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一种聚硅氮烷连接碳化硅的方法与流程

2021-09-25 04:32:00 来源:中国专利 TAG:碳化硅 连接 特别 方法 陶瓷材料


1.本发明属于陶瓷材料领域,特别涉及一种聚硅氮烷连接碳化硅的方法。


背景技术:

2.在现代高温结构材料中,碳化硅材料由于其较高的弹性模量、适中的密度、较小的热膨胀系数、较高的导热系数、耐热冲击性、高的比刚度、高度的尺寸稳定性及热性能与机械性能的各向同性等一系列优良的物理性质,普遍用于陶瓷球轴承、阀门、半导体料、陀螺、测量仪、航空航天等领域,已经成为一种在很多工业领域不可替代的材料。碳化硅具有优良的物理和化学性能:
3.力学性能:高硬度(克氏硬度为3000kg/mm2),可以切割红宝石;高耐磨性,仅次于金刚石。
4.热学性能:热导率超过金属铜,是si的3倍,是gaas的8~10倍,散热性能好,对于大功率器件非常重要,sic的热稳定性较高,在常压下不可能熔化sic。
5.化学性能:耐腐蚀性非常强,室温下几乎可以抵抗任何已知的腐蚀剂,sic表面易氧化生成sio2薄层,能防止其进一步氧化,在高于1700℃时,这层氧化膜熔化并迅速发生氧化反应。sic能溶解于熔融的氧化剂物质。
6.电学性能:4h

sic和6h

sic带隙约是si的3倍,是gaas的2倍;其击穿电场强度高于si一个数量级,饱和电子漂移速度是si的2.5倍。4h

sic的带隙比6h

sic更宽。
7.碳化硅复合材料制备多数采用近净成形的制备方法,但为了满足高精度装配和使用的要求,一般都需要对其二次加工,以达到其表面质量和尺寸形状精度等的要求,采用传统机械加工工艺加工时,由于sic材料不仅具有高硬度的特点,高脆性、低断裂韧性也使得其磨削加工过程中易引起材料的脆性断裂从而在材料表面留下表面破碎层,且产生较为严重的表面与亚表层损伤,影响加工精度,严重影响其加工质量,因此通常需要通过陶瓷之间的连接技术来制取这些零部件。因此目前急需研究和开发新型的陶瓷连接材料解决sic陶瓷连接方面的问题,在对母材损伤较小的前提下获得较好的连接性能。


技术实现要素:

8.为了克服现有技术的缺点与不足,本发明的首要目的在于提供一种聚硅氮烷连接碳化硅的方法。该方法具有原材料易得、工艺简单、连接强度较高的特点。
9.本发明的目的通过下述技术方案实现:
10.一种聚硅氮烷连接碳化硅的方法,包括以下操作步骤:
11.s1.将聚硅氮烷涂抹在清洗过的无压碳化硅基底上,然后将两块涂抹了聚硅氮烷的无压碳化硅基底以涂抹叠放在一起,得到样品;
12.s2.将样品放在石墨坩埚中,并施加0.1n轴向力,在空气环境下,以1℃/min升温速率,加热至140℃保温16

28h,进行交联固化;
13.s3.将经过步骤s2交联固化后的样品置于管式炉中,氮气气氛下,以速率为1℃/
min升温速率升温至240℃,保温1h,然后以1℃/min升温速率升温至500℃,保温1h,最后以1℃/min升温速率升温至1300℃,并保温2h进行高温烧结。
14.步骤s3中所述氮气气氛的流速≥0.12l/min。
15.本发明相对于现有技术具有如下的优点及效果:
16.(1)本发明所需要的原料来源于商业购买,都是廉价易得的产品,原材料的安全系数较高;
17.(2)本发明中涉及到的煅烧仅采用商业常见的管式炉,所需煅烧温度较低,反应过程没有释放有毒产物,没有采用安全系数低的保护气氛或原料;
18.(3)本发明通过控制交联固化工艺的升温速率和保温时间,控制升温烧结工艺的升温速率,选择合适的前驱体种类,使成本更低的无压sic陶瓷具有较高的连接强度。
附图说明
19.图1为实施例中升温工艺图。
20.图2为不同交联固化保温时间所得样品的连接处横截面的sem形貌图,其中(a)为保温时间16h,(b)为保温时间20h,(c)为保温时间24h,(d)为保温时间28h。
21.图3为不同交联固化保温时间所得样品的剪切强度测试图。
具体实施方式
22.下面结合实施例及附图对本发明作进一步详细的描述,但本发明的实施方式不限于此。
23.实施例1
24.本实施例所使用的碳化硅为无压碳化硅,将碳化硅切割完后,在酒精中进行超声清洗,用纱布擦干,用胶头滴管将聚硅氮烷滴在碳化硅表面,聚硅氮烷均匀扩散在碳化硅基底的表面,得到涂抹了聚硅氮烷的无压碳化硅基底;然后将两块涂抹了聚硅氮烷的无压碳化硅基底以涂抹叠放在一起,得到样品;将样品放在石墨坩埚中,并在样品上施加0.1n轴向力,在排胶炉中,以1℃/min升温速率,升温至140℃进行交联固化;将经过交联固化后的样品置于环科技1500℃型号的管式炉中,同样对样品施加0.1n轴向力,然后再氮气气氛(氮气保护的气氛流速≥0.12l/min)下,进行热处理,升温工艺如图1所示:以速率为1℃/min升温速率升温至240℃,保温1h,然后以1℃/min升温速率升温至500℃,保温1h,最后以1℃/min升温速率升温至1300℃,并保温2h进行高温烧结。
25.烧结后,待样品冷却后,通过万能试验机进行剪切强度的测试,图2为不同交联固化保温时间所得样品的的横截面处的sem图像,图3为不同交联固化保温时间所得样品的剪切测试强度,载荷随时间变化图。
26.上述实施例为本发明较佳的实施方式,但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制,其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化,均应为等效的置换方式,都包含在本发明的保护范围之内。


技术特征:
1.一种聚硅氮烷连接碳化硅的方法,其特征在于包括以下操作步骤:s1.将聚硅氮烷涂抹在清洗过的无压碳化硅基底上,然后将两块涂抹了聚硅氮烷的无压碳化硅基底以涂抹叠放在一起,得到样品;s2.将样品放在石墨坩埚中,对样品施加0.1n轴向力,空气环境下,以1℃/min升温速率,加热至140℃保温16

28h,进行交联固化;s3.将经过步骤s2交联固化后的样品置于管式炉中,氮气气氛下,对样品施加0.1n轴向力,以速率为1℃/min升温速率升温至240℃,保温1h,然后以1℃/min升温速率升温至500℃,保温1h,最后以1℃/min升温速率升温至1300℃,并保温2h进行高温烧结。2.根据权利要求1所述的一种聚硅氮烷连接碳化硅的方法,其特征在于:步骤s3中所述氮气气氛的流速≥0.12l/min。

技术总结
本发明属于陶瓷材料领域,公开了一种聚硅氮烷连接碳化硅的方法。该方法是将聚硅氮烷涂抹在清洗过的无压碳化硅基底上,然后将两块涂抹了聚硅氮烷的无压碳化硅基底以涂抹叠放在一起,放在石墨坩埚中,对样品施加0.1N轴向力,空气环境下,以1℃/min升温速率,加热至140℃保温16


技术研发人员:程艳玲 黄豪贤 杨盛凯 雷骏 习鑫鑫 郭伟明 林华泰
受保护的技术使用者:广东工业大学
技术研发日:2021.07.30
技术公布日:2021/9/24
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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