技术总结
本发明微电容式加速度传感器中梁的加工方法涉及传感器领域,具体涉及微电容式加速度传感器中梁的加工方法,包括以下步骤:选取P型单晶硅片生长二氧化硅掩模,硅晶片主要是为了制作重掺杂的硼硅膜,用做电容的一个电极,先在硅片的两面氧化出5~6um的氧化层,光刻相应的沟槽形状,然后用四甲基氢氧化氨水溶液腐蚀得到2um的真空腔;选用固态硼源硼扩,然后用BHF液除去硅片另一面用作保护的氧化层,浓硼扩散其实首先是在上步骤所刻出的槽中采用套刻出二氧化硅的掩模来;玻璃是传感器的衬底,也是电容的另一个电极,本发明操作简单,方便加工,且能保证加工质量,满足工况要求。
技术研发人员:张淑芬
受保护的技术使用者:陕西启源科技发展有限责任公司
文档号码:201611138872
技术研发日:2016.12.12
技术公布日:2017.05.31
本发明微电容式加速度传感器中梁的加工方法涉及传感器领域,具体涉及微电容式加速度传感器中梁的加工方法,包括以下步骤:选取P型单晶硅片生长二氧化硅掩模,硅晶片主要是为了制作重掺杂的硼硅膜,用做电容的一个电极,先在硅片的两面氧化出5~6um的氧化层,光刻相应的沟槽形状,然后用四甲基氢氧化氨水溶液腐蚀得到2um的真空腔;选用固态硼源硼扩,然后用BHF液除去硅片另一面用作保护的氧化层,浓硼扩散其实首先是在上步骤所刻出的槽中采用套刻出二氧化硅的掩模来;玻璃是传感器的衬底,也是电容的另一个电极,本发明操作简单,方便加工,且能保证加工质量,满足工况要求。
技术研发人员:张淑芬
受保护的技术使用者:陕西启源科技发展有限责任公司
文档号码:201611138872
技术研发日:2016.12.12
技术公布日:2017.05.31
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。