氮化硼及生产氮化硼的方法与流程

技术特征：

1.一种h-BN纳米片。

2.如权利要求1所述的h-BN纳米片，其中，所述h-BN纳米片为少层h-BN纳米片。

3.如权利要求2所述的h-BN纳米片，其中，所述h-BN纳米片具有6层至20层BN。

4.如权利要求1所述的h-BN纳米片，其中，所述h-BN纳米片含有少于0.1原子百分比的金属杂质。

5.如权利要求1所述的h-BN纳米片，其中，根据X射线粉末衍射测定，所述h-BN纳米片不含r-BN。

6.如权利要求1所述的h-BN纳米片，其中，所述h-BN纳米片的X射线粉末衍射图d₀₀₂峰的半峰全宽(FWHM)为至多0.50。

7.如权利要求1所述的h-BN纳米片，其中，所述h-BN纳米片的X射线粉末衍射图d₀₀₂峰的半峰全宽(FWHM)为至多0.30。

8.如权利要求1所述的h-BN纳米片，其中，所述h-BN纳米片的X射线粉末衍射图d₁₀₀峰的半峰全宽(FWHM)为至多0.50。

9.如权利要求1所述的h-BN纳米片，其中，所述h-BN纳米片的X射线粉末衍射图d₁₀₀峰的半峰全宽(FWHM)为至多0.25。

10.如权利要求1-9中任一项所述的h-BN纳米片，其中，所述h-BN纳米片的粒径为250nm至900nm。

11.一种制备BN纳米片的方法，所述方法包括将包含(1)碱性硼氢化物和(2)铵盐的混合物加热至至少500℃的温度。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述碱性硼氢化物包括KBH₄。

13.如权利要求11所述的方法，其中，所述铵盐包括NH₄Cl。

14.如权利要求11所述的方法，所述方法进一步包括用水和/或酸对产物进行洗涤以除去任何副产物。

15.如权利要求11所述的方法，其中，所述加热在密闭容器中进行。

16.如权利要求11所述的方法，其中，所述加热在至少600℃的温度下进行。

17.如权利要求11所述的方法，其中，所述加热在至少700℃的温度下进行。

18.如权利要求11所述的方法，其中，所述加热在至少800℃的温度下进行。

19.如权利要求11所述的方法，其中，所述加热进行至少24小时。

20.如权利要求11所述的方法，其中，所述加热进行至少48小时。

21.如权利要求11-20中任一项所述的方法，其中，所述混合物还包含NaN₃。

22.一种电容器，所述电容器包含：

(a)衬底；

(b)在所述衬底上的第一导电层；

(c)在所述导电层上的绝缘层；以及

(d)在所述绝缘层上的第二导电层，

其中，所述绝缘层包含如权利要求1-9中任一项所述的h-BN纳米片。

23.一种电容器，所述电容器包含：

(a)衬底；

(b)在所述衬底上的第一导电层；

(c)在所述导电层上的绝缘层；以及

(d)在所述绝缘层上的第二导电层，

其中，所述绝缘层包含如权利要求10所述的h-BN纳米片。

24.由权利要求11-20中任一项所述的方法制备的BN纳米片。

25.由权利要求21所述的方法制备的BN纳米片。