针对射频MEMS器件应用的横向互连低温圆片级封装方法与流程

技术特征：

1.针对射频MEMS器件应用的横向互连低温圆片级封装方法，其包括封装盖板制作、封装衬底制作、封装盖板与封装衬底对准键合，其特征在于：

所述封装盖板制作，包括以下步骤，

步骤a1，选择合适的材料作为封装盖材料；

步骤a2，清洗后光刻出键合线图形掩模；

步骤a3，分别生成粘附层、阻挡层、金属层、In层；

步骤a4，制作封装腔体结构；

步骤a5，生成密封环，并在其上沉积有机粘结剂材料，完成封装盖板的制作；

所述封装衬底制作，包括以下步骤，

步骤b1，对衬底基板进行必要清洗；

步骤b2，对衬底基板的下部进行键合对准标记与划片标记；

步骤b3，在衬底基板的上表面生成密封环结构图形、粘附层、阻挡层、金属层；

步骤b4，剥离出键合线金属层图形；

步骤b5，在密封环引线接出位置沉积有机粘剂结材料，完成封装衬底基板的制作；

所述封装盖板与封装衬底对准键合，包括以下步骤，

步骤c1，将封装盖板与封装衬底对准并夹持固定；

步骤c2，送入键合机中进行键合；

步骤c3，冷却到室温，实现低温键合。

2.根据权利要求1所述的针对射频MEMS器件应用的横向互连低温圆片级封装方法，其特征在于：步骤a1所述的合适材料是硅片，或是玻璃、或是GaN。

3.根据权利要求1所述的针对射频MEMS器件应用的横向互连低温圆片级封装方法，其特征在于：步骤a3所述的

生成粘附层为，热蒸发或是溅射20至50nm的Ti，作为粘附层；

生成阻挡层为，溅射50至100nm的Cu，作为反应的阻挡层；

生成金属层为，溅射或是电镀Au层材料，构成金属层；

生成In层为，溅射或是热蒸发或是电镀In层材料，构成In层。

4.根据权利要求1所述的针对射频MEMS器件应用的横向互连低温圆片级封装方法，其特征在于：步骤a3所述的In层表面，沉积有Au层。

5.根据权利要求1所述的针对射频MEMS器件应用的横向互连低温圆片级封装方法，其特征在于：步骤a4中，通过湿法腐蚀，或是干法腐蚀，或是激光烧结制作封装的腔体结构。

6.根据权利要求1所述的针对射频MEMS器件应用的横向互连低温圆片级封装方法，其特征在于：所述步骤b2中，通过光刻并刻蚀出2至5um的深度，作为键合对准标记和划片标记。

7.根据权利要求1所述的针对射频MEMS器件应用的横向互连低温圆片级封装方法，其特征在于：所述步骤b3中，在衬底基板的上表面进行光刻，制作密封环结构图形，通过热蒸发或是溅射20至50nm的Ti作为粘附层，通过溅射50至100nm的Cu，作为反应的阻挡层，通过溅射或是电镀Au，构成金属层。

8.根据权利要求1所述的针对射频MEMS器件应用的横向互连低温圆片级封装方法，其特征在于：所述步骤c2中，升温至100℃至50℃，保压1至3min，抽出夹具，快速升温到160℃至210℃，施加压力1000mbar至2500mbar，键合保压时间20min至30min，撤除压力或是加小压力，实现压力为100mbr至500mbr。

9.根据权利要求8所述的针对射频MEMS器件应用的横向互连低温圆片级封装方法，其特征在于：所述保压时间为2min。

10.根据权利要求1所述的针对射频MEMS器件应用的横向互连低温圆片级封装方法，其特征在于：所述有机粘结剂材料包括有聚酰亚胺、环氧树脂、BCB中的一种或是多种结合。