技术总结
本实用新型公开了一种MEMS岛‑梁‑膜装置，包括支撑结构、粘接层和器件层，所述支撑结构和器件层之间通过粘接层粘接在一起；所述支撑结构的中间位置设置有背腔和空腔；所述背腔贯穿支撑结构到空腔内，并与空腔相互连通；所述空腔从支撑结构的上表面向下延伸，不贯穿支撑结构；所述器件层上设置有一不贯穿的岛‑梁‑膜结构。其具有能够有效的改善MEMS传感器的非线性和对称性、优异的鲁棒性、对外界应力具有较强的抵抗性、方便后续的封装、测试以及使用等优点。
技术研发人员：桑新文;盛云
受保护的技术使用者：苏州纳芯微电子股份有限公司
技术研发日：2018.04.26
技术公布日：2018.12.11
本实用新型公开了一种MEMS岛‑梁‑膜装置，包括支撑结构、粘接层和器件层，所述支撑结构和器件层之间通过粘接层粘接在一起；所述支撑结构的中间位置设置有背腔和空腔；所述背腔贯穿支撑结构到空腔内，并与空腔相互连通；所述空腔从支撑结构的上表面向下延伸，不贯穿支撑结构；所述器件层上设置有一不贯穿的岛‑梁‑膜结构。其具有能够有效的改善MEMS传感器的非线性和对称性、优异的鲁棒性、对外界应力具有较强的抵抗性、方便后续的封装、测试以及使用等优点。
技术研发人员：桑新文;盛云
受保护的技术使用者：苏州纳芯微电子股份有限公司
技术研发日：2018.04.26
技术公布日：2018.12.11
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询，结果仅供参考。
