一种改善MEMS器件牺牲层刻蚀粘结的方法与流程

2021-10-26 12:36:45 来源：中国专利 TAG：制造工艺刻蚀粘结微机集成电路

技术总结
本发明公开了一种改善MEMS器件牺牲层刻蚀粘连的方法。通过刻蚀预处理基底层上表面和牺牲层上表面，增加基底层上表面和上层薄膜下表面的粗糙度，使空腔结构或者悬臂梁结构的上层薄膜所受的向下的拉力减小，从而避免了上层薄膜与基底的粘结、上层薄膜破裂坍塌等现象的发生，以确保MEMS器件结构的完整有效。

技术研发人员：姚嫦娲
受保护的技术使用者：上海集成电路研发中心有限公司
文档号码：201611245912
技术研发日：2016.12.29
技术公布日：2017.06.13

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