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Si系活性物质的制造方法与流程

2021-09-28 23:21:00 来源:中国专利 TAG:活性 物质 方法 制造 公开

技术特征:
1.一种si系活性物质的制造方法,所述si系活性物质包含具有ii型笼合物晶相的si系笼形化合物,所述制造方法的特征在于,具有:在340℃以上且低于400℃的温度下对含有na元素和si元素的合金进行热处理从而制备所述si系笼形化合物的第1热处理工序;在所述第1热处理工序后,在340℃以上且低于470℃的温度下对所述si系笼形化合物进行热处理的第2热处理工序;在所述第2热处理工序后,将所述si系笼形化合物冷却到低于340℃的温度的冷却工序;以及在所述冷却工序后,在340℃以上且低于470℃的温度下对所述si系笼形化合物进行热处理的第3热处理工序。2.根据权利要求1所述的si系活性物质的制造方法,在所述第3热处理工序中,将所述si系笼形化合物与sio一起在340℃以上且小于470℃的温度下进行热处理。3.根据权利要求1或2所述的si系活性物质的制造方法,所述第1热处理工序中的热处理温度为340℃以上且395℃以下。4.根据权利要求1~3中任一项所述的si系活性物质的制造方法,所述合金中,包含相对于1摩尔所述si元素为0.8摩尔以上且1.5摩尔以下的所述na元素。5.根据权利要求1~4中任一项所述的si系活性物质的制造方法,所述第1热处理工序中的热处理时间为14小时以下。6.根据权利要求1~5中任一项所述的si系活性物质的制造方法,所述第2热处理工序中的热处理时间为6小时以下。7.根据权利要求1~6中任一项所述的si系活性物质的制造方法,所述第3热处理工序中的热处理时间为16小时以下。

技术总结
提供一种包含Si系笼形化合物的Si系活性物质的制造方法,其能够在维持II型笼合物晶相的状态下减少Na元素的含量。一种Si系活性物质的制造方法,所述Si系活性物质包含具有II型笼合物晶相的Si系笼形化合物,所述制造方法的特征在于,具有:在340℃以上且低于400℃的温度下对含有Na元素和Si元素的合金进行热处理从而制备所述Si系笼形化合物的第1热处理工序;在所述第1热处理工序后,在340℃以上且低于470℃的温度下对所述Si系笼形化合物进行热处理的第2热处理工序;在所述第2热处理工序后,将所述Si系笼形化合物冷却到低于340℃的温度的冷却工序;以及在所述冷却工序后,在340℃以上且低于470℃的温度下对所述Si系笼形化合物进行热处理的第3热处理工序。进行热处理的第3热处理工序。


技术研发人员:吉田淳 铃木一裕 大泷光俊
受保护的技术使用者:丰田自动车株式会社
技术研发日:2021.03.15
技术公布日:2021/9/27
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