一种改善MEMS器件牺牲层刻蚀粘结的方法与流程

技术特征：

1.一种改善MEMS器件牺牲层刻蚀粘结的方法，其特征在于，主要包括以下步骤：

步骤S01：提供一基底层结构；

步骤S02：刻蚀预处理所述基底层上表面，形成粗糙的基底层上表面；

步骤S03：在所述粗糙的基底层表面淀积牺牲层；

步骤S04：图案化牺牲层，形成牺牲层图形；

步骤S05：刻蚀预处理所述牺牲层图形的上表面，形成粗糙的牺牲层图形上表面；

步骤S06：在所述粗糙的牺牲层图形上表面生长上层薄膜，使上层薄膜具有粗糙的下表面；

步骤S07：图案化上层薄膜，形成牺牲层刻蚀开口；

步骤S08：通过牺牲层刻蚀开口刻蚀掉牺牲层材料。

2.如权利要求1所述的改善MEMS器件牺牲层刻蚀粘结的方法，其特征在于：所述步骤S04中，所述牺牲层图形为空腔结构图形或悬臂梁结构图形。

3.如权利要求1所述的改善MEMS器件牺牲层刻蚀粘结的方法，其特征在于：所述步骤S02中，采用第一湿法刻蚀药液刻蚀预处理所述基底层上表面。

4.如权利要求3所述的改善MEMS器件牺牲层刻蚀粘结的方法，其特征在于：所述第一湿法刻蚀药液为SC1混合药液，所述SC1混合药液由NH₄OH、H₂O₂和H₂O组成，NH₄OH、H₂O₂和H₂O的体积比为1:4:20～1:1:5，工艺温度为30℃～70℃,刻蚀时间为30分钟～90分钟。

5.如权利要求1所述的改善MEMS器件牺牲层刻蚀粘结的方法，其特征在于：所述步骤S05中，采用第二湿法刻蚀药液刻蚀预处理所述牺牲层图形的上表面。

6.如权利要求5所述的改善MEMS器件牺牲层刻蚀粘结的方法，其特征在于：所述第二湿法刻蚀药液为第一DHF稀释药液，所述第一DHF稀释药液由HF和H₂O组成，HF和H₂O的体积比为1:50～1:200，工艺温度为20℃～25℃，刻蚀时间为30分钟～60分钟；或者所述第二湿法刻蚀药液为第一BHF稀释药液，所述第一BHF稀释药液由HF、NH₄F和H₂O组成，HF、NH₄F和H₂O体积比为1:5:50～1:20:100，工艺温度为20℃～25℃，刻蚀时间为30分钟～60分钟。

7.如权利要求1所述的改善MEMS器件牺牲层刻蚀粘结的方法，其特征在于：所述步骤S01中，所述基底层的材质为硅；所述步骤S03中，所述牺牲层的材质为二氧化硅；所述步骤S06中,所述上层薄膜的材质为硅。

8.如权利要求1所述的改善MEMS器件牺牲层刻蚀粘结的方法，其特征在于：所述步骤S08中，采用第三湿法刻蚀药液通过牺牲层刻蚀开口刻蚀掉牺牲层材料。

9.如权利要求8所述的改善MEMS器件牺牲层刻蚀粘结的方法，其特征在于：所述第三湿法刻蚀药液为第二DHF稀释药液，所述第二DHF稀释药液由HF和H₂O组成，HF和H₂O体积比为1:1～1:50，工艺温度为20℃～25℃，刻蚀时间为30分钟～60分钟；或者所述第三湿法刻蚀药液为第二BHF稀释药液，所述第二BHF稀释药液由NH₄F和HF组成，NH₄F和HF体积比为20:1～4:1，工艺温度为20℃～25℃，刻蚀时间为30分钟～60分钟。