晶圆结构及晶圆加工方法与流程

技术特征：

1.一种晶圆结构，用于形成多个管芯，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；

位于所述半导体衬底的第一表面上的多个第一功能层和多个第二功能层，所述多个第一功能层由划片道隔开，所述多个第二功能层位于所述划片道中；以及

位于所述多个第二功能层下方的多个划片标记，

其中，所述多个管芯分别包括半导体衬底的一部分和所述多个第一功能层中的相应一个功能层，所述多个第二功能层用于提供所述多个管芯中的相邻管芯之间的机械和/或电连接。

2.根据权利要求1所述的晶圆结构，其中，所述多个划片标记是在所述第一表面开口的多个凹槽，所述多个第二功能层分别覆盖所述开口的至少一部分。

3.根据权利要求1所述的晶圆结构，其中，所述多个划片标记是在所述第二表面开口的多个凹槽。

4.根据权利要求2或3所述的晶圆结构，其中，所述划片道用于激光切割，并且所述多个凹槽的延伸方向与激光扫描移动的方向一致。

5.根据权利要求4所述的晶圆结构，其中，所述多个凹槽的长度大于等于所述多个第二功能层的相应功能层沿着激光扫描移动的方向的尺寸。

6.根据权利要求4所述的晶圆结构，其中，所述多个凹槽的宽度小于5微米。

7.根据权利要求4所述的晶圆结构，其中，所述多个凹槽的深度达到所述激光扫描在所述半导体衬底中的聚焦深度。

8.根据权利要求1所述的晶圆结构，其中，所述多个管芯分别为MEMS麦克风，所述多个第二功能层用于提供相邻的MEMS麦克风的公共锚区和电连接中的至少之一。

9.一种晶圆加工方法，包括：

形成多个管芯，所述多个管芯分别包括半导体衬底的一部分和位于 半导体衬底的第一表面上的多个第一功能层中的相应一个功能层，所述多个第一功能层由划片道隔开；

在所述划片道中形成多个第二功能层，用于提供所述多个管芯中的相邻管芯之间的机械和/或电连接；

在所述多个第二功能层下方，形成多个划片标记；以及

沿着划片道进行激光切割。

10.根据权利要求9所述的晶圆加工方法，形成多个划片标记包括形成在所述第一表面开口的多个凹槽，其中，在形成所述多个划片标记之后形成所述第二功能层，使得所述多个第二功能层分别覆盖所述开口的至少一部分。

11.根据权利要求9所述的晶圆加工方法，形成多个划片标记包括形成在所述半导体衬底的第二表面开口的多个凹槽，其中所述第一表面和所述第二表面彼此相对。

12.根据权利要求10或11所述的晶圆加工方法，其中，所述激光切割包括：

在半导体衬底的所述第二表面附着胶膜；

在半导体衬底的所述第一表面，沿着划片道移动激光，执行激光扫描，在所述半导体衬底中形成改质层；以及

扩展胶膜，使得相邻的管芯彼此分离。

13.根据权利要求12所述的晶圆加工方法，其中，所述激光切割的方向与所述多个凹槽的延伸方向一致。

14.根据权利要求12所述的晶圆加工方法，其中，沿着划片道执行多次激光扫描，使得每次激光扫描中，激光聚焦于所述半导体衬底中的不同深度。

15.根据权利要求14所述的晶圆加工方法，其中，所述多次激光扫描中的至少一次激光扫描的深度达到凹槽的深度。

16.根据权利要求12所述的晶圆加工方法，其中，所述激光扫描形成的改质层以提供初始裂纹，所述初始裂纹与所述多个凹槽形成连续的路径。

17.根据权利要求9所述的晶圆加工方法，其中，在形成所述多个 第二功能层的步骤和激光切割的步骤之间，还包括执行晶圆测试，其中，所述多个第二功能层提供所述多个管芯的连接，从而实现所述多个管芯的串联或并联测试。