MEMS器件的形成方法与流程

2021-10-26 12:19:36 来源：中国专利 TAG：半导体器件方法 MEMS

技术总结
一种MEMS器件的形成方法，首先在硅基底表层的部分区域进行离子注入形成改性区，之后在具有改性区的硅基底上形成器件层，在器件层内形成暴露改性区的沟槽，通过该沟槽湿法腐蚀去除该改性区以及部分硅基底以形成空腔，由于改性区的性质与硅基底的性质不同，因而可以通过选择腐蚀溶液，在腐蚀硅基底形成空腔时，能对悬浮于空腔上部的器件层下的改性区材质进行完全去除，由于改性区的完全去除，使得悬浮的可动部件下无硅材质残留，进而提高可动部件的灵敏度。

技术研发人员：张先明;丁敬秀
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
文档号码：201410714490
技术研发日：2014.11.28
技术公布日：2017.08.29

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