一种导流筒的制作方法

1.本实用新型涉及单晶炉配件领域，具体涉及一种导流筒。


背景技术：

2.碳杂质含量是单晶重要电性能指标之一，在单晶中碳杂质会促进缺陷形成，影响单晶电池的转换效率。目前电池厂家对单晶中碳杂质含量要求较高，但很少有单晶厂能做到。碳杂质在硅中有效分凝系数为0.07，在单晶中分布呈现头低尾高，因此对碳杂质含量监控以单晶尾部为主。
3.使用品质好的原料确实可以降低单晶中碳杂质含量，但会抬高原料使用价格，引起整体成本上升。目前在拉制单晶时通常采用一炉多棒的方式，在拉完一棒之后需要加料进行下一棒拉制，加料过程中原料会堆积在内导流筒上造成碳剐蹭、碳沾污，引起单晶中碳杂质含量升高。
4.目前采用将导流筒内部替换成石英材质以减少石墨制成的导流筒与单晶原料接触的几率的方式控制单晶硅碳含量超标的概率，但石英材质的加工难度大，无法折弯或制造复杂的结构，与单晶原料接触部分采用全石英材质的导流筒难以容置水冷屏。


技术实现要素：

5.本实用新型目的是：提供一种导流筒。
6.本实用新型的技术方案是：一种导流筒，包括外筒和穿设在所述外筒内的内筒，所述内筒包括上部内筒与下部内筒，所述上部内筒与下部内筒均为两端开口的石英筒，所述内筒还包括抵接于所述上部内筒与下部内筒之间的过渡部，所述过渡部上开设有供物料从所述上部内筒内进入所述下部内筒内的通料口，所述上部内筒与所述过渡部的相接处形成用于承托水冷屏的台阶。
7.在一些较佳的实施方式中，所述外筒为两端开口的空心柱体结构，所述内筒为倒置的空心圆台结构。
8.在一些较佳的实施方式中，所述外筒与内筒的形状相同且所述外筒与内筒之间设置有间隙，所述间隙内填充有保温层。
9.在一些较佳的实施方式中，所述外筒具有相对设置的第一端和第二端，所述第一端向远离所述外筒轴心方向延伸形成第一延伸部；所述上部内筒具有相对设置的第三端和第四端，所述第三端向远离所述上部内筒的轴心方向延伸形成第三延伸部，所述第一延伸部与所述第三延伸部相抵接以实现对所述第三延伸部的承托。
10.在一些较佳的实施方式中，所述第二端向所述外筒轴心方向延伸形成第二延伸部，所述下部内筒具有相对设置的第五端和第六端，所述第五端与所述过渡部相抵接，所述第六端与所述第二延伸部相抵接。
11.在一些较佳的实施方式中，所述第四端的端面与所述过渡部的端面相抵触以形成所述台阶，所述台阶上承托有位于所述上部内筒内腔的水冷屏。
12.在一些较佳的实施方式中，所述水冷屏为筒状，且所述水冷屏的外壁与所述上部内筒的内腔贴合。
13.在一些较佳的实施方式中，所述下部内筒与所述过渡部相接端的开口与所述通料口均为圆形，且所述下部内筒与所述过渡部相接端的开口直径大于或等于所述通料口的直径。
14.在一些较佳的实施方式中，所述水冷屏与所述过渡部相接端的开口为圆形，且所述水冷屏与所述过渡部相接端的开口直径小于或等于所述通料口的直径。
15.在一些较佳的实施方式中，所述保温层包括软毡。
16.与现有技术相比，本实用新型的优点是：提供一种导流筒，包括外筒和穿设在所述外筒内的内筒，所述内筒包括上部内筒与下部内筒，所述上部内筒与下部内筒均为两端开口的石英筒，所述内筒还包括抵接于所述上部内筒与下部内筒之间的过渡部，所述过渡部上开设有供物料从所述上部内筒内进入所述下部内筒内的通料口，所述上部内筒与所述过渡部的相接处形成用于承托水冷屏的台阶；采用石英筒作为导流筒的内筒，减少导流筒与单晶原料接触的几率以有效控制单晶硅碳含量超标的概率，并且内筒的上、下内筒之间通过设置过渡部形成用于承托水冷屏的台阶，通过分体结构和过渡部的设计能够承托水冷屏，从而能够加快拉制晶棒时散发的热量，提高拉速。
附图说明
17.下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：
18.图1为实施例2所提供的一种导流筒的结构示意图；
19.其中：1、外筒；1a、第一延伸部；1b、第二延伸部；2、内筒；2a、上部内筒；2a1、第三延伸部；2b、下部内筒；3、过渡部；4、水冷屏；5、保温层。
具体实施方式
20.实施例1：本实施例提供一种导流筒，参照图1所示，包括外筒1和穿设在所述外筒1内的内筒2，所述内筒2包括上部内筒2a与下部内筒2b，所述上部内筒2a与下部内筒2b均为两端开口的石英筒，所述内筒2还包括抵接于所述上部内筒2a与下部内筒2b之间的过渡部3，所述过渡部3上开设有供物料从所述上部内筒2a内进入所述下部内筒2b内的通料口，所述上部内筒2a与所述过渡部3的相接处形成用于承托水冷屏4的台阶。
21.本实用新型对过渡部3的材质与形状不作具体限定，只要能实现对水冷屏4的稳定承托和物料在上部内筒2a与下部内筒2b之间的顺利通过即可。于本实施例中，过渡部3优选为石墨环，该石墨环的两端面分别与上部内筒 2a与下部内筒2b相抵接，防止有缝隙影响导流筒内的温度和物料的逸出。
22.作为一种优选，于本实施例中，所述外筒1为两端开口的空心柱体结构，所述内筒2为倒置的空心圆台结构，安装后外筒1与内筒2之间自然形成稳定的间隙便于后续设置保温层，优选上部内筒2a与下部内筒2b均内壁倾斜设置，便于物料下滑防止物料堆积于内筒2内,并且在拉晶过程中，晶体散发的热量辐射至内筒2下部，被折射至单晶炉炉盖上，对拉速有帮助。
23.作为一种优选，于本实施例中，所述外筒1具有相对设置的第一端和第二端，所述
第一端向远离所述外筒1轴心方向延伸形成第一延伸部1a；所述上部内筒2a具有相对设置的第三端和第四端，所述第三端向远离所述上部内筒2a的轴心方向延伸形成第三延伸部2a1，所述第一延伸部1a与所述第三延伸部2a1相抵接以实现对所述第三延伸部2a1的承托。
24.更优选的，所述第二端向所述外筒1轴心方向延伸形成第二延伸部1b，所述下部内筒2b具有相对设置的第五端和第六端，所述第五端与所述过渡部3相抵接，所述第六端与所述第二延伸部1b相抵接。
25.更优选的，所述第四端的端面与所述过渡部3的端面相抵触以形成所述台阶，所述台阶上承托有位于所述上部内筒2a内腔的水冷屏4。水冷屏4 用来带走晶体散发的热量，提高拉速。
26.更优选的，所述水冷屏4为筒状，且所述水冷屏4的外壁与所述上部内筒2a的内腔贴合，结构更稳定，并且水冷屏4与上部内筒2a贴合增大接触面积进一步提高散热效果。
27.更优选的，所述下部内筒2b与所述过渡部3相接端的开口与所述通料口均为圆形，且所述下部内筒2b与所述过渡部3相接端的开口直径大于或等于所述通料口的直径，物料更顺利地经过通料口进入下部内筒2b而不会被下部内筒2b与所述过渡部3相接端的开口边缘挡止。
28.更优选的，所述水冷屏4与所述过渡部3相接端的开口为圆形，且所述水冷屏4与所述过渡部3相接端的开口直径小于或等于所述通料口的直径，即水冷屏4的下部开口内径小于石墨环的内径，水冷屏4的下部遮挡石墨环，防止单晶原料与石墨环接触。
29.本实施例提供的一种导流筒，采用石英筒作为导流筒的内筒，减少导流筒与单晶原料接触的几率以有效控制单晶硅碳含量超标的概率，并且内筒的上、下内筒之间通过设置过渡部形成用于承托水冷屏的台阶，通过分体结构和过渡部的设计能够承托水冷屏，从而能够加快拉制晶棒时散发的热量，提高拉速。
30.进一步的，过渡部对水冷屏进行承托的同时避免在物料穿过水冷屏进入下部内筒时挡止物料，防止物料堆积在内筒内部。
31.实施例2：本实施例与实施例2的区别在于：本实施例中所述外筒1与内筒2的形状相同且所述外筒1与内筒2之间设置有间隙，间隙内填充有保温层5。示例性的，外筒1与内筒2均为空心柱体结构或均为倒置的空心圆台结构。
32.需要说明的是，在本实用新型的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”、“第五”、“第六”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”、“第四”、“第五”、“第六”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
33.除非另有明确的规定和限定，术语“抵接”仅限定位置关系，应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
34.当然上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型主要技术方案的精神实质所做的修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。