MEMS传感器封装结构的制作方法

技术特征：

1.一种MEMS传感器封装结构，其特征在于，包括：

基板，所述基板包括第一表面和相对的第二表面，所述基板具有互连线路；

陀螺仪传感器、加速度传感器和磁感应传感器，所述陀螺仪传感器、加速度传感器和磁感应传感器均包括正面和相对的背面，所述陀螺仪传感器的正面包括若干第一外接焊盘，所述加速度传感器的正面包括若干第二外接焊盘，所述磁感应传感器的正面包括若干第三外接焊盘；所述陀螺仪传感器和加速度传感器安装在基板的第一表面，陀螺仪传感器的第一外接焊盘通过第一金属连接结构与互连线路电连接，加速度传感器的第二外接焊盘通过第二金属连接结构与互连线路电连接；所述磁感应传感器安装在基板的第二表面，磁感应传感器的第三外接焊盘通过第三金属连接结构与互连线路电连接；

位于所述基板第二表面上的若干焊接凸起，所述焊接凸起与互连线路电连接，焊接凸起用于与外部电路电连接。

2.如权利要求1所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，所述互连线路包括位于基板中的第一互连线路和第二互连线路，以及位于第二表面上的金属线路层，第一互连线路、第二互连线路与金属线路层相互绝缘，陀螺仪传感器的第一外接焊盘通过第一金属连接结构与第一互连线路电连接，加速度传感器的第二外接焊盘通过第二金属连接结构与第二互连线路电连接，磁感应传感器的第三外接焊盘通过第三金属连接结构与金属线路层电连接；位于基板的第二表面的若干焊接凸起，所述焊接凸起包括第一焊接凸起、第二焊接凸起和第三焊接凸起，所述第一焊接凸起与第一互连线路电连接，第二焊接凸起与第二互连线路电连接，第三焊接凸起与金属线路层电连接。

3.如权利要求2所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，所述陀螺仪传感器和加速度传感器背面贴合于基板的第一表面，第一金属连接结构和第二金属连接结构为金属线，第一金属连接结构的两端分别与第一外接焊盘和第一互连线路电连接，第一金属连接结构的中间部分悬空在陀螺仪传感器两侧，第二金属连接结构的两端分别与第二外接焊盘和第二互连线路电连接，第二金属连接结构的中间部分悬空在加速度传感器两侧；或者所述陀螺仪传感器和加速度传感器背面贴合于基板的第一表面，所述第一金属连接结构贯穿陀螺仪传感器的背面和部分厚度，并与陀螺仪传感器正面的第一外接焊盘电连接，所述第二金属连接结构贯穿加速度传感器的背面与和部分厚度，并与加速度传感器正面的第二外接焊盘电连接；或者所述陀螺仪传感器和加速度传感器分别倒装在基板的第一表面上，所述第一金属连接结构位于第一外接焊盘的表面，第二金属连接结构位于第二外接焊盘的表面。

4.如权利要求3所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，还包括：至少密封所述金属线的点胶层。

5.如权利要求3所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，所述陀螺仪传感器和加速度传感器背面贴合于基板的第一表面，所述陀螺仪传感器还包括角速度感应区，陀螺仪传感器正面上具有第一密封盖，第一密封盖密封所述角速度感应区，若干第一外接焊盘位于第一密封盖两侧；所述加速度传感器还包括加速度感应区，加速度传感器正面上具有第二密封盖，第二密封盖密封所述加速度感应区，若干第二外接焊盘位于第二密封盖两侧。

6.如权利要求2所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，所述磁感应传感器倒装在基板的第二表面上，所述第三金属连接结构位于第三外接焊盘的表面；或者所述磁感应传感器背面贴合于基板的第二表面，第三金属连接结构为金属线，第三金属连接结构的两端分别与第三外接焊盘和金属线路层电连接，第三金属连接结构的中间部分悬空在磁感应传感器两侧；或者所述磁感应传感器背面贴合于基板的第二表面，所述第三金属连接结构贯穿磁感应传感器的背面和部分厚度，并与磁感应传感器正面的第三外接焊盘电连接。

7.如权利要求1所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，还包括数据处理芯片，数据处理芯片与互连线路电连接。

8.如权利要求7所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，所述互连线路包括位于基板中的第三互连线路和第四互连线路，以及位于基板的第二表面上的若干第一金属线路层和若干第二金属线路层，第三互连线路、第四互连线路、第一金属线路层和第二金属线路层之间相互绝缘；陀螺仪传感器的第一外接焊盘通过第一金属连接结构与第三互连线路电连接，加速度传感器的第二外接焊盘通过第二金属连接结构与第四互连线路电连接；磁感应传感器的第三外接焊盘通过第三金属连接结构与第一金属线路层电连接；数据处理芯片安装在基板的第二表面，数据处理芯片与第三互连线路、第四互连线路、第一金属线路层和第二金属线路层电连接；焊接凸起位于基板的第二表面上的第二金属线路层的表面，且与第二金属线路层电连接。

9.如权利要求8所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，所述陀螺仪传感器和加速度传感器背面贴合于基板的第一表面，第一金属连接结构和第二金属连接结构为金属线，第一金属连接结构的两端分别与第一外接焊盘和第三互连线路电连接，第一金属连接结构的中间部分悬空在陀螺仪传感器两侧，第二金属连接结构的两端分别与第二外接焊盘和第四互连线路电连接，第二金属连接结构的中间部分悬空在加速度传感器两侧；或者所述陀螺仪传感器和加速度传感器背面贴合于基板的第一表面，所述第一金属连接结构贯穿陀螺仪传感器的背面和部分厚度，并与陀螺仪传感器正面的第一外接焊盘电连接，所述第二金属连接结构贯穿加速度传感器的背面与和部分厚度，并与加速度传感器正面的第二外接焊盘电连接；或者所述陀螺仪传感器和加速度传感器分别倒装在基板的第一表面上，所述第一金属连接结构位于第一外接焊盘的表面，第二金属连接结构位于第二外接焊盘的表面。

10.如权利要求7所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，所述数据处理芯片倒装在基板的第二表面；或者所述数据处理芯片的背面贴合于基板的第二表面，所述数据处理芯片通过金属线与第三互连线路、第四互连线路和第二金属线路层电连接。

11.如权利要求7所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，所述互连线路包括位于基板中的第五互连线路和第六互连线路，以及位于基板的第一表面的若干第三金属线路层和若干第四金属线路层，第五互连线路、第六互连线路、第三金属线路层和第四金属线路层相互绝缘；陀螺仪传感器的第一外接焊盘通过第一金属连接结构与第三金属线路层电连接，加速度传感器的第二外接焊盘通过第二金属连接结构与第四金属线路层电连接；磁感应传感器的第三外接焊盘通过第三金属连接结构与第五互连线路电连接；数据处理芯片安装在基板的第一表面，数据处理芯片与第三金属线路层、第四金属线路层、第五互连线路和第六互连线路电连接；所述互连线路还包括位于基板的第二表面上的若干第五金属线路层，第五金属线路层与第六互连线路电连接，焊接凸起位于第五金属线路层的表面，且与第五金属线路层电连接。

12.如权利要求1所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，还包括第一数据处理芯片、第二数据处理芯片和第三数据处理芯片，所述第一数据处理芯片与陀螺仪传感器电连接，所述第二数据处理芯片与加速度传感器电连接，所述第三数据处理芯片与磁感应传感器电连接。

13.如权利要求12所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，所述互连线路包括位于基板中的第一互连线路和第二互连线路，以及位于基板的第二表面上的金属线路层；陀螺仪传感器的第一外接焊盘通过第一金属连接结构与第一互连线路电连接，加速度传感器的第二外接焊盘通过第二金属连接结构与第二互连线路电连接；磁感应传感器的第三外接焊盘通过第三金属连接结构与金属线路层电连接；位于基板的第二表面的若干焊接凸起，所述焊接凸起包括第一焊接凸起、第二焊接凸起和第三焊接凸起，第一焊接凸起与第一互连线路电连接，第二焊接凸起与第二互连线路电连接，第三焊接凸起与金属线路层电连接。

14.如权利要求13所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，陀螺仪传感器的正面具有若干第一内部焊盘和第一外接焊盘，第一数据处理芯片位于陀螺仪传感器的正面上，第一数据处理芯片与第一内部焊盘和第一外接焊盘电连接，加速度传感器的正面具有若干第二内部焊盘和第二外接焊盘，第二数据处理芯片位于加速度传感器的正面，第二数据处理芯片与第二内部焊盘和第二外接焊盘电连接，磁感应传感器的正面具有第三内部焊盘和第三外接焊盘，第三数据处理芯片位于磁感应传感器正面上，第三数据处理芯片与第三内部焊盘和第三外接焊盘电连接。

15.如权利要求14所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，所述第一数据处理芯片包括正面和相对的背面，所述第一数据处理芯片的正面具有输入焊盘和输出焊盘，第一数据处理芯片的输入焊盘通过第四金属连接结构与第一内部焊盘电连接，第一数据处理芯片的输出焊盘通过第五金属连接结构与第一外接焊盘电连接，所述第二数据处理芯片包括正面和相对的背面，输入焊盘和输出焊盘位于第二数据处理芯片的正面，第二数据处理芯片的输入焊盘通过第六金属连接结构与第二内部焊盘电连接，第二数据处理芯片的输出焊盘通过第七金属连接结构与第二外接焊盘电连接，所述第三数据处理芯片包括正面和相对的背面，输入焊盘和输出焊盘位于第三数据处理芯片的正面，第三数据处理芯片的输入焊盘通过第八金属连接结构与第三内部焊盘电连接，第三数据处理芯片的输出焊盘通过第九金属连接结构与第三外接焊盘电连接。

16.如权利要求15所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，所述第一数据处理芯片的背面贴合于陀螺仪传感器的正面，第二数据处理芯片的背面贴合于加速度传感器的正面，第三数据处理芯片的背面贴合于磁感应传感器的正面；或者所述第一数据处理芯片倒装在陀螺仪传感器的正面上，所述第二数据处理芯片倒装在加速度传感器的正面上，所述第三数据处理芯片倒装在磁感应传感器的正面上。

17.如权利要求16所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，所述第一数据处理芯片、第二数据处理芯片和第三数据处理芯片的背面形成凹槽。

18.如权利要求1所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，所述陀螺仪传感器为三轴陀螺仪传感器，所述加速度传感器为三轴加速度传感器，所述磁感应传感器为三轴磁感应传感器。