一种三维GeSn微纳尺度悬臂结构的制备方法与流程

技术总结
本发明提供一种形变可控的三维GeSn微纳尺度悬臂结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：根据所需悬臂结构通过理论计算，设计GeSn薄膜的应力分布和厚度，进而设计所需生长的GeSn薄膜中Sn的组分及GeSn薄膜的厚度；然后外延生长GeSn薄膜，通过精确控制GeSn薄膜中Sn的分布及GeSn薄膜的厚度，调控该GeSn薄膜中的应力分布；根据GeSn薄膜的应力分布和悬臂结构图形，对该材料进行光刻和刻蚀，制作出所需悬臂结构。本发明克服了难以制备全金属实体的三维微纳结构的问题，直接在锗锡材料上制备而成的三维悬臂结构，在高温或者导电方面都比聚合物的三维微结构更有优势。

技术研发人员：韩奕;李耀耀;宋禹忻;朱忠赟珅;张振普;曹春芳;王庶民
受保护的技术使用者：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
文档号码：201611126275
技术研发日：2016.12.09
技术公布日：2017.05.31