MEMS基片的加工方法与流程

技术特征：

1.一种MEMS基片的加工方法，其特征在于，包括步骤：

提供基片，所述基片包括正面、侧面和背面；

在所述基片的正面形成第一掩膜层；

对所述第一掩膜层进行图形化并暴露所述基片的部分正面；

在所述基片的侧面形成第二掩膜层，在所述基片的背面形成第三掩膜层；

对所述基片暴露的部分正面进行腐蚀。

2.根据权利要求1所述的MEMS基片的加工方法，其特征在于，通过等离子体增强化学气相沉积工艺在所述基片的正面形成第一掩膜层。

3.根据权利要求1所述的MEMS基片的加工方法，其特征在于，通过等离子体增强化学气相沉积工艺在所述基片的侧面形成第二掩膜层并在所述基片的背面形成第三掩膜层。

4.根据权利要求1所述的MEMS基片的加工方法，其特征在于，形成所述第一掩膜层、第二掩膜层和第三掩膜层的材料包括二氧化硅。

5.根据权利要求1所述的MEMS基片的加工方法，其特征在于，所述第一掩膜层的厚度为0.5微米～2微米。

6.根据权利要求1所述的MEMS基片的加工方法，其特征在于，对所述基片暴露的部分正面利用氢氧化钾或四甲基氢氧化铵进行湿法腐蚀。

7.根据权利要求1所述的MEMS基片的加工方法，其特征在于，对所述基片暴露的部分正面进行深反应离子刻蚀。

8.根据权利要求1所述的MEMS基片的加工方法，其特征在于，所述基片的材料包括半导体材料。