技术特征：
技术总结
本揭露实施例提供一种半导体结构及其制造方法。所述方法包含：提供第一衬底；形成多个导电接垫于所述第一衬底上方；形成薄膜于所述多个导电接垫的第一子集上，从而留下从所述薄膜暴露的所述多个导电接垫的第二子集；形成自组装单层SAM于所述薄膜上方；以及经由接合第二衬底的一部分到从所述薄膜暴露的所述多个导电接垫的所述第二子集，通过所述第一衬底与所述第二衬底，形成凹槽。
技术研发人员：谢元智;林杏莲;彭荣辉;吴宜谦
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.04.28
技术公布日：2017.11.10
再多了解一些
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