技术总结
提出一种具有MEMS构造元件和ASIC构造元件的混合集成构件,其微机械功能基于电容探测原理和激励原理。MEMS构造元件的功能性在半导体衬底上的层结构中实现。MEMS构造元件的层结构包括半印制导线层面和功能层,在该功能层中MEMS构造元件的微机械结构构造有可偏转结构元件。印制导线层面一方面通过绝缘层相对于半导体衬底绝缘、另一方面通过绝缘层相对于功能层绝缘。ASIC构造元件面朝下安装在MEMS构造元件的层结构上并且对于MEMS构造元件的微机械结构起盖的作用。根据本发明,MEMS构造元件的可偏转结构元件构造有电容装置的电极。在MEMS构造元件的印制导线层面中构造有电容装置的固定反电极,ASIC构造元件包括电容装置的另外的反电极。
技术研发人员:J·克拉森;J·弗莱
受保护的技术使用者:罗伯特·博世有限公司
文档号码:201310177825
技术研发日:2013.05.14
技术公布日:2016.12.07
提出一种具有MEMS构造元件和ASIC构造元件的混合集成构件,其微机械功能基于电容探测原理和激励原理。MEMS构造元件的功能性在半导体衬底上的层结构中实现。MEMS构造元件的层结构包括半印制导线层面和功能层,在该功能层中MEMS构造元件的微机械结构构造有可偏转结构元件。印制导线层面一方面通过绝缘层相对于半导体衬底绝缘、另一方面通过绝缘层相对于功能层绝缘。ASIC构造元件面朝下安装在MEMS构造元件的层结构上并且对于MEMS构造元件的微机械结构起盖的作用。根据本发明,MEMS构造元件的可偏转结构元件构造有电容装置的电极。在MEMS构造元件的印制导线层面中构造有电容装置的固定反电极,ASIC构造元件包括电容装置的另外的反电极。
技术研发人员:J·克拉森;J·弗莱
受保护的技术使用者:罗伯特·博世有限公司
文档号码:201310177825
技术研发日:2013.05.14
技术公布日:2016.12.07
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。