用于微机电系统芯片的基片及微机电系统芯片的制作方法

技术特征：

1.一种用于微机电系统芯片的基片，其特征在于：包括具有上表面和下表面的基片本体及形成在所述基片本体内的至少一个腔体，每个所述腔体包括呈上下设置的上子腔部和下子腔部，所述上子腔部和下子腔部连通，所述上子腔体自所述基片本体的上表面向下延伸形成；所述上子腔部所围设形成的形状和/或尺寸与所述下子腔部所围设形成的形状和/或尺寸不同；于所述基片本体的下表面上，所述上子腔部的正投影面积大于所述下子腔部的正投影面积。

2.如权利要求1所述的用于微机电系统芯片的基片，其特征在于，于所述基片本体的下表面上，该上子腔部的正投影覆盖下子腔部的正投影。

3.如权利要求2所述的用于微机电系统芯片的基片，其特征在于，所述上子腔部的中轴线与下子腔部的中轴线重叠。

4.如权利要求1至3项中任意一项所述的用于微机电系统芯片的基片，其特征在于，所述上子腔部为圆柱型、多边型、倒圆台型结构中的一种；所述下腔体为圆柱型、多边型、倒圆台型结构中的一种。

5.如权利要求4所述的用于微机电系统芯片的基片，其特征在于，所述上子腔部为倒圆台型结构，所述下子腔部为圆柱型。

6.如权利要求5所述的用于微机电系统芯片的基片，其特征在于，所述下子腔部的侧面坡度范围为65-85度。

7.如权利要求1所述的用于微机电系统芯片的基片，其特征在于，所述腔体为硅通孔、深硅孔、深沟槽梳齿结构中的任意一种。

8.如权利要求1所述的用于微机电系统芯片的基片，其特征在于，所述基片本体可以采用硅基片。

9.如权利要求1所述的用于微机电系统芯片的基片，其特征在于，所述基片本体的下表面上设置有一层刻蚀停止层。

10.一种微机电系统芯片，其特征在于，包括如权利要求1至9项中任意一项所述的用于微机电系统芯片的基片。