混合集成的构件的制作方法与工艺

技术特征：
1.混合集成的构件(100)，具有至少一个MEMS构造元件(10)并具有至少一个ASIC构造元件(20)，其中，所述MEMS构造元件(10)的功能性在半导体衬底(1)上的层结构中实现，其中，所述MEMS构造元件(10)的所述层结构包括至少一个半印制导线层面(3)和至少一个功能层(5)，在所述功能层中所述MEMS构造元件(10)的微机械结构构造有至少一个可偏转的结构元件(11)，其中，所述印制导线层面(3)一方面通过至少一个绝缘层(2)相对于所述半导体衬底(1)绝缘，另一方面通过至少一个绝缘层(4)相对于所述功能层(5)绝缘，其中，所述ASIC构造元件(20)面朝下安装在所述MEMS构造元件(10)的所述层结构上并且对于所述MEMS构造元件(10)的微机械结构起到盖的作用；其特征在于，所述MEMS构造元件(10)的所述可偏转的结构元件构造有一电容装置的至少一个电极，在所述MEMS构造元件(10)的所述印制导线层面(3)中构造有所述电容装置的至少一个固定的反电极(32)，所述ASIC构造元件(20)包括所述电容装置的至少一个另外的反电极(611)。2.根据权利要求1所述的混合集成的构件(100；200)，其特征在于，在所述ASIC构造元件(20)的上侧面上构造有具有多个电路层面(61，62，63，…)的层结构，所述电路层面通过绝缘层(22)相对于所述ASIC构造元件(20)的所述半导体衬底(21)电绝缘并且彼此相对电绝缘，所述电容装置的所述至少一个另外的反电极(611，621)构造在所述电路层面(61，62)之一中。3.根据权利要求2所述的混合集成的构件(100)，其特征在于，所述ASIC构造元件(20)的一电路层面(61)的至少一个电极面(612)对于 所述MEMS构造元件(10)的可偏转的结构元件(11)用作机械止挡，所述电极面(612)这样连线，使得其处于与所述MEMS构造元件(10)的微机械结构相同的电位上。4.根据权利要求2或3所述的混合集成的构件(600)，其特征在于，所述MEMS构造元件(10)的印制导线层面(3)的在空间上分开的区域(33，34)通过所述功能层(5)中的连接区域(51)和所述ASIC构造元件的至少一个电路层面(61，62，63)电连接。5.根据权利要求1至3之一所述的混合集成的构件(500)，其特征在于，在所述ASIC构造元件(20)的上侧面中构造有至少一个用于所述MEMS构造元件(10)的所述可偏转的结构元件(11)的空隙(23)。6.根据权利要求1至3之一所述的混合集成的构件(400)，其中，所述ASIC构造元件(20)通过至少一个连接材料(7)安装在所述MEMS构造元件(10)的层结构上，其特征在于，所述连接材料(7)安放在所述ASIC构造元件(20)的上侧面中的空隙中和/或安放在所述MEMS构造元件(10)的上侧面中的空隙中。7.根据权利要求1至3之一所述的混合集成的构件(300)，其特征在于，所述MEMS构造元件(10)的所述功能层(5)在所述微机械结构的区域中是从背侧减薄的。