微纳机电晶圆的圆片级封装方法及结构与流程

技术特征：

技术总结
本发明提供一种微纳机电晶圆的圆片级封装方法及结构，该结构包括：盖板，包括一硅片；硅片正面制作有保护MEMS晶圆正面微机械部件的凹槽，硅片中制作有硅通孔；硅通孔的表面形成有绝缘层；MEMS晶圆，其正面的电极上制造有金属焊盘；MEMS晶圆的正面与盖板的正面键合；所述金属焊盘与所述硅通孔的位置相对应，且所述金属焊盘至少覆盖所述硅通孔的一部分；硅通孔中具有利用液态金属微孔填充技术填充的液态金属；液态金属与金属焊盘键合；MEMS晶圆电极至盖板背面电互连。本发明采用液态金属微孔填充技术对MEMS晶圆进行圆片级封装，大大缩短了TSV的填充时间和制造成本，节省了传统的金属引线键合工艺；在MEMS晶圆电极上预设了金属焊盘保证了封装后的电性连接成功率。

技术研发人员：顾杰斌;刘冰杰;李昕欣
受保护的技术使用者：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;湖州中微科技有限公司
技术研发日：2016.01.21
技术公布日：2017.07.28