技术特征:
技术总结
本发明公开了一种倒置装配可应力释放的MEMS芯片封装结构制作方法,在晶圆片A的硅衬底上加工出导电通孔,然后对晶圆片A进行氧化形成二氧化硅保护层;去除硅电极层表面的二氧化硅保护层,在硅电极层上加工出锚点结构和敏感结构腔体;在敏感结构腔体内加工出电极结构;采用键合工艺将另一片晶圆片B的硅电极层键合到晶圆片A的硅电极层上;去除晶圆片B的硅衬底和二氧化硅隔离层;在晶圆片B的硅电极层上加工出敏感结构;将硅帽键合到晶圆片B的硅电极层上;采用深槽刻蚀工艺在晶圆片A的硅衬底上加工出应力释放槽;芯片倒置,将硅帽表面粘胶或键合固定到陶瓷管壳腔体底面,使导电通孔通过键合金属引线与陶瓷管壳引脚之间电连接,最后采用可伐合金盖板密封陶瓷管壳。该方法封装工艺简单、不显著增加封装成本的优势,易于实现。
技术研发人员:凤瑞
受保护的技术使用者:北方电子研究院安徽有限公司
技术研发日:2017.08.16
技术公布日:2017.12.01
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。