第二表面为弧形。
12.在一个实施例中，所述第一孔为多个，且多个所述第一孔沿行阵列排布。
13.一种梯度线圈，包括匀场装置以及匀场条，所述匀场条设置于所述匀场装置，所述匀场装置包括基体。所述基体包括第一表面、第二表面和第三表面。所述第一表面位于所述基体的上部或下部。所述第二表面和第三表面位于所述基体的侧部。所述第二表面与所述第三表面相对设置。所述第一表面同时与所述第二表面和所述第三表面相接。所述基体包括贯通所述第二表面和所述第三表面的容纳腔。所述匀场条收纳于所述容纳腔。
14.在一个实施例中，所述梯度线圈还包括主线圈和屏蔽线圈。所述屏蔽线圈套设于所述主线圈的外部。所述匀场装置为多个。多个所述匀场装置设置于所述主线圈的外壁与
所述屏蔽线圈的内壁之间，且多个所述匀场装置环形阵列设置。
15.一种磁共振设备，包括梯度线圈和匀场装置。所述梯度线圈包括主线圈和屏蔽线圈。所述主线圈环绕形成扫描腔。所述屏蔽线圈环绕设置在所述主线圈的外侧。所述匀场装置设置在所述主线圈和所述屏蔽线圈之间。所述匀场装置包括基体和设置在所述基体内部的匀场条，所述基体包括第一表面、第二表面和第三表面，所述第一表面位于所述基体的上部或下部，所述第二表面和第三表面位于所述基体的侧部，所述第二表面与所述第三表面相对设置，所述第一表面同时与所述第二表面和所述第三表面相接，所述基体包括容纳腔，所述容纳腔从所述第二表面延伸至所述第三表面，且所述匀场条收纳于所述容纳腔内。
16.在一个实施例中，所述基体还包括与所述第一表面相对的第四表面。所述第一表面设置为外凸的圆弧形表面，以抵接所述屏蔽线圈。所述第四表面设置为内凹的圆弧形表面，以抵接所述主线圈。
17.在一个实施例中，所述主线圈包括主线圈导体层，所述屏蔽线圈包括屏蔽线圈导体层，所述基体支撑设置在所述主线圈导体层和所述屏蔽线圈导体层之间，且所述基体、所述主线圈导体层和所述屏蔽线圈导体层灌胶形成一体式结构。
18.本技术实施例提供的所述匀场装置包括基体。所述基体包括第一表面、第二表面和第三表面。所述第二表面与所述第三表面相对设置。所述第一表面分别与所述第二表面和所述第三表面相接。所述第一表面开设第一通槽。所述第一通槽连通所述第二表面和所述第三表面。所述基体包括容纳腔。所述容纳腔用于收纳匀场条。当所述匀场装置安装于所述梯度线圈的同轴设置的主线圈和屏蔽线圈之间时，所述第二表面或所述第三表面与所述梯度线圈的端面平行，所述第一通槽沿所述梯度线圈的长度方向延伸。在所述梯度线圈的灌胶工艺过程中，被填充介质会沿所述第一通槽流动，提高了被填充介质的流动性，便于被填充介质充分填充于主线圈、匀场装置与屏蔽线圈之间的缝隙，减少空穴或空洞。被填充介质的填充质量提高，使得所述主线圈、所述匀场装置与所述屏蔽线圈之间结合的强度提高，所述梯度线圈的品质提高。所述匀场装置的稳定性提高，匀场条更接近设计位置，进而提高了磁场均匀度。
附图说明
19.为了更清楚地说明本技术实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
20.图1为本技术一个实施例中提供的所述梯度线圈的结构示意图；
21.图2为本技术一个实施例中提供的所述匀场装置的端面示意图；
22.图3为本技术一个实施例中提供的所述匀场装置的结构示意图；
23.图4为本技术一个实施例中提供的所述匀场装置的端面示意图；
24.图5为本技术另一个实施例中提供的所述匀场装置的端面示意图。
25.附图标号：
26.10、匀场装置；100、梯度线圈；110、主线圈；120、屏蔽线圈；20、基体；200、容纳腔；201、第一表面；202、第二表面；203、第四表面；204、第三表面；205、第五表面；206、第六表
面；210、第一通槽；220、第一孔；230、第二通槽；240、第二孔；250、固定孔；30、匀场条；第一方向a。
具体实施方式
27.为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似改进，因此本技术不受下面公开的具体实施的限制。
28.本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本技术所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
29.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
30.自屏蔽梯度线圈有产生梯度磁场的x，y，z三组主线圈和屏蔽梯度场对磁体影响的x，y，z三组屏蔽线圈。这六组线圈同轴心的组装在一起，制作为圆筒形结构，通过内圆柱模具和外圆筒模具以及端面法兰模具封装。然后通过灌胶工序将环氧树脂浇注填充在主线圈与屏蔽线圈的缝隙内，再通过高温将环氧树脂灌入空隙固化成型。
31.请参见图1，本技术实施例提供一种磁共振设备，其包括梯度线圈100和设置在所述梯度线圈100内部的匀场装置10。其中，所述梯度线圈100包括主线圈110和屏蔽线圈120。所述主线圈110环绕形成扫描腔。所述屏蔽线圈120环绕设置在所述主线圈110的外侧。所述主线圈110和所述屏蔽线圈120都设置成圆筒形。所述匀场装置设置在所述主线圈110和所述屏蔽线圈120之间。所述匀场装置包括基体20。所述基体20包括容纳腔200。所述容纳腔200沿平行于扫描腔的轴向延伸，所述基体20的上表面或下表面与所述主线圈110或所述屏蔽线圈120抵接。所述基体20中开设有从梯度线圈100的一端延伸至另一端的容纳腔200，所述容纳腔200可供匀场条置于其中。
32.与所述主线圈110或所述屏蔽线圈120抵接的至少一个表面可开设第一通槽210。所述第一通槽210使得所述匀场装置10与所述梯度线圈100之间形成间隙，该间隙供填充介质进入。
33.请参见图1至图3，本技术实施例提供一种匀场装置10，包括基体20。所述基体20包括第一表面201、第二表面202、第三表面204和第四表面203，所述第二表面202与所述第三表面204相对设置。所述第一表面201分别与所述第二表面202和所述第三表面204相接。所述第一表面201作为所述基体20的上表面，所述第四表面203作为所述基体20的下表面。所
述第二表面202为设置在所述第一表面201和所述第四表面203之间、沿所述第一表面201或所述第四表面203的宽度方向延伸的侧面。所述基体20包括贯通所述第二表面202和所述第三表面的容纳腔200，或者所述容纳腔200从所述第二表面202延伸至所述第三表面204。所述容纳腔200可收纳匀场条。
34.所述第一表面201开设第一通槽210。所述第一通槽210连通所述第二表面202和所述第三表面204。所述基体20包括容纳腔200.所述容纳腔200用于收纳匀场条。
35.本技术实施例提供的所述匀场装置10在所述第一表面201开设所述第一通槽210。当所述匀场装置10安装于所述梯度线圈100的同轴设置的主线圈110和屏蔽线圈120之间时，所述第二表面202或所述第三表面204与所述梯度线圈100的端面平行或近似平行，所述第一通槽210沿所述梯度线圈100的长度方向延伸。在所述梯度线圈100的灌胶工艺过程中，被填充介质会沿所述第一通槽210流动，提高了被填充介质的流动性，便于被填充介质充分填充于主线圈110、匀场装置10与屏蔽线圈120之间的缝隙，减少空穴或空洞。所述梯度线圈100的填充质量提高，使得所述主线圈110、所述匀场装置10与所述屏蔽线圈120之间结合的强度提高，所述梯度线圈100的品质提高。所述匀场装置10的稳定性提高，所述匀场条30更接近设计位置，进而提高了磁场均匀度。
36.所述匀场装置10能够避免使用匀场孔模具，减小了拆卸匀场孔模具拆除过程中对匀场孔造成损伤或开裂，减小了梯度线圈100报废的概率，也节约了匀场孔模具的成本。
37.所述基体20的形状可以是长方体、正方体、圆柱体、弧形立方体或筒状等规则立体结构，也可以是阶梯式或葫芦形等不规则立体结构。
38.请一并参见图3，在一个实施例中，所述基体20为部分筒状结构。由于所述匀场装置10设置在所述主线圈110和屏蔽线圈120之间。所述主线圈110和所述屏蔽线圈120均为圆筒形。所述基体20为部分筒状结构，更接近所述主线圈110和所述屏蔽线圈120，减小被填充介质的使用量，避免用量过多影响磁场性能。所述基体20的包围角度范围为15度
‑
90度。
39.请继续参考附图2，所述基体20为弧形立方体：所述第一表面201为外凸的圆弧形表面，所述第四表面203为内凹的圆弧形表面，所述第一表面201(上表面)抵接所述屏蔽线圈120，所述第四表面203(下表面)抵接所述主线圈110。所述基体20的第一表面201的圆弧半径接近所述屏蔽线圈120的内半径，所述基体20的第四表面203的圆弧半径接近所述主线圈110的外半径，这种结构可以使匀场装置10更加贴合于所述主线圈110和所述屏蔽线圈120的表面，使得所述匀场条30安装后更加接近理论的圆形尺寸。
40.所述第二表面202的形状为长方形、正方形或圆形等规则图形，也可以为弧形或波浪形等不规则图形或多个图形叠加的图形。
41.所述基体20沿第一方向a延伸。所述第一方向a由所述第二表面202指向所述第三表面204。所述第一通槽210沿所述第一方向a延伸。
42.所述基体20垂直于所述第一方向a的端面的形状可以不变，也可以是变化的。所述基体20垂直于所述第一方向a的端面的形状可以为长方形、正方形、圆形或半圆形等规则图形，也可以为弧形或波浪形等不规则图形或多个图形叠加的图形。
43.所述第一通槽210的延伸方向可以平行于所述第一方向a，也可以与所述第一方向a有锐角的夹角。
44.所述第一通槽210垂直于所述第一方向a的端面的形状可以是变化的，也可以是不
变的。
45.所述第一通槽210垂直于所述第一方向a的端面的形状可以为长方形、正方形、圆形或半圆形等规则图形，也可以为弧形或波浪形等不规则图形或多个图形叠加的图形。
46.在一个实施例中，所述第一通槽210的延伸方向平行于所述第一方向a。所述第一通槽210垂直于所述第一方向a的端面为半圆形，减小被填充介质在所述第一通槽210表面的附着量，提高被填充介质的流动性。
47.所述基体20可以由足够强度和刚度的非磁性材料制成。所述基体20可以为铝型材或无磁不锈钢，采用焊接和机加工的制作方法。所述基体20的材料可以为热塑性塑料。热塑性塑料包括有聚烯烃(乙烯基类、烯烃类、苯乙烯类、丙烯酸酯类、含氟烯类等)、纤维素类、聚醚聚酯类及芳杂环聚合物类、abs或尼龙。所述基体20如果为热塑性塑料，则采用挤塑成型的制作方法。所述基体20还可以是热固性塑料(环氧树脂或玻纤填充)，所述基体20通过挤压成型或3d打印制作而成。热固性塑料还可以添加矿物质、石灰、玻纤等填充料或强化物质以增强性质，例如收缩量的控制、耐化学性、防震性、绝缘性、隔热性或降低成本。
48.所述第一通槽210为一个或多个。在一个实施例中，所述第一通槽210为多个，便于被填充介质沿多个所述第一通槽210均匀流动，进一步提高被填充介质的流动性，便于被填充介质充分填充主线圈110、匀场装置10与屏蔽线圈120之间的缝隙。被填充介质的填充质量提高，使得所述主线圈110、所述匀场装置10与所述屏蔽线圈120之间结合的强度提高，所述梯度线圈100质量提高。在所述梯度线圈100使用的过程中，所述匀场装置10的位移减小，匀场条30更接近设计位置，进而提高了磁场均匀度。
49.在一个实施例中，所述第二表面202开设第一孔220。所述第一孔220形成所述容纳腔200或所述容纳腔200的开口。所述第一孔220的一个端口开设于所述第二表面202，另一个端口开设于所述第三表面204。所述第一孔220用于收纳匀场条30，所述匀场装置10能够使所述匀场条30固定于所述主线圈110和所述屏蔽线圈120之间。
50.在梯度线圈100生产工序中，在安装完梯度线圈100的所述主线圈110和所述屏蔽线圈120后，将所述第一孔220用橡胶、硅胶或橡皮泥等封堵，放置在所述主线圈110外周。再通过端面的固定螺纹孔，将梯度线圈100固定于端面法兰模具上。在梯度线圈100灌胶固化成型后，拆除梯度线圈100的端面法兰模具，再将橡胶、硅胶或橡皮泥从第一孔220去除。
51.在一个实施例中，所述第二表面202开设固定孔250。所述固定孔250用于通过螺栓将所述匀场装置10固定于端面法兰模具。所述固定孔250包括螺纹孔。
52.所述第一孔220的一个端口开设于所述第二表面202，另一个端口开设于所述第三表面204，便于所述橡胶、硅胶或橡皮泥从第一孔220去除。
53.所述第一孔220的延伸方向可以平行于所述第一方向a，也可以与所述第一方向a有锐角的夹角。
54.所述第一孔220垂直于所述第一方向a的端面的形状可以是变化的，也可以是不变的。
55.所述第一孔220垂直于所述第一方向a的端面的形状可以为长方形、正方形、圆形或半圆形等规则图形，也可以为弧形或波浪形等不规则图形或多个图形叠加的图形。
56.在一个实施例中，所述第一通槽210和所述第一孔220的延伸方向相同。所述第一孔220的延伸方向平行于所述第一方向a。所述第一孔220垂直于所述第一方向a的端面为圆
形，减小橡胶、硅胶或橡皮泥在所述第一孔220表面的附着量，便于匀场条30的安装。
57.请一并参见图4，所述第一孔220可以为一个或多个。在一个实施例中，所述第一孔220为多个，增加匀场条30的安装位置，以使多个匀场条30安装于所述主线圈110和屏蔽线圈120之间，提高磁场的均匀度。
58.在一个实施例中，所述第一孔220为多个，且多个所述第一孔220沿行阵列排布，以提高匀场条30排布的均匀性，进而提高磁场的均匀度。
59.多个所述第一孔220也可以沿弧形阵列排布，也可以沿圆形阵列排布。
60.在一个实施例中，所述第四表面203开设第二通槽230。所述第二通槽230连通所述第二表面202和所述第三表面204。在梯度线圈100的灌胶工艺过程中，被填充介质会沿所述第二通槽230流动，提高了被填充介质的流动性，便于被填充介质充分填充主线圈110、匀场装置10与屏蔽线圈120之间的缝隙。被填充介质的填充质量提高，使得所述主线圈110、所述匀场装置10与所述屏蔽线圈120之间结合的强度提高，所述梯度线圈100质量提高。在所述梯度线圈100使用的过程中，所述匀场装置10的位移减小，所述匀场条30更接近设计位置，进而提高了磁场均匀度。
61.所述第二通槽230的一个端口设置在第二表面202，另一个端口设置在第三表面204。所述第二通槽230的形状可以与所述第一通槽210的形状相同，也可以不同。所述第二通槽230的延伸方向可以与所述第一通槽210的延伸方向相同，也可以不同。
62.所述第二通槽230的延伸方向可以平行于所述第一方向a，也可以与所述第一方向a有锐角的夹角。
63.所述第二通槽230垂直于所述第一方向a的端面的形状可以是变化的，也可以是不变的。
64.所述第二通槽230垂直于所述第一方向a的端面的形状可以为长方形、正方形、圆形或半圆形等规则图形，也可以为弧形或波浪形等不规则图形或多个图形叠加的图形。
65.在一个实施例中，所述第二通槽230的延伸方向平行于所述第一方向a。所述第二通槽230垂直于所述第一方向a的端面为半圆形，减小被填充介质在所述第二通槽230表面的附着量，提高被填充介质的流动性。
66.在一个实施例中，所述第一通槽210的个数大于所述第二通槽230的个数。由于所述第一表面201的面积大于所述第四表面203的面积，因此要想被填充介质获得相同流动速度，需要所述第一通槽210的个数大于所述第二通槽230的个数。
67.在一个实施例中，所述第二通槽230垂直于所述第一方向a的端面的面积大于所述第一通槽210垂直于所述第一方向a的端面的面积。因为所述第四表面203的弯曲半径小于第一表面201，如果设置相同的通槽面积，所述第二通槽230易存留被填充介质。所述第二通槽230的截面面积大，可以增加被填充介质的流动性。
68.所述梯度线圈100工作中会产生大量热量，这些热量会传递到匀场孔内的所述匀场条30，再传递到所述匀场条30内的匀场片，进而导致匀场片的温度升高。匀场片为铁磁性物质，其温度的变化会导致磁导率的改变，进而影响其的匀场效果，会导致磁体磁场的变化，即场飘。场飘会影响磁共振成像质量。
69.请一并参见图5，在一个实施例中，所述第二表面202开设第二孔240，且所述第二孔240与所述第一孔220间隔设置。所述第二孔240用于流通冷却介质。向所述第二孔240内
通入冷却介质，可以降低匀场条30和匀场片的温度，减小温度的变化导致的磁导率改变，提高匀场效果，进而提高磁共振成像质量。
70.所述第二孔240的一个端口开设于所述第二表面202，另一个端口开设于所述第三表面204，便于冷却介质循环流动。
71.所述第二孔240的延伸方向可以平行于所述第一方向a，也可以与所述第一方向a有锐角的夹角。
72.所述第二孔240垂直于所述第一方向a的端面的形状可以是变化的，也可以是不变的。
73.所述第二孔240垂直于所述第一方向a的端面的形状可以为长方形、正方形、圆形或半圆形等规则图形，也可以为弧形或波浪形等不规则图形或多个图形叠加的图形。
74.在一个实施例中，所述第二孔240为多个，以使冷却液均匀分布，提高降温的均匀性。
75.在一个实施例中，多个所述第二孔240环绕所述第一孔220设置，以使冷却介质能够从不同位置为所述第一孔220内部的匀场条30和匀场片的温度，减小温度的变化导致的磁导率改变，提高匀场效果，进而提高磁共振成像质量。
76.在一个实施例中，所述基体20还包括相对的第五表面205和第六表面206。所述第五表面205和所述第六表面206均与其他四个表面相接。所述第五表面205为设置在所述第一表面201和所述第四表面203之间、沿所述第一表面201或所述第四表面203的长度方向延伸的侧面，所述第六表面206为设置在所述第一表面201和所述第四表面203之间、沿所述第一表面201或所述第四表面203的长度方向延伸的侧面。所述第五表面205或所述第六表面206均设置有通槽，所述通槽的一个端口设置在所述第二表面202，另一个端口设置在第三表面204。
77.在所述梯度线圈100的灌胶工艺过程中，被填充介质会沿所述第五表面205或所述第六表面206均设置有通槽流动，提高了被填充介质的流动性，便于被填充介质充分填充主线圈110、匀场装置10与屏蔽线圈120之间的缝隙。被填充介质的填充质量提高，使得所述主线圈110、所述匀场装置10与所述屏蔽线圈120之间结合的强度提高，所述梯度线圈100质量提高。在所述梯度线圈100使用的过程中，所述匀场装置10的位移减小，匀场条30更接近设计位置，进而提高了磁场均匀度。
78.所述第五表面205或所述第六表面206的通槽的个数可以相同，也可以不同。
79.所述第五表面205或所述第六表面206的通槽的延伸方向可以平行于所述第一方向a，也可以与所述第一方向a有锐角的夹角。
80.所述第五表面205或所述第六表面206的通槽垂直于所述第一方向a的端面的形状可以是变化的，也可以是不变的。
81.所述第五表面205或所述第六表面206的通槽垂直于所述第一方向a的端面的形状可以为长方形、正方形、圆形或半圆形等规则图形，也可以为弧形或波浪形等不规则图形或多个图形叠加的图形。
82.本技术实施例提供一种梯度线圈100，包括上述任一实施例所述的匀场装置10以及匀场条30。所述匀场条30设置于所述匀场装置10。
83.本技术实施例提供的所述梯度线圈100中的所述匀场装置10在所述基体20的第一
表面201开设第一通槽210，在梯度线圈100的灌胶工艺过程中，被填充介质会沿所述第一通槽210流动，提高了被填充介质的流动性，便于被填充介质充分填充主线圈110、匀场装置10与屏蔽线圈120之间的缝隙。被填充介质的填充质量提高，使得所述主线圈110、所述匀场装置10与所述屏蔽线圈120之间结合的强度提高，所述梯度线圈100质量提高。在所述梯度线圈100使用的过程中，所述匀场装置10的位移减小，匀场条30更接近设计位置，进而提高了磁场均匀度。
84.在一个实施例中，所述梯度线圈100还包括主线圈110和屏蔽线圈120。所述屏蔽线圈120套设于所述主线圈110的外部，所述主线圈110包括主线圈导体层，所述屏蔽线圈120包括屏蔽线圈导体层。所述匀场装置10为多个。多个所述匀场装置10设置于所述主线圈110的外壁与所述屏蔽线圈120的内壁之间，且多个所述匀场装置10环形阵列设置。更具体的，所述匀场装置10的所述基体20支撑设置在所述主线圈导体层和所述屏蔽线圈导体层之间，且所述基体20、所述主线圈导体层和所述屏蔽线圈导体层灌胶形成一体式结构。多个所述匀场装置10环形阵列设置，则多个匀场条30可以环形阵列分布于所述主线圈110的外壁与所述屏蔽线圈120的内壁之间，进而提高了磁场均匀度。
85.本技术实施例提供一种医疗设备，包括上述任一实施例提供的所述梯度线圈100。
86.本技术实施例提供的所述医疗设备中的所述匀场装置10在所述基体20的第一表面201开设第一通槽210，在所述梯度线圈100的灌胶工艺过程中，被填充介质会沿所述第一通槽210流动，提高了被填充介质的流动性，便于被填充介质充分填充主线圈110、匀场装置10与屏蔽线圈120之间的缝隙。被填充介质的填充质量提高，使得所述主线圈110、所述匀场装置10与所述屏蔽线圈120之间结合的强度提高，所述梯度线圈100质量提高。在所述梯度线圈100使用的过程中，所述匀场装置10的位移减小，匀场条30更接近设计位置，进而提高了医疗设备的磁场均匀度。
87.在本说明书的描述中，参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。
88.以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
89.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。