MEMS器件真空封装结构及其制造工艺的制作方法

技术特征：
1.一种mems器件真空封装结构，其特征在于，包括：密封盖，所述密封盖上设置有贯穿其正面和反面的通孔，所述通孔的孔壁设置第一导电层，所述密封盖的正面和反面分别设置有第二导电层，所述第二导电层与所述第一导电层电接触；硅衬底；mems结构，设置在所述硅衬底上，用于输出电信号；导电体，分别与所述密封盖的反面上的所述第二导电层和所述mems结构电接触，用于传递电信号；过渡结构，所述过渡结构分别与所述密封盖的反面及所述硅衬底键合连接，以形成真空密封空间，所述mems结构及所述导电体位于所述真空密封空间内。2.根据权利要求1所述的mems器件真空封装结构，其特征在于，所述mems结构包括二氧化硅结构和硅结构；所述二氧化硅结构设置在所述硅衬底上，所述硅结构设置在所述二氧化硅结构上，所述硅结构上设置第三导电层用于电连接所述导电体。3.根据权利要求2所述的mems器件真空封装结构，其特征在于，所述导电体设置为球形，所述导电体与所述第二导电层和所述mems器件的接触面分别设置为平面。4.根据权利要求1所述的mems器件真空封装结构，其特征在于，所述通孔至少设置两个，并且各个所述通孔之间相互隔离，所述密封盖的上设置至少两对相互隔离的第二导电层，每一个所述通孔对应设置在一对第二导电层之间；每一对第二导电层包括设置在所述密封盖的正面和反面的第二导电层。5.根据权利要求2所述的mems器件真空封装结构，其特征在于，还包括导电支撑结构，所述导电支撑结构分别与所述硅衬底和所述密封盖的反面上的所述第二导电层电接触；所述导电支撑结构包括铬结构和导电支撑体，所述铬结构设置在所述硅衬底上，所述导电支撑体设置在所述铬结构和所述密封盖反面的第二导电层之间。6.根据权利要求1所述的mems器件真空封装结构，其特征在于，包括引线，所述引线与所述密封盖正面的第二导电层电连接。7.根据权利要求5所述的mems器件真空封装结构，其特征在于，所述过渡结构采用玻璃材质。8.一种mems器件真空封装结构的制造工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤s1，在密封盖上开设通孔；步骤s2，在通孔的孔壁镀第一导电层，在密封盖的正面和反面分别镀第二导电层，使密封盖的正面和反面的第二导电层均与第一导电层电接触；步骤s3，使导电体一端面与所述密封盖的反面上的第二导电层电连接；步骤s4，将玻璃过渡结构与密封盖的反面阳极键合；步骤s5，对所述导电体用于连接mems结构的一端面进行平整化处理；步骤s7，将mems结构及硅衬底分别与玻璃过渡结构和导电体阳极键合。9.根据权利要求8所述的制造工艺，其特征在于，所述步骤s4中，将玻璃过渡结构及导电体放置在第一支撑模具上，使玻璃过渡结构与密封盖的反面阳极键合，并且，键合后的玻璃过渡结构的高度小于导电体的高度；
所述第一支撑模具包括第一底座，所述第一底座上设置有用于容纳导电体的第一凹槽，所述第一底座用于与玻璃过渡结构的接触位置设置第四导电层。10.根据权利要求8所述的制造工艺，其特征在于，所述步骤s5中，将玻璃过渡结构及导电体放置在第二支撑模具上，对导电体用于连接mems结构的一端面进行平整化处理，平整化处理后的导电体的高度低于玻璃过渡结构的高度；所述第二支撑模具包括第二支撑座，所述第二支撑座上设置用于容纳导电体的第二凹槽，所述第二支撑座上设置垫片，所述垫片用于支撑所述玻璃过渡结构，所述垫片的高度为所述导电体与所述玻璃过渡结构之间的高度差数值。