一种倒置装配的MEMS芯片封装结构的制作方法

技术特征：

1.一种倒置装配的MEMS芯片封装结构，其特征是，将MEMS裸芯片倒置安装，将MEMS裸芯片的硅帽采用粘胶或键合方式固定在陶瓷管壳腔体底面，使MEMS裸芯片的硅衬底远离与陶瓷管壳固定的接触面。

2.根据权利要求1所述的倒置装配的MEMS芯片封装结构，其特征是，MEMS裸芯片包括一具有腔体的硅帽、SOI晶圆片A硅电极层上加工出的位于敏感结构腔体内的电极结构、在SOI晶圆片B的硅电极层上加工的敏感结构；

SOI晶圆片A的硅电极层通过SOI晶圆片A的二氧化硅隔离层固定在SOI晶圆片A的硅衬底上；

SOI晶圆片B的硅电极层键合在SOI晶圆片A上的硅电极层上；

硅帽通过其硅帽键合区域键合到SOI晶圆片B上的硅电极层上，将敏感结构密封到硅帽的腔体与敏感结构腔体形成的空间中。

3.根据权利要求1所述的倒置装配的MEMS芯片封装结构，其特征是，所述MEMS裸芯片的硅衬底上加工有应力释放槽，应力释放槽位于SOI晶圆片A的电极结构与腔体侧壁结构之间空隙区域背面的SOI晶圆片A的硅衬底上。

4.根据权利要求2所述的倒置装配的MEMS芯片封装结构，其特征是，SOI晶圆片A的硅衬底上设置有导电通孔，所述导电通孔从硅衬底一直延伸到SOI晶圆片A的硅电极层。

5.根据权利要求4所述的倒置装配的MEMS芯片封装结构，其特征是，所述导电通孔上制作有金属焊盘，通过键合金属引线与陶瓷管壳引脚之间电连接。

6.根据权利要求2所述的倒置装配的MEMS芯片封装结构，其特征是，在SOI晶圆片A电极层朝向硅衬底方向的外表面上刻蚀出焊盘区域，在焊盘区域上设置金属焊盘。

7.根据权利要求6所述的倒置装配的MEMS芯片封装结构，其特征是，所述金属焊盘通过键合金属引线与陶瓷管壳引脚之间电连接。

8.根据权利要求1所述的倒置装配的MEMS芯片封装结构，其特征是，采用可伐合金盖板密封陶瓷管壳，将MEMS裸芯片密封在陶瓷管壳内。