MEMS双层悬浮微结构的制作方法和MEMS红外探测器与流程

技术特征：

1.一种MEMS双层悬浮微结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：

提供基片；

在基片上形成第一介质层；

将所述第一介质层图形化以制作第一膜体和连接所述第一膜体的悬臂梁；

在所述第一介质层上形成牺牲层；

将位于所述第一膜体上的牺牲层图形化以制作出用于形成支撑结构的凹部，所述凹部的底部暴露出所述第一膜体；

在所述牺牲层上形成第二介质层；

将所述第二介质层图形化以制作出第二膜体和所述支撑结构，所述支撑结构连接所述第一膜体和所述第二膜体；

去除所述第一膜体下的部分基片，去除所述牺牲层，得到MEMS双层悬浮微结构。

2.根据权利要求1所述的MEMS双层悬浮微结构的制作方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述第一膜体下的部分基片。

3.根据权利要求1所述的MEMS双层悬浮微结构的制作方法，其特征在于，采用气相氟化氙干法刻蚀工艺或深反应离子刻蚀工艺去除所述第一膜体下的部分基片。

4.根据权利要求1所述的MEMS双层悬浮微结构的制作方法，其特征在于，所述牺牲层为聚酰亚胺层，采用氧离子干法刻蚀工艺去除所述牺牲层；或

所述牺牲层为非晶硅，采用干法刻蚀工艺去除所述牺牲层。

5.根据权利要求1所述的MEMS双层悬浮微结构的制作方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度为500nm～3000nm。

6.根据权利要求1所述的MEMS双层悬浮微结构的制作方法，其特征在于，所述第一介质层和第二介质层的厚度均为100nm～2000nm。

7.根据权利要求1所述的MEMS双层悬浮微结构的制作方法，其特征在于，形成所述第一介质层和第二介质层的材质为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其两两组合层叠或三种组合层叠。

8.根据权利要求1所述的MEMS双层悬浮微结构的制作方法，其特征在于， 所述悬臂梁为两条，分别位于所述第一膜体的两侧。

9.根据权利要求1所述的MEMS双层悬浮微结构的制作方法，其特征在于，所述第二膜体在水平方向上的投影面积比所述第一膜体在水平方向上的投影面积大。

10.一种MEMS红外探测器，其特征在于，包括利用权利要求1～9任一项所述的MEMS双层悬浮微结构的制作方法制作出的MEMS双层悬浮微结构。