MEMS器件的形成方法与流程

技术特征：
1.一种MEMS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供硅基底，在所述硅基底表层的部分区域进行离子注入形成改性区；在所述具有改性区的硅基底上形成器件层；干法刻蚀所述器件层以在其内形成沟槽，所述沟槽暴露出所述改性区；通过所述沟槽湿法去除所述改性区以及部分硅基底以形成空腔，悬浮在所述空腔上部的器件层形成可动部件。2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述湿法去除所述改性区以及部分硅基底采用同一溶液，所述溶液对所述改性区的去除为各向同性腐蚀，对所述硅基底的腐蚀为各向异性去除。3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述硅基底表层注入的离子为硅离子，形成的改性区的材质为无定型硅。4.根据权利要求1或2或3所述的形成方法，其特征在于，所述器件层的材质为二氧化硅。5.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述可动部件为单臂梁或两端支撑的可动薄膜。6.根据权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述可动部件为压阻式湿度传感器的传感元件或电容式湿度传感器的传感元件。...