一种高频芯片的低损耗互连工艺方法与流程

2021-10-26 12:33:23 来源：中国专利 TAG：互连频段封装低损耗电子器件

技术总结
本发明公开了一种高频芯片的低损耗互连工艺方法，属于微电子器件互连封装领域，该方法采用MEMS微加工工艺技术实现高频芯片焊盘间的金属互连，可缩短芯片互连的跨接距离，降低寄生效应引入的损耗，提高器件的频率特性；且互连金属尺寸、形状可控行好；还可以实现同一功能集成板上多芯片的一次性互连，缩短工艺制作周期，可用于高频段甚至太赫兹频段电子器件间的低损耗金属互连和集成封装。

技术研发人员：苏娟;郑英彬;刘清锋;刘杰;康小克;冯正;谭为;邓贤进;张健
受保护的技术使用者：中国工程物理研究院电子工程研究所
文档号码：201610963499
技术研发日：2016.11.04
技术公布日：2017.01.04

再多了解一些